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资讯 转载来源：半导体封装 传：台积电进军DRAM！ http://mp.weixin.qq.com/s?__biz=MzkzNTkyOTc3NQ==&mid=2247497870&idx=1&sn=616c1714d13761410cf76e2d93650122&scene=45#wechat_redirect
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台积电被曝研究3D DRAM！英伟达缺的这块存储，三星、海力士、美光要迎来新对手？
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台积电被曝研究制造3D DRAM，连工厂从哪来，都已有两个选项。
11月6日，The Information援引两名知情人士报道，台积电应英伟达要求，开始研究3D DRAM制造方案，选项包括新建工厂，或收购现有工厂后改造。
报道称，相关工作由负责先进封装的台积电副总裁徐国晋推动，他此前曾负责美光在台湾地区的业务。
台积电回应称，公司专注核心业务，致力于制造客户设计的芯片，并重申其在逻辑芯片领域的定位。具体产品、建厂决定和量产时间表，台积电均未确认。
01｜台积电手里有什么？
台积电已经做出了把存储阵列集成进逻辑芯片的测试芯片。2025年VLSI Symposium上，台积电展示了氧化物半导体 1T1C嵌入式存储，用一个晶体管和一个电容器构成存储单元，把阵列做进逻辑芯片的后端互连层（BEOL）。
测试芯片工作电压为0.75V，数据保持时间超过128毫秒，随机读写周期低于8纳秒。台积电在2024年也展示过氧化物半导体增益单元存储器，并探索多层单片3D集成。
这条路线用的是台积电熟悉的逻辑制造和工艺集成能力。GPU扩大SRAM缓存要占用更多芯片面积，把更高密度的存储阵列做在逻辑晶体管上方，就有机会腾出面积、减少部分外部访存。VLSI Symposium 官方资料
02｜台积电到底要造什么？
台积电还申请过涉及垂直DRAM单元的专利。一项把垂直沟道晶体管与混合沟槽、堆叠电容结合，另一项把电容器布置在垂直环绕栅极（GAA）晶体管上方，两项都在探索如何压缩存储单元的平面占用。
单独造一颗3D DRAM，和在逻辑芯片上集成一层3D eDRAM，是两门生意。 前者靠垂直结构提高独立存储芯片的密度，后者把存储放到计算单元附近，价值体现在整颗芯片的性能和功耗上。
台积电的论文和专利分别指向这两类探索。报道中的项目走哪条路线，目前仍待确认。
03｜台积电要抢谁的生意？
如果台积电进军商品DRAM，就要和三星、SK海力士、美光拼良率、规模和每比特成本。先进逻辑制程上的领先，能否变成DRAM的制造成本优势，要看量产数据。
如果台积电做的是面向GPU的嵌入式存储，它可以把逻辑代工、片上存储和先进封装一起交给客户验证。这层存储也可以和HBM搭配，台积电为SK海力士HBM4提供逻辑底层裸片的制造支持，属于供应链上的另一个环节。
台积电若单独卖DRAM，就得和存储三巨头拼成本；若把存储做进客户的GPU，它争的就是下一代AI芯片的制造订单。
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