Product — 全自动高精度芯片键合设备

±1μm 的精准：高精度共晶键合新选择

联得半导体专为 COC、COS 共晶工艺打造的全自动高精度芯片键合设备，标准片键合精度可达 ±1μm，兼具共晶与银胶两种键合工艺能力，可覆盖从研发打样到批量生产的全流程需求。

【全自动高精度芯片键合设备】

01 — 高精度键合

高精度键合，从「±1μm」开始

光通信、激光雷达、传感器等器件的封装，对芯片键合的位置精度与一致性要求严格，位置偏差将直接影响器件性能与良率。全自动高精度芯片键合设备专为 COC、COS 共晶工艺开发，标准片键合精度达 ±1μm，可满足此类应用场景的要求。

02 — 双工艺覆盖

一台设备，覆盖两大工艺

设备同时支持共晶键合与银胶键合两种工艺，可完成蘸胶、点胶等多种作业方式。两种工艺可在同一设备上完成，无需分别配置产线，既减少设备投入，也便于产品切换。

03 — 模块化配置

模块化配置，灵活适配产线

设备兼容 Wafer、Waffle、Gel-PAK 等多种上料形式，取放头与贴装头支持自动更换，可快速适应不同产品形态的切换。焊台标配脉冲加热系统与氮气保护腔体，贴装头可选配加热模块，以扩展工艺适应范围。配置可根据产线需求灵活选配，并支持随工艺升级持续扩展。

04 — 稳定可靠

从研发到量产，稳定可靠

设备兼顾研发阶段的试样小批量试制与工业化大批量生产，可覆盖从验证到量产的全过程。对于精度要求较高的封装场景，设备运行稳定、调试频次低，可满足产线对稳定性的要求。

Specs — 核心参数一览

核心参数一览

参数项

SPECS / 规格 · 说明

贴装方式

正面 / 背面基准贴装

封装工艺及场景

COS 、 COC 等共晶贴装（蘸胶、点胶）

贴装精度

X/Y ±1μm 、 θ ±0.1°（标准片）； X/Y ±3μm 、 θ ±0.2°（视具体产品）

键合头力控

10-900g 全闭环控制（0.2~0.5N 对应 ±5%；0.5~8.8N 对应 ±10%）

键合头温控

标配无，可选配 Plus Heater ， RT~450°C ，升温速率 >100°C/s

如需了解更多设备细节，或希望评估设备与自身产线的适配情况，欢迎联系联得半导体。