长鑫科技：G5量产、G6验证成功！110亿投研发

长鑫三大突破：G5量产与G6验证、LPDDR6产品升级、4F2存储架构研发。

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国产DRAM巨头长鑫科技，交出最新成绩单！

10月30日，据相关报道，长鑫科技2026年第三季度实现营业收入约1187.14亿元，环比增长19.30%；净利润约889.83亿元，环比增长19.38%，整体毛利率达到89.53%，较上季度提升1.94个百分点。

技术研发方面，长鑫科技接连取得新进展：8月宣布LPDDR6量产，9月第五代DRAM技术平台（G5）量产，第六代技术平台（G6）完成工程样片验证，4F2存储架构取得关键进展。

2026年前三季度，长鑫科技研发投入110.71亿元，同比增长73.03%。

长鑫科技第三季度营收约1187.14亿元，环比增长19.30%；净利润约889.83亿元，环比增长19.38%。

第三季度整体毛利率达到89.53%，较第二季度提升1.94个百分点，营业利润率达到83.43%。

长鑫科技此前在半年报业绩交流会上表示，公司产品结构持续升级，服务器领域产品收入贡献增加。高附加值产品占比提升，带动整体盈利能力改善。

随着新一代DRAM技术平台量产，晶圆产出效率和单位成本有望进一步优化。

长鑫科技先进DRAM技术平台接连取得进展。

2026年9月，长鑫科技宣布第五代DRAM技术平台（G5）正式量产，并展示基于该平台开发的大容量LPDDR5X产品。

根据公司披露的信息，G5平台采用四重曝光技术，将内存阵列有源区半间距缩小至11.95纳米。与第四代平台相比，第五代技术平台每片晶圆产出的裸片数量提升至少50%，进一步改善生产效率和单位芯片成本。

时隔一个多月，第六代DRAM技术平台（G6）取得新进展。

据三季报相关报道，基于G6平台开发的DRAM产品已完成工程样片验证。下一阶段仍需推进客户验证、良率优化及量产准备。

G5正式量产、G6完成工程样片验证，长鑫科技正在缩短新一代DRAM技术的研发与导入周期。

03｜LPDDR6量产，4F2突破！

长鑫科技在高端移动存储和新一代DRAM架构方面同步推进。

2026年8月，长鑫科技宣布新一代低功耗内存LPDDR6实现量产，并已首批搭载于主流旗舰智能手机。

根据相关披露，LPDDR6峰值数据传输速率达到12800Mbps，带宽较LPDDR5X提升60%，功耗降低20%，面向高端智能手机及端侧AI应用。

在DRAM架构方面，长鑫科技近期透露，计划于年底推出融合4F2架构与混合键合技术的新一代DDR5 RDIMM产品，瞄准服务器级内存市场。

长鑫自研VSG（垂直包围栅）晶体管采用垂直沟道结构，可改善漏电和短沟道效应等问题，提高存储密度。

4F2架构则通过缩小存储单元面积，提高单位晶圆的存储容量，为下一代高密度DRAM提供技术基础。

从LPDDR6到4F2，长鑫科技的产品研发正从移动端向服务器市场延伸。相关DDR5 RDIMM新品仍处于计划阶段，量产时间有待进一步披露。

长鑫科技持续加大研发投入。

2026年前三季度，公司研发投入110.71亿元，同比增长73.03%。

DRAM研发涉及先进制程、存储单元结构、晶圆制造、良率控制及封装测试，技术迭代周期长，研发和设备投入较高。

目前，长鑫科技已形成三条主要技术路线：G5、G6先进DRAM制程平台，LPDDR6高端移动存储产品，以及4F2架构、混合键合和DDR5 RDIMM服务器内存。

G5平台提升晶圆产出效率，LPDDR6拓展高端移动市场，4F2架构则面向更高密度的服务器DRAM。

随着新一代技术平台推进，长鑫科技正在扩大高端DRAM产品布局，进一步参与全球存储芯片市场竞争。

其中，G5平台每片晶圆裸片产出数量较上一代提升至少50%，G6完成工程样片验证，4F2架构瞄准服务器级DDR5 RDIMM。

从制程升级到架构创新，长鑫科技正在补齐高端DRAM技术与产品布局。下一步重点是G6客户验证、4F2产品量产进度，以及服务器DRAM市场拓展。

来源：长鑫科技2026年三季报相关报道及公司技术披露，具体数据以正式公告为准。