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承明光电持有《一种InP基半导体激光器的制作方法》发明专利,专利是InP脊波导激光器的外延与刻蚀工艺方案,属于InP激光器芯片制造工艺,CPO共封装光学架构正好需要磷化铟基CW连续激光器作为外置光源,从材料、器件原理上,该专利的工艺路线理论上可以用于制备CPO所需的InP激光器芯片?请问是否准确?

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