中国光刻胶，新突破！

5月27日，在2026第十届集微大会“先进封装与测试技术创新峰会”上，江苏艾森半导体材料股份有限公司（688720.SH）总经理兼CTO向文胜发表了题为《2.5D/3D封装用高深宽比厚膜光刻胶》的主题演讲，系统介绍了公司在高端半导体材料领域，尤其是先进封装光刻胶方向的最新技术突破与产业化进展。

向文胜指出，随着AI、HPC等高性能计算的快速发展，2.5D/3D封装已成为实现系统集成与性能提升的关键路径。无论先进封装结构如何多样化，其核心均可拆解为RDL（重布线层）、Bump/Micro-bump（凸块/微凸块）、TSV（硅通孔）及介电层/缓冲防护层等基本构件。艾森股份围绕这些关键工艺节点，持续投入研发，形成了覆盖RDL、Bump、TSV、介电层等全场景的光刻胶产品矩阵。

在RDL/Fine-pitch RDL应用方面，艾森股份拥有超过10年的开发历史，已推出正性、负性及化学放大型多系列产品。其中，iCA 7200系列化学放大型正性光刻胶可实现<2μm线宽/间距、6μm膜厚下深宽比（AR）达5:1以上，满足高密度互连需求。

在Bump/Micro-bump领域，公司厚膜负性光刻胶5060N、5090N系列已广泛应用于Cu/Ni/SnAg电镀工艺，5090N系列在250~300μm膜厚下仍保持5:1的深宽比。针对金凸块制程，5025N系列也展现出优异的镀金耐受性。为进一步满足更高集成度要求，艾森股份正在开发深宽比达7:1、分辨率达5μm via @35μm膜厚的新一代产品。

在Micro-bump用化学放大型正性光刻胶方面，CA7150系列在50~80μm膜厚下实现10~15μm开孔，AR达5:1以上。公司通过优化树脂结构与配方，成功解决了铜基材对光酸的淬灭反应及涂布烘烤过程中的气泡问题，并正在开发支持110μm（单次涂布）至250μm（两次涂布）的超厚膜正性化学放大型光刻胶。

针对TSV应用，艾森股份正在开发的ICA7110正性化学放大型光刻胶，适用于<2μm via @8~12μm膜厚，具有高垂直形貌及优异的耐含氟刻蚀气体能力，可支持-15℃、30分钟DRIE工艺，AR达5~6:1。此外，iCA7200、ICA7110、CA7150三款产品组合可为硅转接板、局部硅互连及嵌入式桥接互连等2.5D/3D封装结构提供完整光刻胶材料支持。

在介电层与缓冲防护层领域，艾森股份已完成PSPI全系列布局，涵盖高温固化（~350℃）、低温固化（200~250℃）及超低温固化（180~200℃）产品，并开发出低介电常数（Dk/Df）材料，满足高频应用需求。部分产品为针对客户新需求的创新开发，市场上尚无对标产品。

向文胜强调，艾森股份围绕“电镀+光刻”双主业战略，持续聚焦先进节点逻辑与存储、先进封装及功率/射频/显示/传感等特色应用领域。公司在昆山、广州、南通等地建有多个研发与生产基地，并于2023年12月成功登陆科创板，成为“科创板光刻胶第一股”。目前，公司是国内唯一能同时提供“电镀+光刻”整体解决方案的国产供应商，厚膜负性光刻胶已打破日本JSR垄断，市场占有率持续提升。

展望未来，艾森股份将继续坚持自主创新，构建从树脂到配方、从研发到产业化的完整自主材料产业链，致力于实现先进封装光刻全流程国产化供应，为中国半导体产业链安全与自主可控贡献力量。

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