会员 | 瞻芯电子第3代1200V SiC MOSFET荣获“中国芯”优秀技术创新产品奖

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喜报

2026年11月2日，2026年“中国芯”集成电路产业促进大会在横琴召开，同期发布第二十一届“中国芯”优秀产品评选结果。上海瞻芯电子科技股份有限公司自主研发的第3代1200V 35mΩ SiC MOSFET系列产品，凭借突出的技术创新性与产业化成果，荣获“中国芯”优秀技术创新产品奖。瞻芯电子CTO叶忠博士代表公司出席颁奖仪式并登台领奖。

“中国芯” 评选始于2006 年，至今已举办 21 届，是国内集成电路领域最具影响力的行业荣誉评选之一。二十年来汇聚近 20 名院士、200 余名专家参与论证指导，坚持公益定位，持续面向国产芯片开展征集、评估与推广，重点考察参选产品的技术创新性、性能水平与市场表现，是国产芯片创新实力的权威风向标。瞻芯电子此次获奖，标志着其第 3 代碳化硅功率器件在技术先进性、可靠性与规模商用能力上，已获行业高度认可。

获奖产品：第3代SiC MOSFET的硬核实力

本次获奖的第3代1200V 35mΩ SiC MOSFET系列产品（型号IV3Q12035xxx），依托浙江瞻芯SiC晶圆产线研发，采用平面栅结构，通过紧凑的元胞设计与优化工艺，实现了业界较低的比导通电阻，其同等芯片尺寸的导通电阻更小，开关损耗较前代产品降低30%以上。

产品的突出亮点在于高温工况下，导通电阻具有卓越的稳定性：在175℃高温运行时，导通电阻仅升至常温的1.67倍（15V驱动下低至1.42倍），显著降低器件开关与导通损耗，特别适配新能源汽车、光储、充电桩和 AI数据中心等长期持续重载的严苛场景。同时，器件通过严苛的长时动态反偏（DRB）可靠性验证，可稳定承受150V/ns电压变化冲击，极限耐受dv/dt超200V/ns，具备更高开关频率与极速关断工况下的优异鲁棒性。

车规级品质，千万颗级规模验证

该系列产品按照严格的汽车级可靠性标准设计，并通过超越车规级标准的加严可靠性测试，具有卓越的鲁棒性与稳定性，赢得光伏逆变器、充电桩、车载电源等领域多家头部客户高度认可与批量应用，实现千万颗级别规模交付。

产业里程碑：IDM模式下的规模化落地

作为国内领先的碳化硅IDM公司，瞻芯电子拥有车规级SiC晶圆产线及全套SiC MOSFET工艺技术。截至2026年10月，瞻芯SiC MOSFET累计出货已突破1.5 亿颗，客户覆盖全部主流厂商，并在多个细分市场成为业界领先方案供应商。

叶忠博士感言

“非常感谢主办方和评委会授予瞻芯电子‘中国芯’优秀技术创新产品奖。这份荣誉是对瞻芯第三代SiC MOSFET技术与产业化成果的肯定。瞻芯将持续深耕技术创新，打磨更高性能、更高可靠的SiC器件，为新能源汽车、光储等下游客户提供高性能、高品质、稳定量产的国产碳化硅方案，助力我国第三代半导体产业自立自强。”

从技术突破走向千万颗级量产，是本次"中国芯"获奖最硬的注脚。泊松芯能空间引入上海瞻芯电子科技股份有限公司子公司——北京瞻芯电子入驻孵化，围绕宽禁带半导体产业协同，为企业提供场地配套、政策对接、产业链资源联动、产学研合作与中试测试等全方位支持，陪伴企业走完从技术验证到规模量产的关键一段。

作为北京市科技企业孵化器、国家级第三代半导体产业集群生态创新基地、北京市专精特新企业服务站，泊松芯能空间聚焦设计、材料、装备、制造及封测等环节的成果转化。未来，我们将继续陪伴硬科技企业走深走实，把更多实验室里的技术做成市场上站得住、客户信得过的国产方案，让顺义这片宽禁带半导体创新土壤长出更多经得起产业检验的成果。