Yole 2025：国产混合键合设备上榜

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在半导体先进封装技术加速迭代的背景下，国产 D2W 混合键合设备首次被 Yole Group《High-End Performance Packaging 2025》报告收录。

图源：Yole《Lithography and Bonding Equipment 2022 – Focus More Than Moore》

 Yole 报告收录，亿级市场空间

混合键合技术是从焊料凸块转向铜 - 铜直接键合的先进互连工艺，通过无凸点键合实现纳米级精度互联，解决传统微凸点技术在高密度封装中的瓶颈问题。

根据Yole公开数据显示，2020 全球混合键合设备市场规模达3.2亿美元，预计2027年CoW(D2W)/WoW(W2W)市场规模将分别攀升至2.3亿/5.1亿美元，CAGR高达69%/16%，凸显该领域强劲增长潜力。

打破垄断，国产D2W设备首次入选

图源：Yole《High-End Performance Packaging 2025》

混合键合设备供应商

在混合键合设备领域，长期由EVG、Besi等国际巨头主导市场格局。Yole Group最新报告首次收录 2023 年发布 D2W（芯片到晶圆）混合键合设备的艾科瑞思(ACCURACY)，使其成为该报告中首个被收录的中国 D2W 设备供应商；2024 年发布 W2W（晶圆到晶圆）混合键合设备的拓荆科技(Piotech)亦被同步收录。这一进展反应中国半导体设备产业在高端封装领域实现技术突破，具备与国际厂商同台竞技的实力。

国际巨头加速布局 中国设备迎头赶上

随着 AI 算力需求爆发对高密度封装的需求增加，混合键合在 HBM、3D IC 等高端封装场景的渗透率持续提升。以HBM市场应用为例，据国泰证券引用Yole 数据，2028 年混合键合在HBM 市场渗透率将从 2025 年的 1% 跃升至 36%。

图源：Yole,国泰证券

国际巨头混合键合领域布局：

三星：2025 年 2 月与长江存储签署混合键合专利许可协议，计划在 2025 年下半年量产下一代 V10 NAND 闪存，采用长江存储的 W2W 混合键合技术实现 420-430 层堆叠，规避专利风险并提升可靠性。

美光：2025 年 4 月成立专门的 HBM 业务部门，加速推进 HBM4 量产计划，预计 2026 年推出采用混合键合技术的 HBM4 产品，并在 2027-2028 年量产 HBM4E，带宽较 HBM3E 提高 60% 以上。

SK 海力士：计划 2026 年将混合键合技术引入 HBM4 生产流程，针对 20 层以上的 HBM5，已明确采用混合键合技术，并联合设备厂商开发适配 400 层以上 NAND 产品的键合方案。

台积电与英特尔：台积电 N2 节点支持 12 层 HBM4 集成，N2P 节点互连密度达 1000 万 /mm2，将配套混合键合封装；英特尔在 CoW 领域实现 3μm 间距突破，计划在 A20 工艺应用；

设备厂商：应用材料于 2025 年 4 月收购混合键合D2W领头羊 Besi 9% 股份，旨在强化在混合键合设备领域的合作。

在此背景下，中国封装设备企业的技术突破为全球半导体封装产业链提供了多元化的设备选项，推动行业在高密度互连领域的技术竞争向更开放的格局演进。

信息来源：企业公开信息

[1] Yole Group. Lithography and bonding equipment: More than Moore manufacturers’ appetite is growing

[2] 国泰君安证券。薄膜沉积拓展加速，混合键合打开广阔空间 —— 拓荆科技深度报告 [R]. 上海：国泰君安证券，2024.

[3]Yole Intelligence. Status of High-End Performance Packaging (2.5D & 3D) - Technology and Market Trends[R]. Advanced Packaging Summit, 2023.

[4] Yole Group. High - End Performance Packaging 2025: Market and Technology Report 

*免责声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，半导体行业观察转载仅为了传达一种不同的观点，不代表半导体行业观察对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系半导体行业观察。

END

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