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高瓴、深创投出手！吾拾微完成亿元融资，押注先进封装与光芯片键合设备

国产半导体键合设备赛道，再迎来一笔亿元级融资。

近日，吾拾微电子（苏州）有限公司宣布完成亿元A轮融资。本轮融资由武岳峰科创、高瓴创投、深创投、苏创投·天使母基金、天堂硅谷等机构联合投资，Pre-A轮投资方光谷产投、苏州园区科创基金等继续加码。

此次融资后，吾拾微将重点投入两条技术路线：一是扩大2.5D/3D先进封装晶圆键合设备产能；二是加码化合物半导体及光芯片专用键合设备研发，进一步完善磷化铟（InP）光芯片全流程工艺能力。

随着Chiplet、HBM、3D堆叠、CPO及硅光技术快速发展，晶圆键合正在成为先进封装和光芯片制造的重要设备环节，国产键合设备也迎来新的产业窗口。

01 高瓴、深创投出手，完成亿元融资

吾拾微成立于2020年，总部位于苏州工业园区，不过其核心团队从2013年就开始从事晶圆键合技术研发与产业化。

经过十余年积累，公司目前已经形成覆盖2英寸至12英寸晶圆的键合设备产品体系，涉及临时键合、永久键合、激光解键合及清洗等关键工艺。

公司表示，其产品已经进入国内多家量产阶段的化合物半导体客户，12英寸键合设备也已获得批量订单。

此次亿元A轮融资的一大看点，是投资机构阵容。

武岳峰科创、高瓴创投、深创投、苏创投·天使母基金、天堂硅谷等参与投资，光谷产投、苏州园区科创基金等老股东继续加码。

资金将主要流向先进封装和光芯片两个高增长方向。

02 押注2.5D/3D先进封装

随着先进制程成本越来越高，通过先进封装继续提高系统集成度，已经成为半导体产业的重要技术路线。

Chiplet、2.5D封装、3D堆叠以及HBM，都需要解决晶圆减薄、对准、键合、解键合以及翘曲控制等问题。

晶圆键合设备因此成为先进封装关键装备之一。

吾拾微已经推出面向12英寸晶圆的永久键合设备、全自动临时键合设备以及激光解键合设备。

例如其WPB-Heracles300永久键合机最高键合温度可达550℃，最大压力100kN，实时对准精度达到≤±0.5μm。

在12英寸先进封装3D堆叠应用中，公司设备已经进入客户工艺验证及应用阶段。

本轮融资之后，吾拾微计划进一步扩大2.5D/3D堆叠相关键合设备产能。

03 加码InP光芯片键合

相比先进封装，吾拾微另一个值得关注的方向是光芯片。

AI服务器集群持续扩大，800G、1.6T高速光模块以及CPO等技术快速发展，正在带动磷化铟（InP）、砷化镓（GaAs）等化合物半导体光芯片需求增长。

但InP晶圆本身较脆，进入背面工艺前通常还需要进行超薄化处理，对临时键合、解键合以及晶圆搬运设备提出很高要求。

吾拾微已经将4英寸InP晶圆稳定处理至45μm厚度，并通过临时键合、解键合以及自主开发的晶圆吸附与搬运技术降低碎片风险。

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公司“适用于磷化铟光通讯器件的全自动临时键合工艺平台验证应用场景”还入选江苏省前沿技术应用场景建设示范名单。

此次融资后，公司将继续研发中小尺寸化合物半导体专用键合设备，并完善InP光芯片全流程工艺配套能力。

这也意味着吾拾微正在从先进封装键合设备，进一步切入AI光通信产业链。

04 从25μm超薄晶圆到12英寸设备

键合设备真正的门槛，并不只是“把两片晶圆粘起来”。

随着晶圆不断减薄，碎片、翘曲、应力、气泡、对位精度和TTV控制都会变得更加困难。

目前，吾拾微已经形成多个量产及客户应用案例。

在InP光芯片领域，公司可稳定处理减薄至45μm的4英寸InP晶圆；在功率半导体领域，已经实现8英寸硅晶圆25μm级超薄加工；在先进封装领域，则进一步向12英寸3D堆叠工艺延伸。

其产品矩阵已经覆盖临时键合、永久键合、激光解键合及清洗等环节，并逐渐从化合物半导体向先进封装、功率半导体、MEMS等领域扩展。

这也是吾拾微此次获得亿元融资的重要产业背景。

05 国产键合设备迎来新机会

过去半导体产业升级主要依靠晶体管不断微缩，而Chiplet、HBM、3D堆叠正在让芯片开始向“垂直方向”寻找更多空间。

这让晶圆键合的重要性快速提升。

尤其在AI芯片、HBM、CPO、硅光和InP光芯片等方向，晶圆级键合已经逐渐从辅助工艺走向核心工艺。

对于国产半导体设备企业而言，这也是一个新的国产替代窗口。

吾拾微的路径已经比较清晰：以晶圆键合为核心，从化合物半导体切入，再向12英寸先进封装、2.5D/3D堆叠和光芯片制造扩张。

亿元融资之后，吾拾微能否进一步突破先进封装和InP光芯片量产市场，并与国际键合设备厂商正面竞争，将成为国产半导体设备产业值得关注的一条新线索。

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