长鑫与长江存储从“分工”走向“部分重叠”

据路透社9月18日援引三位知情人士报道，中国DRAM龙头长鑫存储（长鑫科技，688825.SH）正准备进入NAND闪存市场。报道称，长鑫计划在其北京新工厂建设一条NAND闪存研发生产线，并已在北京设立研究院，相关项目包含NAND技术开发。此外，长鑫已就NAND业务规划与客户展开接洽，其中一家新成立的初创企业拟采购其NAND芯片，用于AI系统与超级计算机的存储产品。

过去十年，国产存储是清晰的“DRAM看长鑫、NAND看长存”双星格局。随着长鑫与长江存储从“分工”走向“部分重叠”，虽短期不构成实质竞争，但中期看，双方或形成正面竞争。

长鑫进军NAND闪存市场，需要强调的是三个“尚未”：研发线何时运转尚未明确，是否从试产走向大规模商业化制造尚无定论，长鑫及北京市相关部门均未予回应。这意味着，当前阶段更应将其视作战略方向的试探性落子，而非即将改变供需曲线的即期产能。一般而言，研发试验线到规模量产通常需2—3年，且良率爬坡是硬约束。

据悉，海外巨头三星、SK海力士、美光2026年资本开支创历史新高，但主要投向DRAM、HBM与企业级SSD，通用NAND新增产能被大幅压缩。受AI服务器需求拉动，2026年二季度NAND合约价环比上涨约55%。

事实上，进军NAND闪存市场有利于增强长鑫存储抗周期能力。具备DRAM与NAND双线能力的三星是唯一的全能型原厂，其抗周期能力已被反复验证。

长鑫入局NAND闪存市场，设备材料的国产化叙事或被再度放大。相关公司包括北方华创、$中微公司(sh688012)$、$沪硅产业(sh688126)$、江丰电子等。