据士兰微官微，士兰微电子基于自主研发的RC Ⅲ工艺RC-IGBT芯片技术推出600A/1700V半桥模块SRM600HF17B4TFD，具有高电流密度、低开关损耗、高短路能力，适用于风力变流器、
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士兰微电子推出600A/1700V RC-IGBT半桥模块SRM600HF17B4TFD，面向风电变流器等应用
本快讯由采编团队根据以下原文改写
新品发布丨士兰微电子推出600A/1700V半桥模块风电变流器功率模块SRM600HF17B4TFD
据士兰微电子，公司基于自主研发RC Ⅲ工艺RC-IGBT芯片技术推出600A/1700V半桥模块SRM600HF17B4TFD，具备高电流密度、低开关损耗与高短路能力，面向风电变流器、电机传动、光伏逆变器及储能等应用。（AI摘要）
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