俄罗斯光刻机跑出 "加速度"！

俄罗斯在半导体设备自主化道路上再进一步。近日据多方信息源交叉印证，俄罗斯与白俄罗斯联合研制完成一台光刻机试验样机，可用于 130 纳米工艺芯片制造。整机验收试验计划于今年秋季启动，并有望在2027年向俄工业界供货。

俄罗斯第一副总理丹尼斯?曼图罗夫（Denis Manturov）在 “微电子” 论坛全体会议上对外公布该进展。这一进展延续了俄罗斯光刻机研发的快速节奏。2025年3月，莫斯科市长索比亚宁宣布，泽列诺格勒纳米技术中心公司已完成俄罗斯首台350纳米光刻机的研发工作，该项目与白俄罗斯“Planar”工厂合作实施，于2024年12月通过测试后获得国家委员会认可，目前已有客户购入该设备进行工艺调整。索比亚宁特别指出，该设备首次以固体激光器替代传统汞灯作为辐射装置，具备功率大、能效高、耐用性强、光谱更窄等优势。从350纳米到130纳米的跨越，俄方仅用约数月时间，研发速度引人关注。

130纳米属于成熟工艺节点，主要用于功率器件、传感器、汽车电子和工业控制等领域，并不对标当前先进逻辑芯片所用的数纳米节点。该节点的自主化对俄罗斯意义在于，能够保障其关键行业芯片供应的基本安全。

在光源环节，俄方宣称国产准分子激光器已完成试验。这类深紫外光源是130纳米光刻的核心组件，目前除俄罗斯外，仅美国和日本具备生产能力。

俄罗斯在光刻机领域并非毫无根基。苏联时期在精密光学与微电子装备制造上的布局，构成了今天俄白两国推进光刻技术研发的重要源头。

20世纪50年代末至60年代，苏联开始为微电子工业系统布局，泽列诺格勒科学城作为研发与制造中心应运而生，至今仍享有“俄罗斯硅谷”之称。同一时期，白俄罗斯的“平面”（Planar）公司于1962年成立，成为前苏联微电子产品专用工艺设备的重要科研生产基地，长期从事光刻工艺与组装生产设备的设计和制造。

20世纪70年代，准分子激光技术进入快速发展期，国际上关于准分子激光微细加工的研究逐步兴起，光刻正是其核心应用方向之一。苏联科研体系在这一光源技术方向上有所积累，为后来深紫外光刻光源路线提供了技术储备。进入80年代，极紫外（EUV）光刻的基础研究在全球范围内起步，苏联物理研究机构也在多层膜光学和短波长光源方向开展了早期探索。

苏联解体后，光刻机产业的部分技术力量留在了白俄罗斯，“平面”公司继续在光刻设备领域保持实力。俄罗斯本土的科研机构则在EUV光源和多层镜等基础技术方向上维持着有限度的研究。2010年前后，俄方曾尝试推进极紫外光刻系统研发，但因资金和技术难度等原因，项目在早期阶段未能持续。

直到近年国际形势变化催生了更为迫切的半导体设备自主化需求，这些沉积多年的技术积累才重新获得系统性的投入与推进。从350纳米到130纳米的推进节奏，折射出的正是一段从苏联时期延续至今、跨越数十年的技术脉络。

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