10月31日，长鑫科技公布了一份投资者关系活动记录表，内容为业绩说明会的记录。长鑫科技回应了4F2架构争议。

此前长鑫科技宣布在4F2垂直沟道DRAM（动态随机存取存储器）架构上取得关键突破，随后相关技术在业内引起争议。

长鑫科技此次透露，公司下一代也就是第六代工艺技术平台将基于4F2架构，该工艺技术平台已完成工程样片验证。4F2架构通过更紧凑的布局缩小存储单元面积、提高单位面积存储密度。采用4F2架构的首代产品今年年底送样后，该架构的规模量产会根据客户验证进度、市场需求情况推进。

“从物理规律看，DRAM位密度提升确实是一个复杂的系统工程，涉及字线、位线以及电容结构的多重空间博弈。”长鑫科技称，相关说法反映了行业在先进制程微缩阶段所面临的普遍物理挑战。在特定技术节点下，不同架构在工艺集成复杂度、光刻次数、以及热预算等方面呈现出不同的成本效益曲线。

长鑫科技称，不同存储厂商基于自身历史技术积累、现有产线配置、专利布局及资本开支结构，往往会做出差异化的战略选择，值得理解和尊重。

就4F2等新技术带来的效益，长鑫科技则表示，前瞻技术及新产品不会在短期全部转化为当期利润，更多是构筑中长期竞争力。

来源：第一财经

责编：李   丹

制作：高蕊琦

校对：王朝全

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