盛美上海拓展 Ultra C Tahoe 为多工艺湿法处理平台

ACM

盛美上海

拓展Ultra C Tahoe

为多工艺湿法处理平台

 新增先进湿法刻蚀和控挡片再生工艺，

支持逻辑和存储器件制造。

盛美半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“盛美上海”）（科创板股票代码：688082），作为一家为半导体前道和先进晶圆级封装应用提供晶圆工艺解决方案的卓越供应商，今日宣布其Ultra C Tahoe拓展为多工艺湿法处理平台，新增多项先进湿法工艺应用，可支持逻辑和存储器件制造中的更广泛需求。该平台已获多家主流半导体制造商采用，验证了其在先进制造中的量产能力、多功能性及拓展潜力。

该扩展平台基于盛美自主研发的混合湿法处理技术，将批次槽式工艺与单片晶圆腔室工艺集成于同一架构，实现在同一平台执行多种先进湿法工艺。该平台充分发挥槽式清洗的优势，不仅可支持更长的工艺时间、有效降低化学品用量，同时兼具单片清洗工艺的颗粒去除效率，显著减少晶圆间的交叉污染，并实现精准的工艺时间控制。面向先进工艺的Tahoe Recycle控挡片再生工艺是这一混合架构所支持的新应用，可将原本需在不同设备上分散完成的多个湿法处理步骤整合至同一混合平台，减少晶圆在设备间的转移，缩短处理周期，同时提升颗粒控制能力和产出速率。

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盛美上海总经理王坚表示：

半导体制造日趋复杂，客户需要既能提升生产效率，又能灵活适配未来技术需求的解决方案。Ultra C Tahoe拓展为更广泛的先进湿法工艺平台，体现了盛美专利混合架构的灵活性及在先进半导体制造中的可扩展性。盛美半导体将持续致力于提供世界一流的工艺性能，将环境效益融入产品开发，推动先进半导体制造向更高效、更可持续的方向发展。

Ultra C Tahoe?

平台的新工艺应用与优势

更广泛的工艺应用：新增槽式氮气鼓泡技术，支持氮化硅均匀凹槽刻蚀、多晶硅刻蚀与回刻、钨凹槽处理以及锗硅凹槽刻蚀等先进湿法工艺。结合单片处理模块支持的盛美专有SAPS、TEBO清洗技术、表面改性技术（SMT）及高温IPA干燥技术，平台可集成刻蚀、先进清洗和干燥等多种工艺，最大限度减少相关湿法处理对精细图形结构的损伤。

更高效的控挡片再生：控挡片是用于监控制造设备状态和工艺稳定性的晶圆。应用于先进工艺控挡片再生工艺的Tahoe Recycle可支持薄膜和残留物去除、清洗及干燥等湿法处理环节，将原本分散的工序整合至同一平台完成；且对双面覆膜及厚膜晶圆具有更强的膜层去除能力，可显著提高再生后晶圆的洁净度和整体工艺效率。

卓越的颗粒控制能力：在26纳米颗粒测试中实现了平均颗粒数小于6个，表面金属残留小于1×10? atoms/cm2。

显著的环保与成本优势：硫酸消耗量可降低高达75%，从而降低大批量制造成本，支持可持续发展及ESG目标。

目前，Tahoe Recycle控挡片再生工艺已进入客户端量产，通过提高产出速率和提升再生后晶圆质量，为晶圆厂日常运营提供有力支持。

关于盛美上海

盛美坚持“客户全球化”战略，在服务好国内客户之外，同时积极开拓国际市场，客户遍布美国、韩国、中国台湾和东南亚市场。始终坚持“技术差异化”和“产品平台化”战略，成功布局了八大板块产品，分别是清洗设备、电镀设备、晶圆级先进封装设备、立式炉管设备、涂胶显影设备、PECVD设备、面板级先进封装设备和无应力抛光设备，可覆盖市场约200亿美元。作为清洗和电镀设备的龙头企业，盛美清洗设备已经覆盖了95%工艺步骤应用，电镀设备实现技术全覆盖，所有产品都具有自主知识产权，拥有多项原创技术，例如SAPS及TEBO两代兆声波清洗技术和Tahoe单片槽式组合清洗技术位居行业前列，多阳极电镀技术具备国际竞争力。此外，面板级封装是AI芯片未来发展的必由之路，盛美已经率先推出了面板级水平式电镀、负压清洗、边缘刻蚀设备，期待这三款设备将共同推动具有高精度特性的大型面板先进封装行业进步以及扇出型面板级封装技术市场发展。

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