三星HBM3E，产能砍半

公众号记得加星标??，第一时间看推送不会错过。

来源：内容编译自zdnet。

据悉，三星电子已于第二季度末减少了12层HBM3E（第五代高带宽存储器）的产量。三星电子原本计划在今年年中向英伟达供应该产品，但随着谈判的拖延，下半年需求的不确定性加剧。因此，据悉该公司已恢复保守的经营政策，以降低库存突然激增的风险。

据业内人士2日透露，三星电子近日被查明已将其HBM3E 12层量产线的开工率降至之前的一半。

HBM3E 12层是目前商业化HBM中最先进的产品，三星电子已在位于平泽的P1和P3生产线上量产HBM3E 12层。

尤其是三星电子，自第一季度末以来大幅提高了其HBM3E 12层存储器的产量。这是一种预先确保库存的策略，预计与英伟达的质量测试计划将在6月左右完成。AMD最新AI加速器（例如MI325X和MI350X）的HBM3E 12层存储器的供应也产生了影响。

因此，三星电子今年第二季度HBM3E 12层硅片的产量预计平均每月7万至8万片。 然而，据悉三星电子在第二季度末大幅减少了晶圆投入，目前的产量为每月3万至4万片。

主要原因分析为，向NVIDIA供应HBM3E 12层存储器的不确定性增加。三星电子最初的目标是在6月份完成测试，但最近，测试最迟将在9月份完成的预期已成主流。业内人士表示，发热问题仍在讨论中。

一位知情人士表示， “如果由于对 Nvidia 的供应延迟导致HBM3E 12 层库存迅速增加，这可能会给三星电子的财务带来负担”，并补充道， “由于HBM4市场预计将于明年上半年正式启动，三星电子可能会尝试保持保守的生产立场”。 

因此，预计三星电子HBM业务的反弹将受到非NVIDIA ASIC（专用集成电路）需求扩张的影响。目前，谷歌、Meta和AWS（亚马逊网络服务）等全球大型科技公司正专注于开发用于数据中心的AI半导体。HBM也大量应用于这些芯片中。

及时实现HBM4（第六代高带宽存储器）的商业化也是一项重要任务。目前，三星电子正专注于HBM4的核心芯片——1c（第六代10纳米级）DRAM的开发，并已开展修改部分电路以提高稳定性等工作。预计HBM用1c DRAM将于今年第三季度获得PRA（内部量产批准）。

三星完成第六代DRAM开发

三星电子已完成基于先进 10 纳米级工艺的第六代 DRAM 的开发，距离量产下一代 HBM4 内存更近一步。

据业内消息人士周二透露，这家科技巨头周一完成了第六代 DRAM 的开发，并获得了生产准备批准，这是一个重要的内部里程碑，表明该产品符合大规模生产准备的所有标准。

10 纳米级 DRAM 制程技术已逐代演进，从第一代发展到第六代。每一代技术都实现了更精细的电路，从而提升了性能和能效。

三星此前曾于2022年12月宣布开发第五代DRAM，并于次年5月开始量产。这一最新里程碑标志着其在工艺扩展方面取得了约两年的进展。

三星的第六代 DRAM 开发因其高带宽内存业务而备受关注。这家科技巨头计划在今年下半年实现基于第六代 DRAM 的 HBM4 的量产。HBM4 有望成为人工智能时代的关键组件，显著提升数据处理速度和能效。

三星的同城竞争对手SK海力士目前在HBM市场处于领先地位，目前正在开发采用第五代DRAM的HBM4。据报道，该公司早在3月份就已向主要客户提供了HBM4样品，并计划在今年下半年实现量产。

随着三星完成第六代 DRAM 的开发，市场关注点转向该公司是否会很快交付 HBM4 样品并通过 Nvidia 的资格测试，这是获得大批量订单的关键基准。

三星还在等待其 12 层 HBM3E 的认证。

随着 HBM 领导地位之争愈演愈烈，第六代 HBM4 的成功商业化可能成为三星在高端内存市场重获动力的关键。

最近，三星开始向 AMD 供应其 12 层 HBM3E，据报道，该公司也在寻求与英伟达达成供应协议。该公司还与多家客户合作开发定制的 HBM4 产品，预计该产品将从明年开始为公司带来收入。

https://zdnet.co.kr/view/?no=20250702094402

*免责声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，半导体行业观察转载仅为了传达一种不同的观点，不代表半导体行业观察对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系半导体行业观察。

END

今天是《半导体行业观察》为您分享的第4083期内容，欢迎关注。

推荐阅读

★一颗改变了世界的芯片

★美国商务部长：华为的芯片没那么先进

★“ASML新光刻机，太贵了！”

★悄然崛起的英伟达新对手

★芯片暴跌，全怪特朗普

★替代EUV光刻，新方案公布！

★半导体设备巨头，工资暴涨40%

★外媒：美国将提议禁止中国制造的汽车软件和硬件

加星标??第一时间看推送，小号防走丢

求点赞

求分享

求推荐