SK海力士HBM良率显著提升

2026-04-30 09:34:40

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半导体行业圈振兴国产半导体产业！

韩国存储厂商SK海力士宣布，其应用于高带宽内存（HBM）模组的混合键合封装技术良率已实现提升。混合键合技术可让存储芯片厂商无需借助微凸点，即可完成存储晶圆层间的键合连接。目前，采用混合键合的12层HBM已完成验证，正推动量产良率进一步优化。该技术实现铜对铜直接键合，无需凸点（Bump），可有效降低发热、提升带宽并大幅减薄叠层高度，进而实现更高传输速率与更优能效表现。为进一步提升传输速度、性能与单颗容量，HBM4、HBM5 等下一代内存模组需要堆叠更多晶圆层；同时，受限于设备空间要求，封装整体尺寸必须严格控制。在此背景下，混合键合技术去除了裸片之间的微凸点结构，让厂商能够在同等封装体积内，实现更多晶圆层的高密度堆叠。行业预测混合键合将从HBM4开始应用，预计自今年下半年或明年起逐步实现商用。但当前混合键合仍面临经济性挑战。为衔接技术过渡，SK海力士正优化MR-MUF工艺，已达成HBM3E达16层的高度标准。HBM封装技术已按“TC-NCF → MR-MUF → 混合键合”代际演进，每代均实现翘曲更小、生产效率更高。近日，SK海力士还凭借HBM在AI技术创新方面的领先地位，荣获2026年IEEE奖项。

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