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株洲中车时代电气股份有限公司 > 产品与服务 > 产品中心 > 半导体板块 > 功率半导体器件

半导体板块 功率半导体器件 · IGBT芯片及模块 功能亮点: 产品覆盖650V-6500V全电压等级IGBT,具有高电流密度、低开关损耗、高短路功能、低导通压降、软关断特性、裕量大等特点,可满足智能电网、轨道交通、新能源汽车、新能源发电、工业控制等多个领域应用需求。 · SIC功率器件 产品覆盖650V-3300V SiC SBD和SiC MOSFET,采用第三代精细平面栅/第四代沟槽栅技术、体二极管续流,比导通电阳最低可到1.8mhom·cm2可满足新能源汽车主驱、OBC、DC/DC、充电桩、新能源发电、测试电源、轨道交通等复杂、高可靠性应用工况需求。 · 双极器件 产品包括晶闸管、整流管、IGCT等,电压覆盖等级600V-8500V,可满足高压直流输电、机车牵引与传动、静态无功补偿、软启动等多个领域的应用需求。
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