股票
板块
用户
资讯
首页
天眼
自选
发现
开户
首页
天眼
自选
发现
我的

CSPSD2026前瞻 | 冯哲川教授:MOCVD法制备的AlGaN-GaN高电子迁移率晶体管的综合研究


AlGaN/GaN异质结的高电子迁移率晶体管(HEMTs)具有优异的特征,如较大的禁带宽度、高击穿电场、高峰值电子速度以及非常高的二维电子气浓度,适用于电力电子,微波系统,通信系统等多领域的应用,已成为下一代高频、高功率器件的重要组成部分。


6月25-27日,由第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)指导,中国科学院上海微系统与信息技术研究所、极智半导体产业网和第三代半导体产业联合主办的“2026功率半导体器件与集成电路会议(CSPSD 2026)”将于上海举办。美国肯尼索州立大学兼职教授, 台湾大学荣退教授、广西大学杰出教授冯哲川受邀将出席论坛,并带来《金属有机化学气相沉积法制备的AlGaN-GaN高电子迁移率晶体管的综合研究》的主题报告,分享相关研究成果。
报告将对基于MOCVD阶梯生长的一系列具有多样化的AlGaN层厚度(13-104 nm)的AlGaN/GaN异质结 HEMTs结构进行了详细的多学科技术研究。研究结果加深了对AlGaN/GaN HEMTs的理解和知识,研究将展示非破坏性测量如何能够为 AlGaN-GaN HEMTs 的物理特性提供有用的信息,并且这种方法还可以推广到其他 III-N 器件上。


冯哲川教授2015-2020年在广西大学物理科学与工程技术学院组织和领导了光电子材料与探测技术实验室及团队,成果多且延续到如今。本报告实验样本是由广西大学物理科学与工程技术学院孙文红教授领导的团队采取金属有机化学气相沉积法生长的。这个第三代半导体产业研究院团队制造精良的III-氮化物材料及器件结构。内容详情,敬请期待! 


嘉宾简介

冯哲川教授系前广西大学物理科学与工程技术学院杰出教授(2015.3-2020.12),台湾大学光电所暨电机系(2003.8-2015.1)退休教授,获得学士/硕士(1968/1981,北京大学)及博士(1987,匹兹堡大学-美国), 1988-2003工作于Emory大学(美),新加坡国立大学, EMCORE公司,材料工程研究院(新加坡),乔治亚理工学院。2021年在美国亚特兰大家中建立Science Exploring Lab(科学探索实验室), 2022年起加入Kennesaw State University电机与计算机工程系任兼职教授及进行教学和研究并指导研究生/大学生. 已出版了半导体领域的14本专书,含编辑12本及写作2本:‘新兴半导体和氧化物的拉曼散射(2024)和‘先进半导体与量子结构的光致发光光谱学’,今年4月出版; 已发表过900多篇学术论文(超过500多篇scholar.google收录)并被引用9,400多次。从事于化合物和宽能隙半导体研究40多年,成果多且杰出。2013年荣膺SPIE (国际光学与光子工程学会) Fellow(会士)。他受邀担任华中科技大学、南开大学、四川大学、南京工业大学、华南师师范大学、天津师范大学的访问客座教授。


关于CSPSD2026详情


功率半导体器件与集成电路会议(CSPSD )是由半导体产业网重磅打造的先进半导体产业大会(CASICON)核心子品牌专项会议,深耕功率半导体与集成电路核心赛道,是国内该领域极具影响力的专业产业交流平台。


自创办以来,CSPSD系列会议获得了国内功率半导体器件与集成电路领域顶尖科研院所、高等院校以及全产业链上下游企业的高度认可与深度参与,汇聚了行业科研、技术、产业、市场等多方核心资源,具备扎实的行业口碑与产业基础。其中,2024年、2025年会议已先后携手电子科技大学、南京邮电大学,在成都、南京圆满成功举办两届,有效搭建了产学研协同交流桥梁,助力区域半导体产业创新发展。


CSPSD2024-2025回顾


立足产业发展新形势与技术迭代新趋势,2026功率半导体器件与集成电路会议(CSPSD 2026)将落地上海,由第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)指导,中国科学院上海微系统与信息技术研究所、半导体产业网、第三代半导体产业共同主办,持续升级会议规格与行业影响力。会议聚焦产业前沿热点与核心技术痛点,重点围绕硅基半导体、宽禁带/超宽禁带半导体材料、功率器件与集成电路集成应用、先进封装与异构集成技术、EDA工具、AI算力芯片、功率集成交叉学科创新应用等关键领域展开深度研讨。


作为国内功率半导体领域的重要学术与产业交流平台,本次会议设置“开幕大会+主题论坛+展览展示+参观考察+益企跑”等形式,目前首批50+嘉宾报告议题重磅揭晓,会议嘉宾阵容涵盖“产学研用”在内国家级科研院所专家、高校科研团队、头部企业领袖三大核心群体,报告议题更是覆盖从“基础研究 - 技术突破 - 产业应用 - 未来趋势” 的全方位交流体系,全力推动功率半导体与集成电路领域的技术革新、学术交流与产业协同发展,为我国半导体产业高质量创新升级赋能助力。


会议时间:2026年6月25-27日

会议地点:中国·上海·上海临港凯悦酒店


一、组织机构

指导单位:

第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)

主办单位:

中国科学院上海微系统与信息技术研究所

极智半导体产业网

第三代半导体产业

承办单位:

集成电路材料全国重点实验室

北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司

学术协办:

电子科技大学

南京邮电大学


大会主席:狄增峰

联合主席:张波、吴伟东、程新红、赵璐冰

程序委员会委员:陈敬、张进成、柏松、唐为华、罗小蓉、张清纯、万玉喜、龙世兵、王来利、杨媛、张宇昊、杨树、刘斯扬、欧欣、章文通、陈敦军、耿博、郭清、蔡志匡、梁瑶、刘雯、邓小川、魏进、周琦、周弘、叶怀宇、张龙、包琦龙、金锐、姚佳飞、蒋其梦、明鑫、周春华、郑理、沈玲燕、张薇葭、黄森等


组织委员会:

主任:郑理

副主任:涂长峰、周学通、徐光伟、刘盼、魏杰

委员:周峰、王珩宇、
杨可萌、张珺、罗鹏、刘成、刘宇、张茂林、任开琳、王谦、张栋梁、刘晓博、王鹏、陈龙、李成、康俊杰、崔潆心、李道会、贾欣龙等


二、主题&征文方向

1.S1-硅基功率器件与集成技术

硅基、SOI基功率器件、可集成功率器件、器件仿真与设计技术、器件测试表征技术、器件可靠性、器件制造技术、功率集成IC技术;


2.S2-碳化硅功率器件与集成技术

碳化硅功率器件、器件设计与仿真技术、器件制造技术、器件测试与可靠性、可集成器件与功率集成技术;


3.G1-氮化镓、III/V族化合物半导体功率器件与功率集成

氮化镓功率器件、III/V族化合物(AlN、GaAs)半导体功率器件、器件设计与仿真技术、器件制造技术、器件测试与可靠性、可集成器件与功率集成技术;


4.G2-氧化镓/金刚石功率器件与集成技术

氧化镓/金刚石功率器件、器件设计与仿真技术、器件制造技术、器件测试与可靠性、可集成器件与功率集成技术;


5.P1-模组封装与应用技术

功率器件、模组与封装技术、先进封装技术与封装可靠性;


6.P2-面向功率器件及集成电路的核心材料、装备及制造技术

核心外延材料、晶圆芯片及封装材料、退火、刻蚀、离子注入等功率集成工艺平台与制造技术、制造、封装、检测及测试设备等;


7.P3-功率器件交叉领域及EDA

基于新材料(柔性材料、有机材料、薄膜材料、二维材料)的功率半导体器件设计、制造与集成技术;人工智能驱动的功率器件仿真,建模与设计、封装与测试。


三、会议日程

点击查看→最新报告议题!

四、会议嘉宾(部分)


五、拟邀参会单位

中电科五十五所、电子科技大学、英飞凌、华虹半导体、扬杰科技、士兰微、捷捷微电、英诺赛科、中科院上海微系统所、氮矽科技、中科院微电子所、中科院半导体所、三安半导体、芯联集成、斯达半导体、中国科学技术大学、浙江大学、东南大学、复旦大学、西安电子科技大学、清华大学、北京大学、厦门大学、南京大学、天津大学、长飞半导体、华为、温州大学、海思半导体、瞻芯电子、基本半导体、华大九天、博世、中镓半导体、江苏宏微、苏州晶湛、百识电子、超芯星、南瑞半导体、西交利物浦大学、西安理工大学、北京智慧能源研究院、高芯(河南)半导体、中科院纳米所、平湖实验室、北京工业大学、南方科技大学、华南师范大学、立川、国电投核力创芯、华中科技大学、上海大学等


六、优秀功率半导体产品征集

为进一步推动我国功率半导体与集成电路领域学术研究与产业应用深度融合,促进前沿技术与市场需求高效对接,搭建优秀产品展示与交流平台,强化产业链上下游协同联动,完善产业生态建设,打造引领我国功率半导体器件与集成电路技术创新与产业高质量发展的标杆平台。2026功率半导体器件与集成电路会议(CSPSD 2026)组委会研究决定,正式启动 “CSPSD 2026 优秀功率半导体产品征集活动”。→点击详情,参加申报的单位按照征集要求在2026年6月10日前在线填写并提交申报表单。


七、注册报名

1.注册及权益:注册费2800元,5月30日前注册报名2500元(含会议资料袋,6月26日午餐、欢迎晚宴、27日自助午餐及晚餐)。


2.在线报名

·扫码注册

扫码注册报名

·注册网址:(请复制链接至浏览器打开)https://forum.casicon.cn/e/4/checkout/create#order_form

·点击:点击文末“”直接跳转至→报名链接,完成报名。


八、益企跑活动


芯聚上海·共筑芯途:CSPSD2026滴水湖益企跑活动启动报名


九、联系咨询

1.论文投稿

投稿录用后需现场参加POSTER展示,届时会评选出最佳POSTER,文章择优推荐到EI期刊《半导体学报》或《功能材料与器件学报》。

·投稿模板&摘要&海报要求附件下载:

CSPSD2026_摘要要求及模板.doc

CSPSD2026_POSTER制作要求.docx

CSPSD2026_POSTER_sample_v1.pdf

2.投稿&报告咨询:

郑老师 15618636853,zhengli@mail.sim.ac.cn

贾老师 18310277858,jiaxl@casmita.com

李老师 18601994986,linan@casmita.com


征文&投稿专用邮箱:paper@cspsd.cn


3.赞助、展示及商务合作

贾先生 18310277858,jiaxl@casmita.com

张女士 13681329411,vivi@casmita.com 


4.报名咨询:

芦老师:13601372457,luli@casmita.com


十、协议酒店及周边交通


①酒店信息

双击查看大图


②会议酒店周边交通信息

双击查看大图


往届信息

2025功率半导体器件与集成电路会议(CSPSD 2025)

CSPSD2025专家学者齐聚探讨氮化镓及超宽禁带功率器件新未来!

CSPSD2025专家学者共话硅、碳化硅器件及其他高压功率器件新进展!


2024功率半导体器件与集成电路会议(CSPSD2024)

50+报告干货满满!2024功率半导体器件与集成电路会议(CSPSD2024)


沪上论道,芯向未来!

CSPSD2026

6月25-27日,邀您共赴行业盛会,

共探功率器件与集成电路技术前沿,

共筑产业新生态!


【赞助、展示及商务合作】

张女士:13681329411  贾先生:18310277858

原文链接
多空观点 观点仅供交流,不构成投资建议
点赞
踩一踩
收藏
分享

评论 (0)

0/200
声明:社区内容仅代表用户个人观点,不构成任何投资建议。投资有风险,入市需谨慎。