现场直击 | 全产品矩阵亮相慕尼黑，规模化交付彰显发展新势头

11月10日至13日，2026欧洲国际半导体展（SEMICON Europa 2026）在慕尼黑举行，天岳先进携全系列碳化硅衬底产品矩阵及前沿技术亮相，集中展示公司在碳化硅材料领域的创新成果、产品布局与规模化制造实力。其中，12英寸碳化硅衬底成为展会焦点，充分展现了天岳先进在大尺寸碳化硅材料领域的技术突破与产业化进展。

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全类型 12 英寸碳化硅衬底亮相

大尺寸工业化制造未来可期  

作为本次展出的明星产品，天岳先进展示的12英寸全导电类型碳化硅衬底备受关注。该产品不仅实现了大尺寸碳化硅衬底的重要技术突破，更已获得部分客户企业器件制备验证，表明碳化硅大尺寸晶圆工业化制造未来可期。

12英寸全类型产品碳化硅衬底的持续发展，展现了天岳先进持续推动碳化硅材料向更大尺寸、更高质量和更高制造效率发展的技术实力, 长远来看有利于破解行业面临的供给不足、成本偏高的痛点，为新能源、AI数据中心等高增长赛道提供安全、可持续的碳化硅供应。

全矩阵产品亮相

 彰显规模化稳定交付实力

除12英寸明星产品外，天岳先进还展示了覆盖不同尺寸、不同导电类型的全矩阵碳化硅衬底产品，全面呈现公司在碳化硅材料领域的产品布局与制造能力。

从成熟尺寸到前沿大尺寸，从导电型到半绝缘型产品，天岳先进已构建起覆盖多元客户需求的产品体系，能够面向新能源汽车、工业电源、光伏储能等多元使用场景提供多样化材料解决方案。

据日本权威调研机构富士经济社最新统计数据显示，天岳先进2025年全球碳化硅衬底6英寸及8英寸产品市场份额分别是27.5%和51.3%。这些数据不仅体现了天岳先进持续创新的产品开发能力，也进一步彰显了公司成熟的制造体系、规模化生产能力与稳定交付能力。

依托持续完善的产能布局、工艺平台和质量管理体系，天岳先进将持续提升全球客户服务能力，为全球碳化硅产业链提供可靠的材料支持。

液相法技术持续突破 

 构建材料创新优势

在碳化硅材料生长技术领域，天岳先进重点展示了全球领先的液相法技术及相关研发成果。

天岳先进系统性地提升液相法P型4H-SiC衬底质量，优化后衬底缺陷降低、面型改善，外延后有效芯片可用面积大幅提升。该成果有望破解传统路线痛点，支撑超高压SiC IGBT器件发展，助力宽禁带半导体产业链自主可控。

面向未来，天岳先进将携手全球产业链伙伴，共促碳化硅技术创新，共拓多元应用场景，持续为全球功率半导体产业高质量发展注入发展动力。