联电发力先进封装，拿下大客户

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AI伺服器与高效能运算（HPC）需求持续升温，带动芯片功耗快速向千瓦（kW）等级迈进，供电效率与电源完整性成为半导体新技术战场，供应链透露，联电近年积极布局的嵌入式深沟槽电容（DTC）技术已成功打入高通供应链，相关产品开始出货，在先进封装领域再下一城。

联电回应，对单一客户不予评论，但先进封装是集团积极强化的技术。业界指出，AI芯片运算能力大幅提升，GPU、AI加速器及边缘AI芯片对「瞬时供电」需求愈来愈高，传统封装架构已难以满足低杂讯、高效率的电源管理需求。

DTC技术透过在硅中介层（Interposer）或先进封装基板内嵌高密度电容，大幅缩短供电路径、降低寄生效应与电源杂讯，提升芯片运作稳定度与效能表现，成为先进封装的重要关键技术之一。 DTC近年是国际大厂发展先进封装的重要技术，包括台积电CoWoS、英特尔EMIB等高阶封装平台，均积极导入相关技术，解决AI芯片功耗持续攀升带来的供电挑战。

业界点出，联电近年持续深化特殊制程技术布局，开发DTC多年，已具备量产能力，相关产品成功切入高通供应链，看好联电后续搭上边缘AI装置快速成长列车，包括AI PC、智能手机、智能眼镜及各式终端装置，皆可望成为DTC技术的重要应用场域。

法人分析，联电近年除持续巩固成熟制程市场地位，也透过特殊制程与先进封装周边技术提升产品附加价值，以DTC来说，具备技术门槛高、客户验证周期长等特性，一旦成功导入客户平台，供应关系通常相对稳定，有助挹注长期营运动能。综观来看，法人认为，联电此次成功切入高通供应链，凸显其在特殊制程与先进封装关键元件领域的技术实力。

嵌入式深沟槽电容技术解决供电痛点

AI浪潮推升高效能运算（HPC）与AI伺服器需求爆发，芯片效能提升带动功耗增加，业界预估，下一世代AI加速器功耗将朝千瓦（kW）等级迈进，在先进封装芯片内提供稳定且高效率的供电能力需求，达到瞬间供电，让嵌入式深沟槽电容技术受市场高度关注。

业界指出，DTC是透过半导体制程在硅芯片内蚀刻出深沟槽结构，形成高密度电容元件，整合至硅中介层（Interposer）或先进封装架构中。相较传统制程将电容配置在封装基板或电路板上，DTC能够更靠近运算芯片核心，大幅缩短供电距离，降低电压波动与电源杂讯，提升系统稳定度。

法人分析，DTC不仅可应用于AI加速器与GPU，也适用于网通、车用电子及高阶行动处理器等领域，具备相关技术与量产能力的业者，有机会在AI应用成长过程中，成为下一波产业升级的重要受惠者。

除了云端AI伺服器外，边缘AI市场同样为DTC带来庞大商机，业界补充，像是AI PC、智能手机、AR眼镜及各类智能终端设备陆续导入生成式AI功能，芯片对运算效能与能源效率要求同步提升，相关供电管理技术需求也将水涨船高。

业界分析，AI芯片在高速运算过程中，常出现瞬间电流大幅变化，若供电系统反应慢，影响芯片效能。 DTC具备高电容密度与低寄生效应等优势，提供瞬时电流需求，成为先进封装提升电源完整性的解决方案。

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