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会议背景
十五五阶段，SiC/GaN产业已进入规模化“提质升级”的关键阶段。随着AI算力需求增长，单机柜功率向MW级快速发展，800V HVDC高压直流供电架构成为产业发展热点，为SiC、GaN功率电子带来新的发展机遇，对标准化提出了新的挑战。
SiC器件在新能源汽车、光伏储能、轨道交通等中高压领域持续渗透，GaN器件在车载OBC、机器人关节、数据中心电源等场景加速落地。与此同时，测试方法不统一、可靠性评价体系不完善、检测能力不匹配，仍是制约产品互认和规模化应用的重要瓶颈。
联盟标委员会自成立以来，已构建起覆盖材料、外延、器件、模块、封装、检测的标准体系，制定团体标准70余项，其中转化国家标准14项。借第十二届国际第三代半导体论坛（IFWS 2026）召开之际，举办“第三代半导体标准与检测研讨会”，系统总结标委会重点领域的工作成果、对接产业与学术最新需求、规划下一阶段标准布局。
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时间地点
2026年11月19日 9:00—12:00
地点：苏州金鸡湖凯宾斯基大酒店1F多能厅K5
规模：100人左右
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会议日程
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会议咨询及报名方式
徐先生 15201531856 xurp@casa-china.cn
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温馨提示
本场会议免会议费，交通、食宿自理
IFWS同期其他会议情况请留意大会官网通知
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