CNBC关注长鑫技术突破

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10月14日消息，CNBC发文，关注了长鑫存储取得的技术突破。

CNBC称，长鑫存储是全球存储芯片制造商的主要竞争对手，目前的行业巨头包括美光、SK海力士和三星。

在上周末，长鑫存储宣布其新型架构研发取得进展。该架构能够在更小的空间内存储更多数据，从而提高存储密度。

周二，美光股价下跌3.62%。韩国SK海力士股价收跌10%，三星电子下跌7.4%。其他存储芯片相关股票也纷纷走低，包括闪迪、希捷和西部数据。

CNBC称，在今年夏季轰动一时的IPO之前，长鑫存储在中国市场以外鲜为人知。但在今年7月上市后，迅速引起全球关注。该公司在上海科创板上市首日股价飙升近466%，一度成为当时中国上市公司中市值最高的企业。

CNBC指出，长鑫存储上市后，市场最关注的问题之一是，该公司能否缩小与美光、三星和SK海力士之间的技术差距，尤其是在高带宽内存(HBM)领域，这是AI芯片系统的关键组成部分。

据国内媒体报道，长鑫存储总裁曹堪宇在10月10日的第四届集成芯片和芯粒大会上透露了一项新的DRAM技术进展。曹堪宇介绍了名为4F2的DRAM架构，并表示长鑫存储预计将在年底推出采用这项技术的新一代DDR5 RDIMM产品。

曹堪宇表示，该架构在DRAM存储阵列晶体管上进行了创新，VSG(Vertical Surrounded Gate)晶体管采用垂直包围沟道结构，以实现更强栅控，解决漏电与短沟道效应痛点，竖立的晶体管有助于面积微缩，提升存储密度。

CNBC称，新架构设计基于“4F2”技术，可实现更高的存储密度。SK海力士也在推进4F2设计，并于2025年公布了开发该技术的路线图。

分析师通常认为，长鑫存储在最前沿的存储技术研发方面落后于全球竞争对手。因此，任何有关其取得技术突破的消息，都可能显著影响投资者对其全球竞争对手市场优势的看法。

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