【诚邀英才】加入 A*STAR IME，共同推动 SiC/GaN 功率半导体技术创新

新加坡科技研究局（A*STAR）微电子研究所（Institute of Microelectronics, IME）功率半导体团队现面向全球招募优秀人才，诚邀具有半导体、微电子、材料、电子工程、物理、化学及相关专业背景的工程师加入我们，共同推动 SiC/GaN 宽禁带功率半导体技术创新与产业化。

IME 已建成并运行 8 英寸（200 mm）SiC 工业级开放研发平台，并成功完成高性能 SiC 功率半导体器件的研发与制造。依托先进的晶圆制造设施、完善的研发体系以及与产业界的紧密合作，我们持续推进 SiC、GaN 等宽禁带半导体技术从器件设计、工艺开发到晶圆级制造及产业化验证。

招聘岗位

SiC/GaN 工艺集成工程师（Process Integration Engineer, PIE）

SiC/GaN 相关工艺工程师（Process Engineer, PE）

主要研究与工作方向

SiC/GaN 功率器件全流程工艺设计与集成

关键半导体工艺模块开发、优化与验证

器件性能优化、工艺窗口拓展及良率提升

新型功率器件结构与先进制造工艺研发

与器件设计、工艺、设备及产业合作伙伴协同推进技术研发与产业化

岗位要求

本科及以上学历

半导体、微电子、材料、电子工程、物理、化学或相关专业背景

具有半导体工艺、器件、材料或晶圆制造相关经验者优先

对 SiC/GaN 宽禁带半导体及功率电子技术具有浓厚兴趣

欢迎有意在新加坡长期发展的优秀应届毕业生及产业界工程师申请

在这里，你将有机会参与 8 英寸 SiC 技术平台及下一代功率半导体技术的完整研发与产业化过程，与来自全球的科研人员、工程师及产业合作伙伴共同解决先进功率器件制造中的关键技术挑战。

如果你希望从事真正面向产业前沿的 SiC/GaN 技术研发，参与从材料、工艺、器件到晶圆级制造平台的完整技术链条，欢迎加入 A*STAR IME 功率半导体团队！

申请方式

请将个人简历及相关材料发送至：Gong_Xiao@ime.a-star.edu.sg

邮件主题请注明：【功率器件应聘】+ 技术方向 + 姓名

年度盛会：第十二届国际第三代半导体论坛&第二十三届中国国际半导体照明论坛（IFWS&SSLCHINA 2026）将于2026年11月16-19日在苏州召开。论坛作为汇聚政、产、学、研、用、资全链条优质资源，融通全球资源的国际化交流合作平台，将为行业创新与跨界融合寻找新的动力源泉，发掘第三代半导体产业发展的新引擎、新动能。论坛论文集被IEEE等多家学术机构收录，影响力覆盖全球产业界与学术界。