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资讯 ASML、佳能、尼康在两周内先后拿出扩产动作。ASML的客户已经把设备需求问到2030年，佳能明年光刻设备产量最高接近今年的两倍。这轮扩产释放的信号，比“光刻机不够卖”本身更具体：AI算力正在把压力从先进制程向封装和成熟制程两端推开。
01 发生了什么：三家同时扩产，但增量不只在EUV
10月14日，ASML在2026年第三季度财报中披露，客户对2027年、2028年的设备预订单已经超过公司现有扩产计划，部分客户开始接洽2029年甚至2030年的供货配额。公司计划2027年将低数值孔径EUV和浸没式DUV产能各提高30%，并研究2028年把增幅推得更高。定价谈判也已完成，部分关键设备将提价。
一周后，佳能披露明年半导体光刻设备产量最高接近今年的两倍。2026年佳能光刻机产量预计约227台，2027年计划拉到340至450台。更远的规划是，到2029年把先进后道光刻设备产能较2026年提高50%。
尼康的动作方向不同。它没有直接扩大前道光刻机产量，而是把研发重心放在面向先进封装的数字光刻系统上。2027年4月将推出的DSP-110，分辨率1.5微米，吞吐量72 panels/小时，比上一代提升约40%，支持最大730×920毫米的大尺寸基板。
一个容易被忽略的细节是：这轮扩产最大的增量，不在EUV本身。 佳能的增产主力是后道i线光刻设备，尼康的新品也直接瞄准封装环节。光刻机的短缺，正在从“造最先进芯片的设备”外溢到“把芯片封起来”的设备。
02 为什么是现在：AI芯片的需求传导到了封装
ASML的财报里有一组数字可以解释这轮扩产的真实驱动力。2026年全年，ASML预计面向存储客户的设备销售额增长约75%，面向逻辑客户仅增长约10%。存储芯片的扩产强度，已经明显超过逻辑芯片。
存储需求暴增的直接来源是AI算力基础设施。HBM高带宽内存需要先进DRAM工艺，ASML的EUV在先进DRAM中的使用正在增加。但存储芯片造出来之后，还要经过先进封装和测试才能装进AI服务器。封装环节的光刻设备，由此成为新的瓶颈。
佳能的说法更直接。负责产业设备业务的武石洋明表示，先进后道光刻设备的询价从2025年中开始急增，需求不仅来自中国台湾和韩国，中国大陆的半导体厂商也在推进投资，相关需求可能延续到2028年。
这轮“抢光刻机”的本质，是AI算力把半导体产业链的紧张点从“制程节点”拉回到了“产能节点”。 谁的产线能更快把晶圆变成可出货的芯片，谁就需要更多设备，不管那台设备是EUV还是后道i线机。
03 影响落在哪里：三个可追踪的变化
第一，ASML的定价权在走强。 ASML首席财务官戴厚杰明确说，已与主要客户完成“基于价值定价”的沟通，提价对毛利率的影响将在2027年逐步显现，2028年及以后充分体现。这不是一次性的涨价，而是设备商在供需缺口下的议价结构变化。
第二，国产DUV的窗口在被验证，也在被挤压。 余承东在9月底的国际媒体圆桌会上确认，国内正在研发EUV光刻设备，但现阶段量产芯片的主流路径仍然依托DUV。上海微电子28nm浸没式DUV的交付消息在2026年5月前后出现过，但随即有媒体对“良率90%以上”等说法提出质疑，实际进展仍需以晶圆厂验证为准。DUV国产化的确定性在提高，但节奏不宜用单条传闻来锚定。
第三，先进封装从“配角”变成设备商的下一个订单池。 尼康DSP-110支持的最大基板尺寸到730×920毫米，瞄准的是大尺寸interposer和多层FC-BGA基板。封装面积越大，光刻设备要处理的幅面就越大，这和前道EUV追求更小线宽是两条不同的技术路线。佳能也在同步开发大尺寸基板产品。后摩尔时代的设备竞争，不一定发生在同一张图纸上。
04 趋势判断：国产光刻的机会，先看后道还是先看前道
一个值得认真对待的反常识判断是：国产光刻设备最短的追赶路径，可能不在EUV，而在先进封装用的后道光刻和成熟制程DUV。 尼康和佳能同时把增量押向后道，说明这个市场的技术门槛和客户验证周期，与EUV不在一个量级。国内在后道封装设备、i线光刻、涂胶显影等环节的产业链完整度，也明显高于EUV整机集成。
EUV的方向没有变。朗道燧岩在2026年10月工博会上展出的EUV光源样机，国产化率宣称达到90%，驱动激光功率1000W，但现场工作人员坦言距离量产仍需3至5年，商用EUV光源要求数百瓦级功率，15W级样机到量产之间是倍数级的工程跨越。余承东的“可期”，对应的是一段仍然需要耐心的攻关周期。
这轮全行业扩产给国产设备留下的，不是EUV的捷径，而是一个更现实的切入窗口：在先进封装和成熟制程的设备增量里先拿到订单、跑通验证，再用迭代出来的工程能力去逼近前道高端设备。
你怎么看国产光刻设备接下来的优先级？是继续集中力量攻EUV，还是先把后道封装和DUV的增量吃下来？你所在环节感受到的扩产压力，来自前道还是封装？
内容来源：网络
本期编辑：小艾
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