2026年度中国第三代半导体技术十大进展入围成果TOP30揭晓！

面向新能源、人工智能与算力基础设施的强劲需求，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代宽禁带半导体，凭借低损耗、耐高压、高频高效的特性，正在成为支撑能源转型与智算产业升级的关键材料底座，破解算力 “电力墙” 瓶颈，为新能源车、风光储能、数据中心供配电提供核心硬件支撑。

为挖掘年度我国第三代半导体领域代表性的前沿技术和产业化成果，进一步扩大优秀科研成果的影响力和辐射面。自2024年启动“年度中国第三代半导体技术十大进展”征集评选活动，受到广泛关注。2026年经公开征集和合规筛选，共计50项成果进入初评。经专家团联合评审出前30名（33项）成果进入TOP30 。

以下顺序非初评实际排名，仅为征集成果编号（由小到大）排序：

1-1、破译红光和红外光调控巨噬细胞表型关键机制：LED光治疗机制研究重要成果

主要完成人：郑丽沙、岳蜀华、樊瑜波、董建飞、石秋生、贾浩
单位：北京航空航天大学生物与医学工程学院、苏州大学未来科学与工程学院

2-2、氮化镓基光子晶体面发射激光器关键技术突破

主要完成人：冯美鑫，徐彤，熊康林，郁骁琦，张峰，张书明，孙钱，杨辉

单位：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、苏州国家实验室

3-3、质子辐照掺杂实现低成本6英寸半绝缘氮化镓单晶衬底及其低噪音HEMTs器件

主要完成人：刘新科，范康凯，曾松柏，姜雪，李凯

单位：深圳大学材料学院、射频异质异构集成全国重点实验室、成都中核高通同位素股份有限公司、广东霆镓创能半导体有限公司

4-4、面向牵引逆变器的900 V增强型全GaN集成功率芯片及智能优化模块

主要完成人：Simon Li；樊嘉杰

单位：GaNPower International Inc.；复旦大学

5-7、毫米级纯相六方金刚石

主要完成人：来守龙、杨西贵、施九洋、孙建、程少博、单崇新

单位：郑州大学，南京大学

6-8、高产能8寸SiC高温栅氧设备研制及中试验证

主要完成人：杨金，余洋，陈若愚，刘圣，刘港，曾桂辉，胡凡，罗超，蔡卓凡，李湘粤，仲啸；贺金良，宋磊，周俊，廖开举，余凛智

单位：中国电子科技集团公司第四十八研究所、深圳平湖实验室

7-9、基于原位集成研制技术的GaN基极化栅控光电晶体管

主要完成人：楚春双、蒋垚、何淙霖、李文杰、田康凯、张勇辉、孙小卫、张紫辉

单位：广东工业大学集成电路学院；河北工业大学电子信息工程学院、电工装备可靠性与智能化国家重点实验室；南方科技大学电子与电气工程系、纳米科学与应用研究院

8-11、氮化物中基于费米能级的电子尺度位错运动调控

主要完成人：厉志乔，张文韬，徐科

单位：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、江苏省第三代半导体研究院、国家第三代半导体技术创新中心（苏州）

9-13、面向卫星雷达的高集成GaN MMIC射频前端芯片技术及产业化突破

主要完成人：张博，A.Chang，K.Huang，R.Guo，Y.Lin，J.Tao等

单位：博康（嘉兴）半导体科技有限公司

10-14、12 英寸高热导多晶金刚石薄膜

主要完成人：王琦，王新强，杨晓宇，李昊楠，王忠强，何阳，谢胜杰，梁志文，林良维，王涛，王丁，王平，孙华锐

单位：北京大学东莞光电研究院、北京大学、北京芯基科技有限公司、哈尔滨工业大学

11-15、Micro-LED直接激光巨量转移与高良率互连关键技术

主要完成人：张建华、殷录桥、田文亚、杨铸、陈明、张培林、施泱、王建新

单位：上海大学、京东方科技集团股份有限公司、德莎（苏州）胶带技术有限公司

12-16、8英寸高性能碳化硅超级结MOSFET关键技术

主要完成人：贾仁需，郭亮良，元磊，陈开宇，张子涵，王小文，黄海超

单位：西安电子科技大学、瑶芯微(上海)电子科技股份有限公司

13-18、全球首发12英寸高质量碳化硅外延生长技术

主要完成人：赵建辉，冯淦，钱卫宁，孙永强，陈志霞，李凯希，黄飞鸿，杨锴，李锦安

单位：瀚天天成电子科技（厦门）股份有限公司

14-19、基于全国产化的世界最高耐压氧化镓横向MOSFET器件

主要完成人：袁俊 彭若诗 李明哲 陈伟 吴阳阳 成志杰 丁琪超

单位：湖北九峰山实验室

15-20、GaN基单模激光器技术

主要完成人：许非凡，庄喆，刘启航，陶涛，胡磊，刘建平，刘斌

单位：南京大学、苏州镓锐芯光科技有限公司

16-21、8英寸氧化镓MOCVD同质外延及12英寸单晶等径生长技术重大突破

主要完成人：张辉、李成、王琤、杨德仁

单位：杭州镓仁半导体有限公司

17-25、制备低缺陷GaN基micro-LED的“设备-材料-器件”成套技术

主要完成人：王国斌、李凯、陶涛、田朋飞、刘召军、张伟、苑进社、王建峰、徐科

单位：国家第三代半导体技术创新中心（苏州）、苏州纳维科技有限公司、南京大学、复旦大学、南方科技大学、楚赟精工科技（上海）有限公司

18-26、兆瓦级氧化镓功率模块集成技术

主要完成人：巩贺贺，杨鑫，杨字能，汪涵，叶建东，张荣，张宇昊

单位：香港大学，南京大学

19-27、面向规模化制造的氮化镓基Micro-LED干法修复钝化技术

主要完成人：黄凯、李金钗、闫金健、杨旭、毕朝霞、季力、刘斌、陶涛、吴小琦、曹林华、康俊勇、张荣

单位：厦门大学，厦门市未来显示技术研究院，复旦大学，南京大学

20-28、大尺寸智能化VB法氧化镓晶体生长成套装备的研发

主要完成人：齐红基、黄浩天等

单位：杭州富加镓业科技有限公司

21-29、8~12英寸高质量氧化镓单晶VB法生长关键技术

主要完成人：齐红基、黄浩天等

单位：杭州富加镓业科技有限公司

22-31、基于极化增强电离技术的GaN互补逻辑电路

主要完成人：魏进、余晶晶、李腾、杨俊杰、王茂俊、杨学林、沈波

单位：北京大学

23-34、万伏千安级超大功率碳化硅压接模块

主要完成人：任娜、曾杰、李星峰、孔令旭、杨霏、盛况

单位：株洲中车时代半导体股份有限公司、浙江大学、中国电力科学研究院

24-35、铝镓氮基深紫外垂直腔面发射激光器的4英寸晶圆级制备

主要完成人：冀晨，王嘉铭，许福军，郎婧，沈波

单位：北京大学

25-36、8英寸20kV SiC MOSFET/IGBT/FRD外延生长及器件设计制造测试平台

主要完成人：夏云、郑昌伟、张梦龙、刘玮、叶正、胡浩林、杜融鑫、林裕淇、万玉喜、陈刚、戴颖、田佳民、贺金良、黄晓亮、侯海峰、周俊

单位：深圳平湖实验室，深圳市鹏进高科技有限公司

26-40、面向算力芯片供电的8英寸15V-40V低压硅基氮化镓器件取得重大突破

主要完成人：周春华、成妍、杨学林、周琦、石瑜、蔡子东、王宇豪、张羽、陈家博、朱洪耀、魏进、陈正昊、王方洲、胡浩林、王晓萍、曾威、万玉喜、陈敬、沈波、张波

单位：深圳平湖实验室（第三代半导体国家技术创新中心深圳）、香港科技大学、北京大学、电子科技大学

27-41、人工智能赋能12英寸光学级碳化硅晶圆制备关键技术及产业化

主要完成人：徐现刚，陈秀芳，杨祥龙，谢雪健，王荣堃，仲光磊，郁万成，于国建，张木青

单位：山东大学，广州南砂晶圆半导体技术有限公司

28-42、国产AsP MOCVD在1300 nm-1700 nm InP激光器应用的产业化技术突破

主要完成人：杨牧龙、王俊、肖青平、程洋、肖啸、冯祥雷、石祥生、田勇、高熙隆、翟梦阳、陈爱华

单位：北京北方华创微电子装备有限公司，苏州长光华芯光电技术股份有限公司，中晟光电设备（上海）股份有限公司

29-43、基于III族氮化物本征界面极化的高灵敏、高稳定感存算集成器件

主要完成人：蒋科、王炳翔、孙晓娟、刘佳欣、冯光迪、段世坤、童沛然、方通、张山丽、刘健权、贾玉萍、刘明睿、贲建伟、高鹏、田博博、胡伟达、田鹤、黎大兵

单位：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所、北京大学、华东师范大学、中国科学院上海技术物理研究所、浙江大学

30-45、化合物半导体专用350nm步进投影光刻机（AST6200）：面向SiC/GaN/GaAs/InP量产的光刻装备自主突破

主要完成人：唐彩红、宋涛、张瑞平、王亮、赖勇、胡松立、苏强强、丁虎、孙启峰、赖荣、林宇骏、郭欣仪、娄家奇

单位：上海芯上微装科技股份有限公司

31-46、碳化硅12英寸多区热场协同超低损伤ICP 刻蚀装备技术研发

主要完成人：廖海涛、陈东坡、孙文彬、刘祝、高阔、姜宸、张晴

单位：无锡邑文微电子科技股份有限公司、复旦大学宁波研究院

32-47、液相法制备高质量p型4H-SiC衬底

主要完成人：朱灿、党一帆、陈鹏磊、刘鹏飞、宋福州、舒天宇、高超、彭红宇、周惠琴、窦文涛、张红岩、刘圆圆、宗艳民

单位：山东天岳先进科技股份有限公司、上海天岳半导体材料有限公司

33-50、Micro-LED光互联芯片研发

主要完成人：席光义、郭文平、汪莱、李振浩

单位：元旭半导体科技股份有限公司、清华大学、北京星火辰光科技有限公司

*更多成果详情敬请莅临将于2026年11月16-19日在苏州金鸡湖凯宾斯基大酒店召开的“第十二届国际第三代半导体论坛暨第二十三届中国国际半导体照明论坛（IFWS&SSLCHINA 2026）”现场交流&研讨合作。同时，开幕大会现场将正式公布“2026年度中国第三代半导体技术十大进展”结果，敬请期待。

论坛信息

作为国内第三代半导体领域历史最久、规格最高、覆盖最广的全球性行业年度盛会，活动累计邀约百余位海内外院士、多位诺贝尔奖得主亲临分享，汇聚全球3900余名顶尖专家、企业高管、投资人参会演讲，举办过480余场专题峰会，提交学术论文6020余篇，参会人员来自全球90余个国家和地区，合作伙伴1980多家，线下参会总规模突破47600人次。论坛长期深耕学术建设，拥有强大的程序委员会专家阵容，并与IEEE建立稳定官方合作关系，论坛征稿备受业界专家学者关注，学术权威性与全球认可度位居行业前列。在全球5G-A基站产能扩容、AI算力驱动光电融合加速的产业背景下，围绕宽禁带半导体材料物性、光电子研发、器件创新、核心设备攻关等全产业链核心方向展开深度研讨。

（论坛资料图片）

本届论坛依托苏州本地完善的半导体产业链配套与技术积淀，以AI时代产业新需求为核心锚点，设置1场主论坛、6大主题方向20余场技术分会及多场专题峰会等在内近30余场活动，覆盖碳化硅衬底与器件技术、氮化镓功率与射频技术、车规级器件可靠性验证、先进封装与设备国产化等全链条热点议题。串联起从基础材料、核心设备到终端应用的全产业链创新脉络，是全球半导体人每年不可缺席的技术交流与产业对接平台。

大会同期将举办2026先进半导体技术应用创新展、益企跑、企业考察等配套活动，所有论文投稿收录至大会论文集，优秀成果将直接推荐至SCI期刊发布。

届时，来自全球高校院所、产业链头部企业的顶尖专家与行业代表将齐聚苏州，共同围绕第三代半导体技术突破、规模化落地与跨场景融合等核心议题展开交流。

会议时间：2026年11月16-19日

会议地点：中国 · 江苏 · 苏州金鸡湖凯宾斯基大酒店

主办单位

第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）

中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）

日程总览

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更多详情查看官网：
IFWS 2026: http://www.ifws.org.cn/

SSLCHINA 2026: http://www.sslchina.org/

分会日程安排：

最新详细日程 | 开幕大会日程 | 氮化镓射频技术

Short Course双专场培训 |  苏州STR仿真培训课程

固态紫外材料与器件 | 氮化镓功率电子器件技术

异质异构集成技术及应用峰会 | 碳化硅功率电子技术分会

AI for Semi 专题研讨会 |  超宽禁带半导体技术分会

镓仁· 首届氧化镓产业生态峰会 | 化合物半导体激光器技术分会高速光互连技术与产业应用峰会氮化物衬底、外延生长及其相关设备

数字能源与AI算力供配电技术合作峰会 | 第三代半导体标准与检测研讨会

 2026海上丝绸之路国际产学研用合作会议光电技术与未来显示分会暨Mini/Micro-led技术大会

第六届车用半导体创新生态合作峰会|光医疗与应用技术分会

光品质与光健康论坛 | 独墅湖益企跑活动

费用及权益

*第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）或中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）成员单位在此基础上再享受10%优惠；

*学生参会需提交相关证件；

*会议现场报到注册不享受各种优惠政策；

*若由于某些原因，您缴费后无法参会，可办理退款事宜，组委会将扣除已缴费金额的5%作为退款手续费；

*IFWS相关会议（暂定）：开幕大会，POSTER交流展示，第三代半导体标准与检测研讨会，AI算力与数字能源供配电技术合作峰会，第六届车用半导体创新合作峰会，AI算力高速光互连技术与产业应用峰会，Micro LED前沿应用产业峰会，碳化硅衬底、外延生长及其相关设备技术，碳化硅功率电子器件及其封装技术，氮化镓衬底、外延生长及其相关设备技术，化合物半导体射频器件，氮化镓功率电子器件技术，超宽禁带半导体技术，异质异构集成技术及应用峰会，氮化物半导体固态紫外材料与器件；

*SSL相关会议（暂定）：开幕大会，POSTER交流展示，第三代半导体标准与检测研讨会，数字能源与AI算力供配电技术合作峰会，第六届车用半导体创新合作峰会，高速光互连技术与产业应用峰会，Micro LED前沿应用产业峰会，光品质与光健康，光医疗技术创新应用论坛，异质异构集成技术及应用峰会，氮化物半导体固态紫外材料与器件。

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口头报告&POSTER

1、 所需准备材料：

·口头报告：作者需准备论文与演示文件（PPT/PDF）；

·POSTER：作者需准备论文与POSTER文件（POSTER需体现投稿编号，作者携带制作好的POSTER至会议举办地点并在POSTER展示区域自行张贴）；

· 入刊会议论文集：根据论文模板准备论文全文。

注：

·官方网站：http://www.ifws.org.cn/paper  提供更多详尽信息，请作者务必按照相应规定和时间要求准备材料，以便顺利通过论文审核。

·录取的论文会被遴选在IEEE Xplore 电子图书馆发表，IEEE是EI检索系统的合作数据库。

附件：

IFWS&SSLCHINA2026_全文模板.doc

IFWS&SSLCHINA2026_POSTER制作要求.pdf

IFWS&SSLCHINA2026_POSTER_sample.pdf

全文提交要求

1.基本要求

?尚未在国内外公开刊物或其他学术会议上发表过的论文；

?主题突出，内容层次分明，数据准确，论述严谨，结论明确，采用法定计量单位;

?按照组委会提供的模板排版全文，论文全文格式要求为WORD，内容不超过4页;

?论文全文需符合APA撰写规范并符合模板排版格式。

2.语言要求

?作者须提交文体规范的英文论文；

?演讲语言可以使用中文或英文，但必须用英文演示（PPT或PDF文档）。

注：含有商业性宣传内容的论文，不予安排在论坛演讲。

投稿咨询

邮箱：papersubmission@china-led.net 

尹老师：18811765341（微信号：yly_03_16）

参展/赞助/演讲/商务合作

贾老师：18310277858，jiaxl@casmita.com

张老师：13681329411，vivi@casmita.com

协议酒店

年度盛会：第十二届国际第三代半导体论坛&第二十三届中国国际半导体照明论坛（IFWS&SSLCHINA 2026）将于2026年11月16-19日在苏州召开。论坛作为汇聚政、产、学、研、用、资全链条优质资源，融通全球资源的国际化交流合作平台，将为行业创新与跨界融合寻找新的动力源泉，发掘第三代半导体产业发展的新引擎、新动能。论坛论文集被IEEE等多家学术机构收录，影响力覆盖全球产业界与学术界。