为什么选择氮化镓(GaN)?
到2031年,GaN功率半导体市场规模预计将达到约35亿欧元,是2025年的6倍。
英飞凌将在欧洲建设全球首座基于300毫米晶圆的氮化镓功率半导体大规模生产设施
新闻稿
2026年10月27日
向菲拉赫生产基地投资约11亿欧元,将其打造为全球功率半导体技术能力中心。
生产最新一代半导体,以满足对高能效芯片不断增长的需求,应用领域包括人工智能数据中心、能源基础设施、电动汽车和机器人。
产能爬坡将根据市场需求推进。
根据《欧洲芯片法案》,获得3.19亿欧元的资助,以加强欧洲的技术主权。
德国慕尼黑/奥地利维也纳——2026年10月27日——英飞凌科技股份公司(Infineon Technologies AG)正在建设全球首座采用300毫米晶圆生产最新一代氮化镓(GaN)功率半导体的大规模生产设施。
作为该项目的一部分,英飞凌将在2034年之前向菲拉赫(Villach)生产基地现有的洁净室空间投资约11亿欧元。同时利用现有基础设施和经过现代化改造的基础设施,使制造产能能够以特别高效且具有成本效益的方式扩张。计划于2027年底开始生产。通过这项投资,英飞凌旨在满足市场对高性能电源解决方案快速增长的需求。氮化镓能够显著提高众多应用领域的能源效率,包括人工智能数据中心、能源基础设施、电动汽车、机器人和消费电子产品。
英飞凌在氮化镓功率电子领域处于领先地位。两年前,英飞凌成功完成了全球首批300毫米氮化镓晶圆的工艺加工,树立了一个技术里程碑。与200毫米晶圆相比,在300毫米晶圆上生产芯片更加先进,效率也显著提高,因为更大的晶圆直径使每片晶圆能够生产的芯片数量达到原来的2.3倍。通过今天宣布的投资,英飞凌正在将这一技术转化为全球首个面向客户供货的大规模生产设施。
英飞凌科技股份公司首席执行官Jochen Hanebeck表示:“这项重大投资明确体现了我们致力于加强欧洲半导体生态系统和欧洲技术主权的承诺。通过建设300毫米晶圆大规模生产设施,我们将成为全球首家把氮化镓功率电子技术引入规模化生产的企业。由此,我们为氮化镓在人工智能、能源基础设施、电动汽车和机器人等众多关键应用领域的广泛使用铺平了道路。这座全新且高度现代化的制造设施,将把我们的创新领先优势转化为客户能够直接获得的价值。”
奥地利共和国总理Christian Stocker表示:
“随着英飞凌实施这项数十亿欧元规模的投资,我们正在见证奥地利高科技产业历史上规模最大的单项投资之一。这不仅是对我们经济区位的有力承诺,也确保半导体产业的未来不仅由亚洲或美洲决定,也将在奥地利和欧洲决定。由此,菲拉赫将建立一座全球独一无二的生产设施,生产未来最关键的核心技术之一。这将增强我们的国际竞争力,并保障奥地利本土的就业岗位和价值创造。因为奥地利虽然不是一个拥有无限自然资源的国家,却是一个拥有无限人才的国家。我们的顶尖研究树立了国际标准,而英飞凌这样的企业每天都在展示‘奥地利制造的创新’是如何实现的。我们希望通过产业战略,在这些优势的基础上继续发展,争取到2035年重新跻身全球十大领先工业国家之列。”
奥地利共和国经济部长Wolfgang Hattmannsdorfer表示:
“芯片对于未来经济的重要性,就如同石油对于过去经济的重要性。目前,欧洲仅占全球芯片产量的约10%。因此,对我来说很明确:我们也必须在欧洲生产这项关键技术。奥地利已经在高能效芯片领域处于领先地位。按照人口规模衡量,我们在半导体领域的企业研发支出位居欧盟第一。我们希望通过产业战略进一步扩大这一优势,不仅研究新技术,还要以工业规模生产这些技术。整个经济体系都将从中受益:按照计算,芯片产业每创造一个就业岗位,就可能在经济体系的其他领域带来另外六个就业岗位。因此,我们希望为英飞凌的新芯片生产项目提供最高3.19亿欧元的支持,并对生产基地设置明确的资助条件。通过这种方式,我们确保公共资金能够长期加强奥地利的价值创造和就业。”
这项针对全球新型未来技术的投资,将根据《欧洲芯片法案》(European Chips Act)获得资助。欧盟委员会已批准总额为3.19亿欧元的国家援助资金。预计奥地利联邦经济、能源和旅游部将在规定期限内正式作出资助承诺。通过联邦经济、能源和旅游部批准相关资助,欧盟委员会不仅能够推动欧洲制造产能扩张,还能够在相关领域产生积极影响,例如通过与大学和研究机构开展跨境合作,或者改善初创企业以及中小型企业获取创新技术和产品的机会。
英飞凌科技奥地利股份公司(Infineon Technologies Austria AG)首席执行官Sabine Herlitschka强调:
“竞争力和技术主权产生于卓越研究转化为工业价值创造的地方。这正是我们这一标志性项目的着力点:我们从奥地利出发,将创新转化为工业应用,加强我们的技术领先地位,并保障高技能就业岗位。微电子是一个对经济和社会具有巨大带动作用的关键产业。整个奥地利半导体生态系统都将从中受益,从研究机构和大学到工业合作伙伴。通过这种方式,我们将持续增强欧洲在微电子领域的竞争力和战略自主权。”
这项投资将进一步加强菲拉赫作为全球功率电子和新型半导体材料技术能力中心的地位。目前,英飞凌奥地利公司拥有约5800名员工,其中约4800人在菲拉赫生产基地工作[1]。英飞凌与大学、研究机构、初创企业和工业合作伙伴共同构成了奥地利南部一个具有国际影响力的微电子生态系统的核心。通过建设新的300毫米GaN制造设施,还将与同样位于菲拉赫的功率电子研发活动产生积极的协同效应。
氮化镓是一种现代半导体材料,能够以明显更高的效率进行电流开关和电能转换。因此,可以制造出体积更小、性能更强、能源效率更高的电子系统,同时降低能源损耗和发热量。
分析师预计,到2031年,GaN功率半导体市场规模将达到约35亿美元,2025年至2031年期间的年增长率约为35%。
2025财年,统计截止日期为2025年9月30日。
Yole Group:《Power GaN 2026》报告。
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