AI电源革命：超级电容成结构性必需品，国产厂商迎补位窗口

AI算力密度跃迁正驱动供电架构变革。AI负载从稳态转向毫秒级阶跃脉冲，传统三级备电体系在响应速度、循环寿命、能量损耗维度全面承压。超级电容凭借双电层物理吸附或锂离子嵌入机制，实现微秒级响应与超长循环寿命，成为AI机柜的结构性必需品。

NVIDIA自GB300起将储能元件集成至电源架，使电网峰值需求降低约30%。下一代Rubin平台更将储能容量大幅拉升，标志着储能从附属功能升级为核心系统组件。目前超级电容与BBU正从GB200阶段的“选配”升级为GB300时代的标准电源架构，统一整合至Energy Storage Tray中。

技术路线上，EDLC（双电层电容）与LIC（锂离子电容）并行：EDLC主打长寿命、高倍率、强脉冲响应；LIC则兼具更高能量密度与更小体积，更适配高密度AI服务器。当前英伟达链主要导入日本武藏（Musashi）的HSC产品，而Maxwell深耕EDLC路线。

需求端，假设2026年GB300 NVL72机架出货5-6万台，单个机柜需5个BBU模块和超过300个超级电容器，全年需求约1500-1800万个。然而武藏截至2026Q3规划年产能仅650万颗，供给缺口明显。在AI服务器需求爆发背景下，国产厂商迎来重要补位窗口。

国内方面，江海股份已明确MLPC及超级电容产品适配GB300方案，正加速对接服务器供应链；$东阳光(sh600673)$、思源电气（旗下熔晶碳能）、$海星股份(sh603115)$、艾华集团等在EDLC/混合电容方向积极布局。此外，SST（固态变压器）及SiC器件（天岳先进、三安光电等）亦受益于AI电源架构升级。

超级电容已从实验室走向机柜标配，2026年下半年Rubin平台放量将是产业链业绩兑现的关键窗口。国产替代叠加需求缺口，相关标的值得持续跟踪。

风险提示：行业竞争加剧、技术研发不及预期、下游资本开支波动。