光模块行业深度报告：集成度逐步提升重构光模块价值链

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          投资要点

 ? 光模块：封装集成度提升，增量利润将向性能瓶颈环节迁移。AI主导全球光模块市场发展，超高速光模块快速放量。据LightCounting数据，预计2025-2030年全球光模块市场CAGR约22%，800G光模块需求将于2028年迎来需求峰值，CPO产品有望在2026至2027年开始放量；从分立器件走向集成，COB是高速光引擎主流封装方式。光模块的封装方式主要有TO-CAN封装、BOX封装以及COB封装等。COB封装取消了芯片独立封装、中间连接器、柔性电路板等冗余结构，可以做到小/轻型化、低成本，是高速光引擎主流封装方式。可插拔光模块趋向多通道低功耗易散热，CPO或重塑光互联格局。光模块整体演变核心趋势围绕带宽提升持续推进封装扩容、架构集成和接口高密度化，解决高速场景下功耗、散热、布线、传输距离等问题。头部厂商已在关键场景导入LPO技术，CPO处于验证和规划阶段。利润集中于头部光模块厂商，关键在于技术优势和海外客户导入。技术演进推动利润重分配，增量利润优先向上游光芯片等接近性能瓶颈的环节迁移。

 ? 光芯片：硅光和CPO推动高功率CW激光器需求和探测器集成化。激光器芯片： EML和CW为主，硅光渗透率提升推动CW需求。数据中心激光器芯片与电信激光器芯片市场呈现差异化技术格局。数据中心激光器芯片市场形成EML与CW激光器芯片双轮驱动的技术路线：EML激光器芯片作为成熟方案，广泛应用于400G及以上光互连产品。近年来，具备高集成、低成本优势的硅光方案成为高速迭代主流方向，需要配套大功率CW激光器芯片；电信领域则以边发射激光器芯片为主流，核心原因是其可满足严苛的传输性能指标。硅光技术现已广泛应用于数据中心光互连市场，尤其在各类高速光互连产品中渗透率持续走高。探测器芯片主要包括PIN和APD，PIN主要用于中长距离传输，APD用于长距离传输。无源光芯片需求持续提升，供给集中于美日厂商。

 ? 电芯片：趋于集成，技术演进推动价值量分化。CPO架构推动电信号处理功能集成化，压缩独立电芯片需求，和系统级芯片厂商合作能力或成电芯片厂商发展的关键。据CAICT数据，全球光模块电芯片市场由ADI和TI等海外企业主导，25G及以下DSP产品国产化率达60%，50G及以上高速产品海外企业技术领先和生态绑定导致格局集中，博通、Marvell双寡头合计拿下90%以上的高端PAM4 DSP市场份额。铌酸锂调制器驱动芯片占比高，硅光调制器驱动芯片占比快速提升。光调制器驱动芯片市场可分为铌酸锂（LiNbO3）调制器驱动芯片、硅光调制器驱动芯片、InP调制器驱动芯片及其他品类。据DataIntelo数据，2025年铌酸锂调制器驱动芯片市场份额最高，占比约38.4%，对应市场规模约6.91亿美元，硅光、磷化铟调制器驱动芯片方案不断抢占中短距场景市场份额。

?光模块PCB加速从传统高多层板向mSAP工艺板过渡。高端产品驱动PCB市场稳健增长。2024年全球PCB市场规模约为750亿美元，预计2029年将增长至930亿美元以上，光模块PCB市场规模持续扩大，加速从传统高多层板向mSAP（改良半加成法）工艺板过渡。mSAP工艺能够在极小尺寸内实现更高密度线路布局，减小产品体积并削弱高速信号插入损耗，是支撑下一代高速光模块信号完整性的关键技术路线，具备mSAP工艺量产能力与头部客户认证的厂商有望迎来订单放量与产品结构优化的双重驱动。

 ? 投资建议：1）关注超高速光模块需求驱动市场规模提升：AI算力需求推动全球光模块市场高景气，800G光模块需求将于2028年迎来需求峰值，CPO产品预计2026-2027年放量，关注光模块厂商技术导入与市场份额提升；2）关注技术升级与集成化趋势：COB封装、LPO/NPO/CPO等技术方案持续迭代，硅光、薄膜铌酸锂调制器驱动芯片等新技术渗透率或快速提升，产业链升级有望带来结构性机会；3）关注高端PCB与核心器件：mSAP工艺加速渗透、HDI/高速高频PCB需求增长，具备高端产能与认证的厂商有望订单放量，关注光芯片、探测器芯片、驱动器等关键原材料供给能力。

?风险提示：1）技术路径误判风险；2）下游需求不及预期风险；3）国际贸易摩擦风险。

1. 光模块：封装集成度提升，增量利润优先向性能瓶颈环节迁移

1.1 需求分化：AI 算力驱动行业扩容，超高速光模块成为核心增量

AI需求主导全球以太网光模块市场发展。据LightCounting数据，在人工智能算力集群、云数据中心需求增长，以及电信网络厂商需求复苏的驱动下，预计2025-2030年全球光模块市场CAGR约22%。其中，主要应用于人工智能算力集群、云数据中心的以太网光模块对应CAGR为24%，预计到2031年，全球以太网光模块市场规模将逼近600亿美元，其中人工智能领域销售额将突破450亿美元，总体占比约75%。

超高速光模块（800G+）将成市场主流，主要用于数通场景。据LightCounting数据，未来5年可插拔光模块将继续主导市场，2024-2029年可插拔光模块出货量CAGR将维持在22%，到2029年，全球光模块市场规模有望突破370亿美元。其中，800G光模块在2025年需求明显提升，全球出货量预计达1800-1990万只，同比翻倍；1.6T光模块2025年进入商用元年，全球需求预计达250-350万只。未来CPO 逐步走向商业化，有望接力800G、1.6T产品放量，CPO产品有望在2026至2027年开始放量，主要应用于超大型云服务商的数通短距场景。

1.2 元件形态：从分立走向集成，COB是高速光引擎主流封装方式

光模块核心功能是实现光电转换。光模块通常由光发射器件（TOSA，含激光器）、光接收器件（ROSA，含光探测器）、电芯片和光（电）接口等部分组成。据ICC讯石数据，TOSA、ROSA和电芯片在TO-CAN光模块中成本占比分别为35%、23%和18%，TOSA和ROSA的技术壁垒在于光芯片和封装技术。

激光器的封装方式主要有TO-CAN封装、BOX封装以及COB封装等。TO-CAN（Transistor outline can）封装壳体常呈圆柱形，成本低廉，工艺简单。因其体积小，难以内置制冷元件，散热困难，不适用于大电流下高功率输出，故而难以用于长距离传输，目前主要用于短距离传输。BOX封装壳体常呈方形，结构及功能较复杂，可内置制冷器、热沉、热敏电阻等，并且可支持内部部件键合引线，壳体面积大，散热好，可以用于各种速率及80km长距离传输，常见的蝶形封装是BOX封装的一种。COB(Chip On Board)封装即板上芯片封装，其核心革新是将裸芯片（包括光芯片、TIA驱动芯片、DSP芯片等）直接键合在PCB表面，同时将光学透镜、隔离器、无源器件等组件直接集成在PCB的预设腔体与焊盘上，取消了芯片独立封装、中间连接器、柔性电路板等冗余结构，可以做到小/轻型化、低成本，PCB成为光模块封装架构的核心主体。

数据中心光模块应用环境相对温和，目前多采用COB封装技术。光模块根据应用场景可大致分为电信级和以太网光模块（以数据中心应用为主）。电信级光模块应用环境相对恶劣，更换维护困难，对可靠性保障的高要求；以太网光模块相对环境温和，维护便利，对可靠性要求相对较低。目前，电信级光模块多采用气密性的TO-CAN或蝶形封装技术；数据中心光模块多采用非气密性COB封装技术。

1.3 封装形态：传统可插拔优化多通道低功耗设计，CPO重构长期光互联价值格局

光模块整体演变核心趋势围绕带宽提升持续推进封装扩容、架构集成和接口高密度化，解决高速场景下功耗、散热、布线、传输距离等问题。光模块封装形态从早期单通道SFP系列、四通道QSFP系列逐步发展为八通道QSFP-DD与散热能力更强的OSFP。设计逻辑由追求小型化转变为优先保障高功耗散热；光电集成架构不断简化降耗，传统内置DSP的标准模块衍生出去除模块DSP、功耗更低的LPO线性驱动方案，远期还将向CPO光电共封装演进，缩短光电芯片互连距离，减少信号损耗；XPO（超高密度可插拔光学器件）是一种全新方案，保留可插拔优势的同时，实现了逼近甚至超越CPO的性能。光纤接口出现明显分化，长距波分模块稳定使用LC单芯接口，短距并行光模块随通道数增加从LC逐步切换为MPO多芯高密度连接器，提升机房布线密度；传输技术双线并行发展，机房内网依靠IMDD多通道并行光实现低成本部署，跨城互联依靠相干ZR模块满足超长距传输需求，搭配PAM4调制持续拉高单通道速率，实现带宽不断翻倍。

DSP在光模块中功耗和成本较高，摒弃DSP是光模块的迭代方向。据新华三数据，高带宽可插拔光模块功耗快速提升，1.6T光模块功耗可达30W以上，Semianalysis数据显示，800G SR8收发器中DSP占模块总功耗的近50%。全重定时光模块FRO（Fully retimed optics）收发两端均内置DSP，依靠模块内部完成信号重定时、均衡与前向纠错，DSP带来更高功耗与延迟，SerDes链路损耗和功耗较高，分别可达22dB和25W/模块；半线性接收光模块LRO（Linear receive optics）仅在发射端保留DSP做信号整形，接收端取消重定时电路，将时钟恢复、均衡工作交由交换机ASIC承担，功耗相比FRO明显下降；纯线性可插拔光模块LPO（Linear pluggable optics）试图完全摒弃DSP，让交换机的SerDes直接驱动收发器中的发射和接收光学元件，功耗降幅最大，不过对主机ASIC的模拟前端与均衡能力要求极高；而共封装光学CPO（Co-packaged optics）跳出可插拔形态，将光引擎与交换ASIC集成在同一基板，大幅缩短高速电信号走线长度、降低SerDes信号损耗，极致优化单位比特功耗与延迟，SerDes损耗可低至1-4dB，主要适配GPU互联等超短距超高密度场景。

头部厂商已在关键场景导入LPO技术，CPO处于验证和规划阶段。据ZTE数据，LPO已在头部云厂商和芯片企业的数据中心内部互联及AI训练集群中实现批量部署，提升了能效与成本效益，比如阿里云于2024年在其基础设施网络中规模部署LPO，主要用于数据中心内部互联。而CPO技术尚处于实验室验证与规划阶段，Meta已完成基于博通方案的51.2T交换机可靠性验证，Google、Microsoft等云商计划于2026至2028年逐步规模化部署，国内则以试点探索为主。

光模块架构迭代核心趋势为持续缩短ASIC与光芯片（PIC）/电芯片（EIC）互连距离以降低信道损耗和功耗。行业已形成可插拔、OBO（On Board Optics，板载光学）、NPO（Near Package Optics，近封装光学）、CPO迭代技术路线；可插拔方案将光模块置于交换机 PCB边缘，ASIC与光引擎间长距离主板走线导致显著损耗；OBO把PIC/EIC直接贴装于ASIC周边同一块主板，缩短板级互连走线实现功耗优化；NPO将光引擎与ASIC封装在同一个基板上；CPO作为光电集成高阶方案，将光引擎与ASIC直接封装在同一个中介层（Interposer）上，光引擎和ASIC通过中介层上的微凸块或硅通孔直接互联，相较NPO进一步压缩互连长度、减少损耗，在功耗、时延、集成密度层面具备最优理论性能。激光是最常见的故障点之一，如今大多数CPO方案采用可插拔的外部激光源（ELS），以提升可维护性和可更换性。光模块架构将依据性能、运维与成本需求共存。

在Scale-Up场景中以光互连替代铜缆，为CPO创造了落地契机。现阶段光器件尚无法实现芯片级集成，但长期行业将实现片上光学；目前CPO仍存在诸多技术与产业难题：CPO将光器件与交换芯片同板集成，而光器件故障率高于电子器件，故障处理成本较高；产业生态与行业标准尚未完善，技术资源高度集中于博通、英伟达两家厂商，不像可插拔光模块拥有多元化供应商体系，进一步加剧产业资源垄断；CPO工艺复杂，现阶段量产良率偏低，成本偏高。为匹配数据中心持续增长的高速I/O与超大带宽需求，CPO仍是行业转型的重要途径。

1.4 竞争格局：技术代差和客户结构推动企业盈利能力分化

利润集中于头部光模块厂商，关键在于技术优势和海外客户导入。头部光模块厂商净利润在通信网络设备及器件板块占比较高，2025年中际旭创和新易盛两家光模块厂商分别占据通信网络设备及器件（SW）板块净利润总和的35.27%和29.09%，合计占比超64%。这种利润集中的现象原因有：1）技术优势：中际旭创和新易盛高速光模块业务收入占公司总收入的80%以上，在先进技术领域保持领先，中际旭创硅光产品良率较高。据第一财经，按收入计，中际旭创2025年成为全球最大的硅光光模块供应商，截至2026Q1，硅光产品在其高速系列中的收入占比约70%。新易盛2018年对Alpine追加投资并在董事会中派驻代表，能够对Alpine公司施加重大影响，利于完善公司“光器件芯片制造-光器件芯片封装-光模块制造”的全产业链路，2019年起毛利率大幅增加；2）海外客户：中际旭创和新易盛海外收入占比较高，2025年均在90%以上，海外客户更为重视交付的稳定性，价格敏感度较低，相应的海外市场毛利率较高，推动具有海外市场优势的光模块厂商盈利能力显著提升。

技术演进推动利润重分配，增量利润优先向上游光芯片等接近性能瓶颈的环节迁移。随着光模块速率提升和硅光快速渗透，利润将向上游光芯片、CW光源及相关高精密封装能力迁移，光芯片是光模块的核心器件，其价值占比随速率提升而显著放大，光芯片作为性能瓶颈，其紧缺程度决定了利润分配。尤其是在200G EML、高功率CW激光器等高端光芯片领域，由于技术壁垒高、产能扩张慢，供需缺口或持续存在，价格持续上涨，这促使拥有自研光芯片能力或能够稳定获取光芯片的厂商在产业链中获取更高的利润分配；DSP芯片和隔离器核心部件（如旋光片、偏振片）等也因供应紧张而价格上涨，利润或逐渐向这些环节集中。

2. 光芯片：硅光和CPO推动高功率CW激光器需求和探测器集成化

2.1 激光器芯片：硅光渗透率提升推动CW需求，高端光模块中激光器价值量抬升

激光器是光收发模块的核心器件，光芯片按功能可以分为激光器芯片和探测器芯片。其中激光器芯片主要用于发射信号，将电信号转化为光信号，探测器芯片主要用于接收信号，将光信号转化为电信号。激光器芯片，按出光结构可进一步分为面发射芯片和边发射芯片，面发射芯片包括VCSEL芯片，多为GaAs材料体系，边发射芯片包括FP、DFB和EML芯片，多为InP材料体系；探测器芯片，主要有PIN和APD等。

数据中心激光器芯片与电信激光器芯片市场呈现差异化技术格局。数据中心激光器芯片市场形成EML与CW激光器芯片双轮驱动的技术路线：EML激光器芯片作为成熟方案，广泛应用于400G及以上光互连产品。近年来，具备高集成、低成本优势的硅光方案成为高速迭代主流方向，需要配套大功率CW激光器芯片；电信领域则以边发射激光器芯片为主流，核心原因是其可满足严苛的传输性能指标。其中，DFB 激光器芯片大量用于 5G 前传、光纤接入等中短距离传输场景；而 EML 激光器芯片凭借低啁啾、高消光比的特性规避色散损耗，在骨干网、高速光纤接入等长距离、高速率传输节点占据主导地位。

短距数通光模块主要采用VCSEL激光器芯片，中长距以EML为主。器件通过向半导体材料注入电流，依靠谐振腔内光子振荡与光增益效应生成激光，其选型与光模块传输距离强相关，市面上主流激光器类型包含 VCSEL、FP、DFB、DML和EML等，部分厂商正在探索Micro LED用于光模块。在当前数据中心可插拔光模块市场中，100m以内的400G/800G短距多模光路主要采用VCSEL（垂直腔面发射激光器），VCSEL成本和功耗较低，但是传输距离较短；中距单模400G/800G/1.6T光路主要采用EML和CW硅光方案；10km以上距离的通信主要采用EML和DFB-MZ方案。

激光器按照调制技术可分为DML（直接调制激光）和EML（外调制激光）两类。DML直接控制通过激光器的电流来发出不同强度的光，DML常见的种类主要为VCSEL和DFB；EML以恒定电流通过激光器，光信号的强度变化通过外调制器实现，EML使激光器可保持稳定发光状态，从而提高了输出信号的质量，EML芯片通常由DFB激光芯片和EAM（电吸收调制器）构成。EML调制技术一般用于速率10Gbps以上、长距离40KM及以上的光模块。EML激光器中调制器所用材料通常为磷化铟，随着光模块速率逐渐提升，薄膜铌酸锂（TFLN）得益于其高带宽优势而逐渐受到关注。

硅光（SiPh）采用“激光器与调制器分离”的架构，利用硅基半导体制造工艺，在硅晶圆上集成并制造PIC芯片。硅光将原本复杂的光学系统微型化、集成化，功耗和成本较低，硅光芯片本身不发光，它只负责对光进行调制、路由等处理。光源由外部的、独立的连续波（CW）激光器提供。硅光调制器中硅材料本身的物理特性决定了其在超高速率下的调制性能存在瓶颈。硅光方案中常用的马赫-曾德尔调制器（MZM）或微环调制器，在单通道速率达到400G时，其性能、功耗和传输距离都面临挑战，将性能优异的TFLN调制器与成熟的硅光平台进行集成，是解决硅光调制器性能瓶颈的关键途径。

硅光技术现已广泛应用于数据中心光互连市场，尤其在各类高速光互连产品中渗透率持续走高。据LightCounting，2025年，硅光芯片占光芯片出货量比例达32.0%。随着硅光技术不断迭代升级，叠加光互连产品持续向更高传输速率演进，LightCounting预计至2031年，硅光芯片占光芯片出货量比例将提升至42.0%。

光源成本降低显著削减硅光光模块成本。据观研天下数据，若采用EML光源，800G光模块需要8颗100G EML光源，成本近90美元；而采用硅光方案的光源需2颗100mW的CW光源，成本约为30美元，光源成本显著降低。

随着光互连产品传输速率迭代升级，市场对激光器芯片的性能标准与用量需求同步提升，单位光互连产品里激光器芯片的价值占比随之提高。以EML方案为例：400G光模块普遍采用“4 通道×100G”架构，单块光模块搭载4颗100G EML激光器芯片；产品迭代至1.6T规格后，主流配置升级为“8通道×200G”，对应需要8颗200G EML 激光器芯片。而硅光方案下，400G光模块一般仅需2颗50mW或70mW规格的 CW 激光器芯片；1.6T硅光产品则需配备4颗70mW或100mW的CW激光器芯片。

EML激光器芯片与CW激光器芯片占据市场主导份额，行业重要性持续提升。2024年，EML激光器芯片、CW激光器芯片合计市场规模达9.4亿美元，合计市场占比约 38.1%。展望未来，两类产品营收预计维持高速增长，市场占比持续上行；预计2030 年二者合计市场规模将达到208.0亿美元，年复合增长率66.6%，合计市场占比提升至约90.9%。

高端激光器芯片市场供需失衡，绝大多数光互连方案商需外购激光器芯片。以2025年对外销售收入口径统计，Lumentum是全球最大的激光器芯片供应商，市占率约为16.7%，源杰科技在国内企业中排名首位，市占率约为3.1%。适用于400G及以上传输速率的高速率光互连产品激光器芯片，主要包含100G及以上规格的EML激光器芯片，以及输出功率50mW及以上的CW激光器芯片。按2025年对外销售收入统计，Lumentum在高速率激光器芯片市场市占率最高，约为33.0%，源杰科技在国内企业中排名第一，市占率为4.3%。CW激光器芯片主要应用于400G及以上规格的硅光高速率光互连产品。以2025年对外销售收入口径计算，住友电工市占率最高，达到31.7%，源杰科技为全球第二大硅光高速率光互连产品激光器芯片供应商，市场占有率23.6%。

2.2 探测器芯片：高速PD格局集中，硅光和CPO推动分立PD转向集成

探测器芯片主要包括PIN和APD，PIN主要用于中长距离传输，APD用于长距离传输。PIN探测器芯片兼容830-860nm、1100-1600nm多段工作波长，具备噪声小、驱动电压低、成本低廉的优势，但接收灵敏度偏低，主要用于中长距离传输场景；APD探测器芯片工作波长集中在1270-1610nm波段，依靠雪崩倍增效应拥有极高接收灵敏度，不过产品成本更高，专门适配长距离单模光纤传输场景。

全球探测器芯片市场由美日厂商主导。主要企业包括Lumentum、Broadcom、Coherent、住友电工、三菱电机等。国内主要厂商包括深圳芯思杰、长光华芯、光森电子、三安集成、敏芯半导体、武汉敏芯半导体、武汉云岭光电等。锗硅光电探测器是硅光芯片实现光电转换的核心器件。

硅光子学平台上Ge/Si PD适用于高速通信场景。硅光子学平台上PD实现方案主要包括Ge/Si PD、GeSn PD、全硅探测器等。与其他类型的近红外探测器相比，Ge/Si PD在性能、工艺兼容性和成本等方面具有优势。与GeSn PD相比，Ge/Si PD工艺成熟、稳定性好，适用于高速通信场景。

2.3 无源光芯片：需求持续提升，供给集中于美日厂商

无源光芯片不需外部供电，凭借光学结构处理光信号，不进行光电信号的转换。光模块中无源光芯片主要包括光隔离器、阵列波导光栅（AWG）、光分路器、耦合器和光纤阵列单元（FAU）等。

光隔离器：主要用于阻断反射光回流保护激光器，其核心组件法拉第旋片全球产能供给紧缺，主要由日本、美国企业主导供应。据本数咨询数据，Coherent占据全球光隔离器60%的市场份额，其次是日本住友，份额约为25%，格局高度集中。

AWG：可将多个波长的光复合到单一的光纤中，提高光纤网络的传播效率，与其它FBG、TTF等波分产品相比具有集成度高、通道数目多、插入损耗小、易于批量自动化生产等优点。全球AWG阵列波导光栅市场持续扩大，据智研咨询数据，2026-2035年全球AWG阵列波导光栅市场规模将由15.5亿美元增长至39.6亿美元，期间CAGR约11.0%。从AWG芯片产品结构拆分来看，100G AWG芯片当前仍是市场主流品类，200G AWG芯片伴随算力升级、高速数据中心互联建设实现快速放量。中国高性能AWG量产能力持续抬升。

FAU：核心功能是将光纤精确定位并固定，使之与光引擎的耦合端口对齐，减少光信号损失。据光纤在线预测，2026年数据中心光互联用FAU需求约为1.6亿只（包括可插拔光模块用FA-MT、CPO用FA-MT及保偏FAU），2027年总需求量将环比增长超80%；目前市场总供应能力约1.7亿只/年；根据对需求增长趋势的预测，市场供应能力还需提高。据QYResearch数据，2024年FAU市场规模近1亿美元，2029年规模增长至1.3亿美元，其中用在硅光集成方案的FAU占比约为15%。

3. 电芯片：趋于集成，技术演进推动价值量分化

CPO架构推动电信号处理功能集成化，压缩独立电芯片需求，和系统级芯片厂商合作能力或成电芯片厂商发展的关键。CPO架构通过缩短电信号路径，将直接消除或压缩对高功耗独立DSP芯片的需求，其功能或被集成到系统ASIC或与Driver合封，这使得独立DSP制造商面临需求缩减问题。短期内Driver和TIA的线性度等性能需求和价值量或因DSP取消而提升，长期来看，电芯片市场格局将发生根本性重塑，客户结构或从光模块厂商转向芯片厂商，导致只有能深度绑定系统级芯片厂商或在开放生态中提供差异化价值的电芯片厂商才能持续发展，而缺乏集成能力及合作关系的厂商市场空间或被大幅压缩。

3.1 DSP：电信号转换为光信号的核心，高速产品海外企业主导

DSP（数字信号处理器）负责将电信号转换为光信号，包括高速信号的编解码、均衡与纠错，直接决定了光传输的速率、功耗与稳定性。据CAICT数据，全球光模块电芯片市场由ADI和TI等海外企业主导，25G及以下DSP产品国产化率达60%，50G及以上高速产品海外企业技术领先和生态绑定导致格局集中，博通、Marvell双寡头合计拿下90%以上的高端PAM4 DSP市场份额，各厂商之间的竞争差异体现在芯片性能、功耗效率及系统集成能力三个维度，紫光展锐、壁仞科技、光迅科技等中国企业正加快高速电芯片研发布局，但DSP价值量和功耗较高，降功耗需求或推动DSP取消。

全球DSP市场快速扩大。随着数据中心建设推动高速光模块放量，并向1.6T演进，PAM4 DSP需求持续增长。据DataIntelo数据，全球PAM4 DSP整体市场规模将于2034年增长至148亿美元（包括电信、汽车和工业等多个应用场景）。

3.2 Driver：铌酸锂调制器驱动芯片占比高，硅光调制器驱动芯片占比快速提升

Driver（驱动器）负责把DSP输出的小幅高速电信号放大，驱动激光器或调制器工作。光调制器驱动芯片可为光通信系统中的电光调制器提供高精度、高带宽高压电驱动信号。据DataIntelo数据，2025年全球光调制器驱动芯片市场规模达18亿美元，随着互联网流量与云计算算力需求呈指数级增长、全球5G基建部署提速、大型云厂商数据中心加速向 400G/800G 光互连升级，同时1.6T新一代光互联标准逐步落地，预计2034年将增至42亿美元，2026至2034年内CAGR为9.8%。硅光集成平台推动CPO技术落地，调制器驱动芯片可与光引擎直接集成在交换机专用ASIC芯片上。

2025年铌酸锂调制器驱动芯片占比高，硅光调制器驱动芯片占比快速提升。光调制器驱动芯片市场可分为铌酸锂（LiNbO3）调制器驱动芯片、硅光调制器驱动芯片、InP调制器驱动芯片及其他品类。据DataIntelo数据，2025年铌酸锂调制器驱动芯片市场份额最高，占比约38.4%，对应市场规模约6.91亿美元，硅光、磷化铟方案不断抢占中短距场景市场份额，DataIntelo预计2026-2034年铌酸锂调制器驱动芯片细分赛道CAGR约7.8%，略低于行业整体均值；据DataIntelo数据，2025年硅光调制器驱动芯片市场份额约29.7%，2031年其整体市场份额将超过铌酸锂驱动芯片；2025年磷化铟调制器驱动芯片占比约22.5%；2025年TFLN、聚合物等新型品类调制器配套驱动芯片合计占比约9.4%，预计随着TFLN等方案的推进将迎来高速增长。

3.3 TIA：2.5D封装是高速TIA技术趋势，供给端以Marvell等海外企业为主

TIA（跨阻放大器）光探测器接收的光信号转换为电信号，2.5D封装是200G TIA技术趋势。TIA实现了光子到电子的数据转换，同时为光数字信号处理器提供信号放大，过滤噪声并保持信号完整性的作用。当前TIA技术面临转折点，现有100G/Lane TIA多采用引线键合技术，但传统技术已无法满足200G/Lane的需求，Marvell创新性地采用混合架构：在射频连接部分使用倒装芯片提升性能，其他部分保留引线键合以控制成本，这种2.5D封装技术在降低成本的同时提高了良率、串扰性能和信号完整性，逐渐成为200G TIA的主流参考方案。

电信行业高速数据传输需求和数据中心扩张推动TIA芯片市场强劲增长。据DiReports数据，2024年TIA市场规模约为5.27亿美元，预计2030年达到6.30亿美元，CAGR为3.0%，市场将保持稳定上升态势。通信行业高速数据传输需求、数据中心持续扩张带来的高端光通信器件需求，是拉动TIA芯片需求的核心驱动力。随着两大行业持续大规模投入网络与算力基础设施升级，对高性能、高效率TIA芯片需求将持续提升。

全球市场仍以低速产品为主，供给端由Marvell等海外企业主导。据Business Research Insight数据，全球TIA需求市场中1.25-10Gbps产品仍占比较高，约为56%。据DiReports数据，Marvell在TIA市场上占据主导地位，市场份额约为25%，其次是Analog Devices，市场份额约为18%。

4.  PCB：加速从传统高多层板向mSAP工艺板过渡

高端产品驱动PCB市场稳健增长。据胜宏科技数据，2024年全球PCB市场规模约为750亿美元，预计2029年将增长至930亿美元以上。在整体稳健增长背景下，行业增长主要由高端产品驱动，其中HDI、IC载板及高速高频PCB增速显著高于行业平均水平，成为推动行业结构升级的核心方向。整体来看，PCB行业逐步转向以AI算力为核心的结构性成长阶段。按PCB产品划分：2024年，以销售收入计，全球单双层PCB、多层PCB、HDI PCB、FPC及封装基板的市场规模分別为79亿美元、286亿美元、128亿美元、128亿美元及129亿美元。未来，随着人工智能、5G通信及物联网等新兴技术的快速兴起，全球PCB市场规模将持续扩张。预计至2029年，全球单双层PCB、多层PCB、HDI PCB、FPC及封装基板的销售收入將分別达90亿美元、345亿美元、169亿 美元、155亿美元及178亿美元。按PCB应用领域划分：2024年全球PCB市场在人工智能及高性能计算、网络通信、消费电子和汽车电子应用领域分别达到60亿美元、95亿美元、367亿美元及94亿美元。据胜宏科技数据，随着服务器、数据中心等云基础设施的需求持续扩大，PCB产品在人工智能及高性能计算领域用量将明显增加，2029年将达到150亿美元。

光模块PCB市场规模持续扩大，加速从传统高多层板向mSAP工艺板过渡。据LP Information数据，2025年全球800G光模块PCB市场规模大约为12亿美元，预计2032年超20亿美元，2026-2032期间CAGR为8%，全球市场800G光模块PCB主要企业包括欣兴电子、生益电子等。光模块逐渐从800G向1.6T以上升级，传统高多层PTH设计已难以满足对PCB精度与损耗的需求，mSAP（改良半加成法）工艺能够在极小尺寸内实现更高密度线路布局，减小产品体积并削弱高速信号插入损耗，是支撑下一代高速光模块信号完整性的关键技术路线，具备mSAP工艺量产能力与头部客户认证的厂商有望迎来订单放量与产品结构优化的双重驱动。

5. 投资建议和估值表

5.1 投资建议

1）关注超高速光模块需求驱动市场规模提升：AI算力需求推动全球光模块市场高景气，800G光模块2025年需求达新高，CPO产品预计2026-2027年放量，关注光模块厂商技术导入与市场份额提升；

2）关注技术升级与集成化趋势：COB封装、LPO/NPO/CPO等技术方案持续迭代，硅光、薄膜铌酸锂调制器驱动芯片等新技术渗透率或快速提升，产业链升级有望带来结构性机会；

3）关注高端PCB与核心器件：mSAP工艺加速落地、HDI/高速高频PCB需求增长，具备高端产能与认证的厂商有望订单放量，关注光芯片、探测器芯片、驱动器等关键原材料供给能力。

5.2 估值表

           风险提示

1）技术路径误判风险：光模块技术含量较高，技术升级速度较快，如果相关企业CPO等核心技术不能及时升级，或误判技术发展方向，将会对盈利能力造成不利影响。

2）下游需求不及预期风险：数据中心通信领域是光模块需求的主要增长点，若数据中心建设不及预期，则会对硅光芯片和光模块等需求和相关企业收入水平产生负面影响。

3）国际贸易摩擦风险：部分光模块产品主要原料仍由海外厂商主导，海外是光模块企业重要市场，若国际贸易摩擦加剧，或导致光模块关键原材料的采购难度增加，产品需求减少，影响相关企业的盈利能力。

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文章来源

本文节选自：2026年8月28日发布《光模块行业深度报告：集成度逐步提升重构光模块价值链》

分析师    朱攀

执业证书编号    S0820525070001

如需全文，请联系爱建新能源团队或对口销售。