拓荆科技精彩亮相CSEAC 2026

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8月31日?9月2日，第十四届半导体设备与核心部件及材料展（CSEAC）于无锡隆重举办。拓荆科技（688072）携多款先进半导体设备亮相展会，与行业客户、产业链伙伴齐聚一堂，共同探索国产半导体装备的技术突破与协同发展新机遇。

人气展台，链接产业上下游

拓荆科技展台现场访客络绎不绝，交流氛围浓厚。展会现场正式首发2026年度全新品牌宣传片，全方位展现了拓荆的自研初心与产业发展。

专家分享与探讨，聚焦产业技术方向

本次展会，拓荆科技带来了两场分论坛的演讲，在先进键合技术、制程及设备专题研讨会上，拓荆科技 3D IC 事业部总经理郭万里先生带来《深度解析混合键合精度》主题分享。报告从 Alignment Error、Scaling、Residual 三大误差项切入，系统分析其来源、改善方法及W2W与D2W之间的差异，并介绍了拓荆科技在混合键合领域的产品布局与技术方向。

拓荆科技 ALD 事业部总经理刘武平先生在薄膜沉积技术、制程及设备专题研讨会上带来《超保形性介电材料原子层沉积工艺 - 助力国产三维芯片技术开发和应用》的精彩演讲。报告指出，硅基介电材料因优异的物理化学稳定及易加工性，被广泛应用于芯片制造的核心过程中，拓荆的硅基介电材料原子层沉积技术，通过引入多种反应能量激活源方式，以及独创的表、界面处理等工艺，实现高深宽比结构中多种硅基介电材料的超保形性沉积。

现场技术报告，输出专业技术干货

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展会期间，拓荆科技在展台设置多场技术报告。行业技术专家针对PECVD、ALD、Gap-fill、三维集成等热门议题，持续输出专业干货，结合真实量产技术做出了细致讲解，到场专业观众反响热烈，成为展会中极具人气的技术交流展位。