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资讯 近日，第 18 届 IEEE 国际固态和集成电路技术会议（ICSICT 2026）在杭州举行。
士兰微电子工艺研发团队在会上发表论文《Novel Air-Gap Self-Shielding 1200 V HVIC with an Enhanced Isolation Breakdown Voltage》，首次将空气隙隔离（AGI）自屏蔽技术引入 1200V 高压栅驱动 IC 平台，实现击穿电压超过 1400V、隔离击穿电压高于 60V，为国产超高压驱动 IC 提供了一条兼顾耐压、面积与工艺可行性的新路径。
图：士兰微电子工艺研发团队在ICSICT 2026会议上发表主题报告
ICSICT：中国半导体最具分量的国际舞台
ICSICT 是International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology的缩写，创办于 1986 年，由中国电子学会与北京大学联合发起，两年一届，已发展成为国内固态器件与集成电路技术领域规模最大、最重要的 IEEE 系列国际会议之一，历届吸引全球二十多个国家和地区的高校、研究机构与头部企业参与。本届会议由 IEEE 中国联合会、IEEE 北京分会、浙江大学、电子科技大学等单位联合主办，设四大主题、十二个技术方向，覆盖数字与模拟 IC、器件、工艺与封装全链条，会议录用论文将收录于IEEE Xplore，并被 EI Compendex、Scopus 检索（以实际收录为准），是国内外同行评价技术先进性的重要参照。
对企业而言，ICSICT 既是展示技术实力的窗口，也是与全球高校、头部厂商对话的平台。
士兰微电子选择在此首发该项成果，正是希望以可被国际同行检验的方式，参与超高压集成技术的话语构建。
创新点：用"空气"重构隔离结构
基于体硅PN结技术的栅极驱动HVIC工艺经过多年的发展，从常规结构演变为自屏蔽技术，再到现在先进且被广泛使用的divided-RESURF技术，这些基于PN结隔离的技术方案都只是在工艺和版图之间找平衡窗口，且随着小线宽和超高压（>1200V）的需求越大提高，隔离、互连以及超高压器件鲁棒性问题变得愈发严重。
士兰微电子基于多年在高压栅驱动工艺技术上的积累，创造性地引入空气槽自屏蔽结构，通过机理分析、结构优化设计、以及工艺突破，实现超高的击穿电压、更高的隔离电压、鲁棒性和可靠性更高的工艺和器件结构。
图：ICSICT 2026 会议报告发表的1200V 空气隙自屏蔽 HVIC 主结构
价值：一条可复用的技术路径
对学术界，这项工作的意义把"隔离耐压受限于PN结和场开启"经典约束，转化为可通过三维结构设计化解的问题：空气隙既是物理屏障，也是电场与电流路径的"整形器"，为超高压隔离提供了新的机理范式，也为 AGI 在更高电压等级、更多隔离场景中的拓展留下空间。
对产业界，其价值"可落地"：工艺步骤少、窗口宽、兼容现有平台；满足 SiC 驱动、工业大功率变频等对 1200V 驱动 IC 的真实需求。
作为国内少数具备IDM（设计与制造一体化）能力的功率半导体企业，充分发挥在工艺研发过程中的特色，基于市场需求和技术创新迭代的定制化设计，从结构创新、仿真到量产的全链路过程，持续推进特色工艺研发、提升关键指标。
结语
士兰微电子将继续围绕超高压驱动 IC 平台深耕，把论文里的结构变成产线上的创新实现，充分发挥IDM的优点和特色，坚持差异化导向，实现技术持续迭代与关键突破。
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