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资讯 作为全球功率系统与物联网半导体龙头，英飞凌科技股份公司近日宣布，已于奥地利菲拉赫工厂成功完成 300 mm（12 英寸）碳化硅晶圆流片，并制备出可正常工作的功能性功率器件。这也是全球首家在标准化大规模晶圆制造环境下达成该突破的企业，标志着碳化硅正式迈向大尺寸晶圆工业化制造新阶段。英飞凌将在11月10日于慕尼黑启幕的 electronica 展会上，对外公开展示这片完成全流程加工的首枚 300 mm 碳化硅晶圆。
300 mm碳化硅晶圆：相较于200 mm晶圆，300 mm晶圆的单片晶圆芯片产出数量可达前者的2.3倍。
不同于实验室样品验证，本次器件制造充分复用成熟硅产线设备，大幅降低新增产线投入门槛，为后续规模化导入奠定工艺基础。对比当前主流的 200 mm 碳化硅产线，300 mm 大直径晶圆能够显着释放制造红利：单片晶圆可产出芯片数量达到 200 mm 规格的 2.3 倍，生产效率、单位晶圆产出同步提升，长期来看将有力摊薄单颗碳化硅器件制造成本，破解行业长期面临的供给紧张、成本偏高的痛点，为汽车、可再生能源、工业传动与 AI 数据中心等高增长赛道筑牢安全、可持续的碳化硅供货底座。
英飞凌首席执行官 Jochen Hanebeck 表示：“这一技术里程碑进一步巩固了我们在功率半导体领域的领先地位。由衷感谢团队持续攻坚，推动 300 mm 碳化硅技术走出实验室，向着规模化量产稳步前行。保持功率半导体的领跑地位，意味着持续把技术推向新高度。如今，我们手握硅、氮化镓，再加上刚刚实现突破的 300 mm 碳化硅晶圆工艺，在半导体制造规模化、驱动盈利性增长上占据先发优势。”
英飞凌科技首席执行官Jochen Hanebeck手持一片300 mm碳化硅晶圆
英飞凌同时强调，本次成果仅为产业化起点。公司将联合上下游客户与合作伙伴共同敲定 300 mm 碳化硅技术路线与产能爬坡节奏，不会放缓现有 200 mm 碳化硅制造路线推进速度，两条路线并行落地，保障产品供给连续性。
碳化硅是新一代高效电能转换的核心宽禁带材料，凭借低损耗、高功率密度、耐高压、耐高温等突出优势，是能源转型的关键载体，广泛应用于主逆变器、车载充电机、电动汽车充电桩、大型储能电站、工业传动、不间断电源等场景。随着算力基础设施快速扩张，AI 数据中心正在成为碳化硅全新增长曲线，器件应用持续向固态变压器、固态断路器、高端供电单元延伸，而英飞凌成熟的 CoolSiC? 产品矩阵，可覆盖多场景下的高压、高效功率转换需求。
值得关注的是，在推进 300 mm 碳化硅器件工艺之外，英飞凌同步在德国德累斯顿工厂完成了冷切割（Cold Split）工艺在 300 mm 碳化硅晶锭上的可行性验证。相较于传统线锯切割方案，冷切割能够以更低损耗将晶圆从晶锭分离，大幅缩减加工时长，在同等晶锭原料下获得更多合格晶圆，同时压低扩产资本开支。器件工艺突破叠加先进分片技术验证，形成组合优势，支撑英飞凌随市场景气灵活扩充碳化硅产能，响应全球持续走高的宽禁带器件需求。
英飞凌现已掌握全部三种材料的300 mm晶圆技术：硅、碳化硅和氮化镓
依托本次突破，英飞凌成为行业内唯一同时掌握硅、碳化硅、氮化镓三类核心功率半导体材料 300 mm 晶圆制造技术的厂商。就在不久前的 10 月 27 日，英飞凌官宣投入约 11 亿欧元，在菲拉赫打造全球首座面向量产的 300 mm 氮化镓功率半导体基地；此番碳化硅取得关键进展，把大尺寸平台化制造思路拓展至第二种宽禁带材料，进一步夯实其在全球功率半导体创新版图中的引领地位，为整个宽禁带产业开启降本上量的全新周期。
值得关注的是，2026年11月16-19日，第十二届国际第三代半导体论坛暨第二十三届中国国际半导体照明论坛（IFWS&SSLCHINA 2026）将在江苏苏州召开。德国英飞凌企业院士、碳化硅创新及产业化负责人Peter Friedrichs 博士受邀将出席论坛，并带来《碳化硅和氮化镓功率器件对电网转型、AI及物理AI应用供电与保护的影响》的大会报告。
作为全球功率半导体行业的领军企业，英飞凌长期坚持本土化全链条布局，深度贴合中国市场在电动出行、能源基础设施、AI算力等赛道的发展需求，持续推动宽禁带技术与本土场景的深度适配。目前英飞凌的CoolSiC产品线已在新能源汽车主驱逆变器、光伏逆变器、大功率快充等领域实现大规模应用，氮化镓器件的全球市场份额也已攀升至行业第二位，其规划中的12英寸氮化镓产线将于2026年底至2027年初实现量产。
作为英飞凌碳化硅技术布局的核心领军人物，Peter Friedrichs博士长期深耕宽禁带功率器件研发与产业化落地。2011年起正式出任英飞凌SiC技术高级总监，全程参与英飞凌碳化硅技术从实验室走向大规模量产的全周期历程，推动英飞凌SiC器件从650V到1200V全系列产品落地。Peter Friedrichs博士在SiC功率器件和技术领域拥有多项专利，是50多篇科学论文和会议论文的作者或合着者。
本次他带来的主题报告，将紧密贴合当前行业最受关注的供电变革议题，结合英飞凌在SiC与GaN领域的多年技术积累，拆解第三代半导体如何支撑高压电网转型、AI数据中心能效升级以及物理AI场景的供电保护体系搭建。报告将为国内产业界带来全球领先的技术视角与实践经验，为本土产业链协同创新、加速宽禁带技术在核心场景的落地提供重要参考。敬请关注！
附：IFWS&SSLCHINA 2026 信息
论坛信息
作为国内第三代半导体领域历史最久、规格最高、覆盖最广的全球性行业年度盛会，活动累计邀约百余位海内外院士、多位诺贝尔奖得主亲临分享，汇聚全球3900余名顶尖专家、企业高管、投资人参会演讲，举办过480余场专题峰会，提交学术论文6020余篇，参会人员来自全球90余个国家和地区，合作伙伴1980多家，线下参会总规模突破47600人次。论坛长期深耕学术建设，拥有强大的程序委员会专家阵容，并与IEEE建立稳定官方合作关系，论坛征稿备受业界专家学者关注，学术权威性与全球认可度位居行业前列。在全球5G-A基站产能扩容、AI算力驱动光电融合加速的产业背景下，围绕宽禁带半导体材料物性、光电子研发、器件创新、核心设备攻关等全产业链核心方向展开深度研讨。
（论坛资料图片）
本届论坛依托苏州本地完善的半导体产业链配套与技术积淀，以AI时代产业新需求为核心锚点，设置1场主论坛、6大主题方向20余场技术分会及多场专题峰会等在内近30余场活动，覆盖碳化硅衬底与器件技术、氮化镓功率与射频技术、车规级器件可靠性验证、先进封装与设备国产化等全链条热点议题。串联起从基础材料、核心设备到终端应用的全产业链创新脉络，是全球半导体人每年不可缺席的技术交流与产业对接平台。
大会同期将举办2026先进半导体技术应用创新展、益企跑、企业考察等配套活动，所有论文投稿收录至大会论文集，优秀成果将直接推荐至SCI期刊发布。
届时，来自全球高校院所、产业链头部企业的顶尖专家与行业代表将齐聚苏州，共同围绕第三代半导体技术突破、规模化落地与跨场景融合等核心议题展开交流。
会议时间：2026年11月16-19日
会议地点：中国 · 江苏 · 苏州金鸡湖凯宾斯基大酒店
主办单位
第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）
中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）
日程总览
扫码查看&下载在线日程
更多详情查看官网：
IFWS 2026: http://www.ifws.org.cn/
SSLCHINA 2026: http://www.sslchina.org/
分会日程安排：
Short Course双专场培训 | 苏州STR仿真培训课程
AI for Semi 专题研讨会 | 超宽禁带半导体技术分会
镓仁· 首届氧化镓产业生态峰会 | 化合物半导体激光器技术分会高速光互连技术与产业应用峰会氮化物衬底、外延生长及其相关设备
数字能源与AI算力供配电技术合作峰会 | 第三代半导体标准与检测研讨会
2026海上丝绸之路国际产学研用合作会议光电技术与未来显示分会暨Mini/Micro-led技术大会
费用及权益
*第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）或中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）成员单位在此基础上再享受10%优惠；
*学生参会需提交相关证件；
*会议现场报到注册不享受各种优惠政策；
*若由于某些原因，您缴费后无法参会，可办理退款事宜，组委会将扣除已缴费金额的5%作为退款手续费；
*IFWS相关会议（暂定）：开幕大会，POSTER交流展示，第三代半导体标准与检测研讨会，AI算力与数字能源供配电技术合作峰会，第六届车用半导体创新合作峰会，AI算力高速光互连技术与产业应用峰会，Micro LED前沿应用产业峰会，碳化硅衬底、外延生长及其相关设备技术，碳化硅功率电子器件及其封装技术，氮化镓衬底、外延生长及其相关设备技术，化合物半导体射频器件，氮化镓功率电子器件技术，超宽禁带半导体技术，异质异构集成技术及应用峰会，氮化物半导体固态紫外材料与器件；
*SSL相关会议（暂定）：开幕大会，POSTER交流展示，第三代半导体标准与检测研讨会，数字能源与AI算力供配电技术合作峰会，第六届车用半导体创新合作峰会，高速光互连技术与产业应用峰会，Micro LED前沿应用产业峰会，光品质与光健康，光医疗技术创新应用论坛，异质异构集成技术及应用峰会，氮化物半导体固态紫外材料与器件。
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口头报告&POSTER
1、 所需准备材料：
·口头报告：作者需准备论文与演示文件（PPT/PDF）；
·POSTER：作者需准备论文与POSTER文件（POSTER需体现投稿编号，作者携带制作好的POSTER至会议举办地点并在POSTER展示区域自行张贴）；
· 入刊会议论文集：根据论文模板准备论文全文。
注：
·官方网站：http://www.ifws.org.cn/paper 提供更多详尽信息，请作者务必按照相应规定和时间要求准备材料，以便顺利通过论文审核。
·录取的论文会被遴选在IEEE Xplore 电子图书馆发表，IEEE是EI检索系统的合作数据库。
附件：
IFWS&SSLCHINA2026_全文模板.doc
IFWS&SSLCHINA2026_POSTER制作要求.pdf
IFWS&SSLCHINA2026_POSTER_sample.pdf
全文提交要求
1.基本要求
?尚未在国内外公开刊物或其他学术会议上发表过的论文；
?主题突出，内容层次分明，数据准确，论述严谨，结论明确，采用法定计量单位;
?按照组委会提供的模板排版全文，论文全文格式要求为WORD，内容不超过4页;
?论文全文需符合APA撰写规范并符合模板排版格式。
2.语言要求
?作者须提交文体规范的英文论文；
?演讲语言可以使用中文或英文，但必须用英文演示（PPT或PDF文档）。
注：含有商业性宣传内容的论文，不予安排在论坛演讲。
投稿咨询
邮箱：papersubmission@china-led.net
尹老师：18811765341（微信号：yly_03_16）
参展/赞助/演讲/商务合作
贾老师：18310277858，jiaxl@casmita.com
张老师：13681329411，vivi@casmita.com
协议酒店
年度盛会：第十二届国际第三代半导体论坛&第二十三届中国国际半导体照明论坛（IFWS&SSLCHINA 2026）将于2026年11月16-19日在苏州召开。论坛作为汇聚政、产、学、研、用、资全链条优质资源，融通全球资源的国际化交流合作平台，将为行业创新与跨界融合寻找新的动力源泉，发掘第三代半导体产业发展的新引擎、新动能。论坛论文集被IEEE等多家学术机构收录，影响力覆盖全球产业界与学术界。
最新日程&报告消息：
Short Course双专场培训 | 苏州STR仿真培训课程
化合物半导体激光器技术分会 | 2026海上丝绸之路国际产学研用合作会议光电技术与未来显示分会暨Mini/Micro-led技术应用大会 | 超宽禁带半导体技术分会
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