利润狂飙，业绩大超预期！存储巨头引爆AI存储超级周期！

北京时间4月23日，韩国存储芯片巨头SK海力士发布2026年一季度财报，交出史上最强成绩单：公司Q1营收52.58万亿韩元，同比增长198%；营业利润37.61万亿韩元，同比增长405%；营业利润率高达72%，净利润率约77%，创下公司成立以来历史最高纪录，业绩全面超出市场预期。

DRAM、NANDFlash均价环比分别暴涨60%、70%，HBM等高附加值产品成为核心增长引擎。SK海力士股价一度飙升3.5%创历史新高，年初至今累计涨近90%。

公司同步宣布19万亿韩元先进封装厂投资计划、全年资本开支大幅上调，叠加全年产能被AI客户长单锁定，正式确认全球存储行业进入AI驱动的超级上行周期。本轮周期由AI服务器算力需求主导，供需缺口至少延续至2027年底，量价齐升+产能紧缺+国产替代三重共振，存储全产业链迎来确定性投资机遇。

涨价延续、供需缺口扩大

高盛近日大幅上调DRAM/NADN价格预测，预计2026年两大品类市场价格分别飙升250%至280%和200%至250%，较年初预测的150%和100%大幅上修，主因AI服务器需求激增与供应受限交织导致的紧缺远超此前预期；供需缺口方面，高盛2026年2月报告指出当年DRAM/NADN/HBM三大品类的供需缺口分别达4.9%、4.2%和5.1%，短缺格局预计将持续至2027年甚至更久。

中信证券研报明确指出，当前存储原厂扩产面临主观和客观双重约束：（主观面）原厂经历寒冬后高度克制扩张节奏，产能释放显著滞后；（客观面）洁净室建设周期漫长、核心设备交期拉长以及HBM的"产能吞噬效应"共同制约供给弹性。预计供不应求至少持续至2027年，涨价贯穿2026全年，坚定看好存储产业趋势，行业有望维持高景气。

据TrendForce预计，2026年第二季度DRAM/NADNFlash合约价涨幅将分别达58%至63%和70%至75%，再度印证存储行业景气维持高位。机构普遍判断，DRAM2026年位元增长率有望达26%，存储超级周期有望成为2026年半导体行业重要主线。

四大环节全面受益

存储模组/分销——涨价最直接的业绩弹性

佰维存储2026年前两个月归母净利润达15亿元至18亿元，同比增幅最高接近1100%，公司一季度营收68.41亿元，同比增长341%，AI新型端侧存储产品收入11.75亿元，同比增长496%。

德明利一季度预告归母净利润31.5亿元至36.5亿元，由上年同期亏损6908.77万元转为巨额盈利，单季盈利规模约达2025年全年的近5倍；实现营业收入73亿元至78亿元同比增长逾480%。

香农芯创2026年第一季度实现营业收入237.65亿元，同比增长200.60%；归属于上市公司股东的净利润为13.27亿元，同比增长7835.06%。作为SK海力士的HBM核心分销商，其深度受益于AI存储需求爆发式增长，同时推出自主品牌"海普存储"，2025年预计实现销售收入17亿元，首次实现年度规模盈利。

从分销环节本身来看，存储价格上行时，模组厂商通过前期锁价的低价库存可获得更强的业绩弹性，应持续关注上述模组龙头的后续业绩表现。

HBM/先进封装——AI的核心受益环节

SK海力士此次财报显示，HBM等高附加值产品销售价格的持续上涨是盈利创纪录的核心关键。AI驱动的数据中心需求增长正在从根本上重塑存储行业的产品结构。

长江证券电子行业分析师蔡少东指出，HBM过去三年实现超过10倍增长，2025年全球市场规模达350亿美元，预计2027至2028年有望突破1000亿美元；美光科技则预测HBM潜在市場規模2025至2028年复合年増长率约40%，且该规模将超过2024年全球DRAM整体市场规模。

在产能趋紧背景下，HBM涨价预期强烈：外媒报道三星与SK海力士已将2026年HBM3e供应价格上调近20%；机构判断二季度合约价有望环比上涨30%至50%。

A股相关标的方面，华泰证券预计2026年三大存储厂商资本开支将集中在HBM/DRAM领域，存储超级周期将成为半导体行业重要主线，但呈现结构性分化：BatchALD设备、存储测试设备及封装加工设备需求有望明显增长：

设备端：精测电子、中科飞测、拓荆科技、芯源微、北方华创等在存储芯片制造产线扩大资本开支背景下有望受益。

材料端：华特气体（半导体特气）、联瑞新材（HBM用硅微粉）、德邦科技（封装粘接）、飞凯材料（封装材料）在HBM扩产的带动下需求同步增长。

封装端：长电科技、通富微电、盛合晶微等具备先进封装能力的企业，随着SK海力士等巨头加大封装投入，有望切入相关产业链。SK海力士已计划在韩国投资19万亿韩元（约合人民币878亿元）建设新的先进封装工厂，凸显AI时代封装环节的关键价值。

半导体设备与材料——扩产刚需的直接驱动

华泰证券判断2026年全球三大存储企业的资本开支将集中在HBM/DRAM上，TrendForce预测2026年DRAM位元增长率或达26%，存储超级周期将成为半导体行业重要主线。

中信证券二季度策略展望中坚定看好存储材料等高景气板块，认为其配置价值明确。

设备端：北方华创的刻蚀/薄膜沉积设备已进入头部存储厂商批量采购清单，产能充足；中微公司的CCP/ICP刻蚀设备广泛用于NAND/DRAM生产线；精智达深度绑定长鑫存储并受益于国产扩产替代。

材料端尤其值得重视：日本PGME/PGMEA（光刻胶关键原料）三星、SK海力士采购中断消息推动国产替代加速，怡达股份和百川股份等国内相关供应商受市场关注。此外西安奕材（12英寸硅片龙头，同等容量HBM对硅片需求约达DRAM的3倍，HBM抛光片已送样）、雅克科技（前驱体材料、深度绑定三星/SK海力士，订单呈增长趋势）等为HBM配套材料的核心受益者。

国产替代——长鑫存储与长江存储的"结构性缺口"机遇

在全球存储供应紧张的大背景下，国内存储原厂长鑫存储（DRAM）和长江存储（NANDFlash）的产业化推进加速。长江存储自去年四季度起已出现"抢货"现象，下游客户需先打款再排队提货；兆易创新与长鑫签订2026上半年度15.47亿元DRAM代工采购关联交易协议，深度绑定长鑫存储，受益于存储周期上行。

爱建证券近期明确表示，持续看好人工智能产业浪潮下的科技行业发展，关注存储芯片板块景气持续带来的投资机会，国产存储芯片产业链将迎来一轮历史性发展机遇，具体环节包括存储芯片模组、存储芯片封测、存储芯片制造及上游相关设备材料。

国盛证券也指出，HBM已成为DRAM市场增长主要驱动力，是当前AI芯片主流选择。万联证券建议关注PCB、存储等细分赛道及产业链投资机遇。

风险提示：文章内容仅供参考，不构成投资建议；股市有风险，入市需谨慎。

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