【光刻系列讲座】先进光刻工艺方法研发的一些进展

【光刻系列讲座】先进光刻工艺方法研发的一些进展 光刻人的世界 光刻人的世界 微信号 Litho-World 功能介绍 建立光刻领域的信息共享平台，为光刻人提供前沿资讯、技术资料、招聘信息等 发表于 收录于合集 光刻系列讲座先进光刻工艺方法研发的一些进展李艳丽 | 刘显和讲座信息主讲人：李艳丽，刘显和主持人：伍强报告题目：先进光刻工艺方法研发的一些进展报告时间：8月31日 上午 9:30-12:00报告地点：腾讯会议会议 ID：447 605 149光刻系列讲座讲座内容讲座（1）：由于较大的光刻刻蚀偏置以及更高的套刻精度，在3 nm技术节点，高数值孔径的极紫外光刻工艺将从此节点开始引入，以便可以在应用于更先进的技术节点之前对曝光机进行“预热”。在3 nm CFET SRAM中，我们将给一个关键层极紫外光刻工艺的总览，包括中段局域互连方式的光刻工艺，如可以减少~15-20% SRAM面积的45°局域互连方式。讲座（2）：先进光刻技术已成为延续摩尔定律、推动集成电路向更小尺寸、更高性能和更高密度方向发展的关键。在7 nm先进节点的后段工序，配合自对准多重曝光技术Self-Aligned Litho-Etch Litho-Etch，193 nm浸没光刻工艺能够实现 40 nm半周期的后段金属互联层。目前大多数金属层设计规则只允许在水平与垂直方向布线，我们通过自研的计算光刻仿真软件，在一个7 nm标准单元中设计了一种45度斜线的光刻图案，研究表明在满足现有光刻工艺窗口标准的前提下，这样做有利于节省复杂互联层的最小版图面积，进而节省芯片制造成本。主讲人简介李艳丽复旦大学微电子学院青年研究员/硕士生导师，2010年于山东大学获学士学位，2015年于复旦大学获博士学位。博士期间主要从事硅纳米晶体和硅纳米线的制备以及研究其发光特性的工作，在国内外期刊上发表多篇论文。2015-2021年，先后在中芯国际研发部，上海集成电路研发中心，负责28 nm、14 nm，与5 nm基于EUV的光刻工艺技术研发工作。2021年6月加入复旦大学微电子学院，主要研究方向是“集成电路先进光刻工艺及光刻相关设备、光刻材料、光刻相关算法软件”。自2019年，在中国国际半导体技术大会（ CSTIC）、固态和集成电路技术国际会议（ICSICT）、国际先进光刻技术研讨会（IWAPS）上以一作或通讯作者发表EUV光刻技术和光刻胶研发相关论文7 篇，并凭借极紫外光刻胶随机效应模型获得2020年CSTIC优秀年轻工程师二等奖。共申报一作专利16项，专利涉及深紫外、极紫外工艺，与相关设备。刘显和复旦大学微电子学院青年副研究员，2015年7月毕业于法国鲁昂国立应用科学院（INSA Rouen），获得-聚合物与材料工程师文凭（等同硕士学位）与材料，纳米科学和能源硕士（双学位），2018年10月获得法国斯特拉斯堡大学化学与物理化学博士学位。博士期间研究方向为含氟化合物在表界面处的自主装微纳结构（表面纳米域和球晶）。博士器件先后到华东理工大学、德国亥姆霍兹（Helmholtz-Zentrum）盖斯特哈赫特研究中心、法国原子能和替代能源委员会（CEA） LIONS实验室参与多种材料与表面化学的研究，先后在国际重要期刊如Journal of colloid and interface science, Langmuir，ChemPhysChem，Phys. Chem. Chem. Phys.等上发表SCI论文13篇，包括一作6篇，其中一篇作为封面文章刊登于ChemPhysChem期刊。2021年6月加入复旦大学微电子学院，以光刻技术研发，包括材料、设备、计算方法、工艺作为研究方向，在今年中国国际半导体技术大会（CSTIC 2022）上发表一篇有关集成电路设计规则与工艺协同优化（DTCO）的口头报告。主持人伍强复旦大学微电子学院研究员/博士生导师，1993年毕业于复旦大学物理系，1999年底获得美国耶鲁大学物理学博士学位。毕业后先后就职于美国IBM公司、上海华虹NEC、荷兰阿斯麦（ASML）公司、中芯国际、中芯国际集成电路新技术研发（上海）有限公司和上海集成电路研发中心。2004年在世界上首次精确地测量了光刻工艺的重要参数：等效光酸扩散长度。回国后，先后担任光刻工艺研发主管或者光刻设备应用部主管，研发过0.25 mm至7 nm逻辑光刻工艺技术，预研过基于极紫外（EUV）光刻的5 nm逻辑光刻工艺技术，带领团队将193 nm浸没式光刻机首次成功导入中国大陆，并且自主研发了光刻工艺仿真计算软件。截止2020年12月，个人共获得83项专利授权，其中38项美国专利，发表光刻技术论文66篇。2007-2009年 担任ISTC（国际半导体技术大会）的光刻分会主席。2010年-2021年担任CSTIC（中国国际半导体技术大会）的光刻分会副主席。在光刻胶材料研发方面，自2010年开始先后与瑞和光刻胶公司（现徐州博康，上海汉拓）合作，鉴定了一支分辨率为130 nm的国产248 nm光刻胶，与南大光电进行国产193 nm浸没式光刻胶研发，在2017年12月表征了国产第一支达到28 nm逻辑工艺要求的193 nm浸没式光刻胶样品。在光刻计算模型研发方面，先后研发了国内第一种光刻工艺仿软件，包括负显影（Negative Toned Developing，NTD）光刻胶物理模型，世界第一种193 nm浸没式光刻显影缺陷物理模型，国内第一种基于衍射探测的套刻（Diffraction Based Overlay，DBO）仿真物理模型， EUV光刻工艺仿真软件和EUV光刻胶物理模型。伍强等八位作者还编著有《衍射极限附近的光刻工艺》（清华大学出版社，2020年2月第一版）。主办方介绍中国光学学会光刻技术专业委员会中国光学学会光刻技术专业委员会（以下简称光刻专委会）是中国光学学会的二级专业委员会，是由光刻技术领域的科技工作者和有关企事业单位组成，专业领域包括光刻相关的设备、材料、工艺、掩模、EDA软件和检测等，自愿结成并共建发展光刻技术事业。欢迎大家加入光刻技术专业委员会请长按识别二维码申请入会注册时请将 “发展来源” 选为“光刻技术专业委会”详情请来电或邮件咨询电话：01082995816（何老师）邮箱：Litho_committee@ime.ac.cn中国电子学会教育工作委员会中国电子学会教育工作委员会是中国电子学会为发展教育工作设立的专业性指导机构。教育工作委员在中国电子学会常务理事会领导下，统筹推进、协调管理，通过技术培训、研究研讨、学科竞赛、能力测评，专业认证等多种形式，积极促进政产学研用有效衔接，发现、培育、凝聚面向世界科技前沿、面向经济主战场、面向国家重大需求、面向人民生命健康等各类各层次的人才，切实发挥全国学会的组织优势，推进中国电子学会教育工作，提升行业影响力。系列讲座介绍为了促进光刻技术的繁荣和发展，促进光光刻技术的普及和推广，促进光刻技术人才的成长和提高，提高全民科学素质服务，现中国光学学会光刻技术专业委员会将开展系列主题科普报告活动，由于疫情等原因，活动形式暂时为线上视频讲座。