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长鑫科技涨超7%,黄仁勋称对合作持开放态度

2026.10.23

本文字数:2393,阅读时长大约4分钟

作者 | 第一财经 郑栩彤

10月23日收盘,长鑫科技(688825.SH)涨7.93%,市值2.91万亿元,市值增加2138亿元。虽然仍排A股市值榜第三,市值尚未回到3万亿元以上,但已是近段时间股价呈现颓势后的明显反弹。

消息面上,尽管过去一周多只内存股因供过于求、需求疲软的担忧而遭遇抛售,但当地时间10月22日,英伟达CEO黄仁勋在德国接受采访时表示,2029年内存供应过剩的可能性不大。他表示,内存总能越用越多,HBM(高带宽内存)未来多年都会被使用。

英伟达的内存供应商包括三星电子、SK海力士和美光科技。对于是否计划与长鑫科技合作,黄仁勋表示,英伟达持开放态度,公司与中国企业合作,几乎全世界的供应链都在与中国公司合作。他还点评,中国在基础设施技术方面的表现非常出色。

除了黄仁勋的表态,近日高盛还在一份研报中表示,长鑫科技披露的第三季度营收预测中位数,比该机构此前的预测高出30%,净利润预测中位数比该机构此前的预期高出17%,原因是AI带动DRAM(动态随机存取存储器)需求强劲、客户分散供应来源、DRAM价格维持高位。高盛将长鑫科技的目标价由129元微调至130元。

在此之前,9月22日至10月22日,长鑫科技股价在一个月内跌去30.2%,市值蒸发超1.2万亿元。

根据长鑫科技本月早些时候的公告,该公司预计前三季度营收2650亿元至2700亿元,同比增长726%~741.5%,净利润1310亿元至1325亿元,同比扭亏。第三季度长鑫科技预计营收1146.9亿元~1196.9亿元,同比增长589%~619%,净利润533.95亿元~548.95亿元。

长鑫科技近两个月多次更新了技术及产品研发进展,包括8月底最新一代低功耗内存LPDDR6量产、9月第五代DRAM技术平台(G5)量产、10月宣布将于年底推出采用4F2 DRAM架构的新一代DDR5 RDIMM产品。

长鑫科技的4F2架构在海外受到关注,该架构据称单位面积晶体管数量可比目前主流的6F2架构更多,且一定程度摆脱了工艺瓶颈。不过,业内对于4F2架构的实际可行性存在意见分歧。

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