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据中国科学院金属研究所消息，2026年6月6日中国科学院金属研究所孙东明、刘驰团队联合多家科研单位，在国际学术期刊《自然·通讯》发表了一项重磅研究成果——成功研制出国际上首款实现射频测试的硅-石墨烯-锗势垒晶体管。这一创新性高频器件架构采用了晶圆级单晶单层石墨烯在锗衬底上通过化学气相沉积外延生长、再精确堆叠单晶硅膜的方式，构筑了高质量的硅-石墨烯-锗垂直异质结构。该研究从实验制备到射频实测的完整验证链条，标志着高频垂直二维基区晶体管研究取得重大突破。
迈向太赫兹时代的关键一步
从核心性能指标来看，这一突破刷新了多项世界纪录。该晶体管利用石墨烯与硅、锗界面形成的不对称肖特基势垒，并结合石墨烯的量子电容效应进行功函数调控，使得锗端电流变化幅度远大于硅端，产生了高达1.8×10?的共射极电流增益，创下目前已报道晶体管中的最高纪录。
在射频实测中，本征截止频率达到132GHz，超越了过去所有垂直二维基区晶体管的最高水平。更为重要的是，器件建模与仿真分析表明，通过优化材料掺杂浓度、降低接触电阻及缩减寄生效应，理论工作频率有望突破1THz，进入太赫兹应用频段。
这一技术突破的时代背景尤为关键。当前，5G已进入规模化部署阶段，6G前瞻研究加速推进。以全息通信、沉浸式XR、空天地一体化组网为代表的6G应用场景，对晶体管工作频率提出了突破1THz的刚性需求。
国际电信联盟（ITU）已确立2030年左右6G规模化商用的发展蓝图，而太赫兹频段（0.1THz—10THz）作为6G的核心使能技术，被认为是突破通信带宽、速率、容量瓶颈的终极方案。据产业共识，6G网络有望实现每秒约1太比特的数据传输速率，远高于5G的峰值速率。本次研究为太赫兹通信的超高速信号处理提供了全新的全新技术路径，其产业意义已超越单纯的学术突破。
从顶层设计到地方落地
在需求端加速扩张的同时，政策层面也在持续为产业链注入确定性增长动能，形成自上而下的系统性驱动。
2026年是“十五五”规划开局之年，新材料产业在顶层设计层面获得系统性提速。3月发布的《“十五五”规划纲要》明确将新材料列为重点发展的战略性新兴产业，工信部明确表态坚持“固本”和“育新”相结合，“加快前沿材料布局和关键材料攻关”，为发展新质生产力、推进新型工业化提供材料支撑。国务院新材料部际协调机制已纳入地方政府考核，国家新材料产业基金于2026年正式落地，预计将带动超过1000亿元社会资本投入关键技术和产业化应用。
量化指标方面，规划到2030年关键战略材料综合保障能力超过80%，突破500项以上关键核心技术，培育100家具有国际竞争力的新材料企业，硬性约束力显著强于过往五年计划，对研判产业链投资节奏具有重要意义。
从政策接力节奏看，石墨烯连续被纳入“十四五”和“十五五”规划，2026年政策重心已从“规模化制备”正式转向“关键技术攻关与产业化落地”，推动石墨烯产业从“局部应用”向“全域普及”演进。
地方政府同步跟进，广东、江苏等多省密集出台支持政策，京津冀、长三角、粤港澳正积极申报空天地一体化6G组网试点，倒逼上游材料产业链加速备货。工信部已明确2026年下半年启动6G频谱试点，2027年进入预商用阶段，政策窗口持续收窄，产业链进入材料端率先兑现需求的阶段。
三大主线深度梳理
主线一：石墨烯——从“材料之王”迈向产业化应用裂变
石墨烯作为本次晶体管的核心材料之一，凭借超高的载流子迁移率、优异的机械强度和热导率，在电子器件、导热散热、新能源电池等领域展现出巨大潜力。2026年以来，石墨烯产业化进程明显提速，已从实验室研发阶段全面转向规模化应用裂变阶段。
石墨烯导热膜方向：道明光学以石墨烯导热膜为核心的新材料板块2025年营收达1.61亿元，同比增长15.11%，智能手机、折叠屏手机等传统3C领域已形成稳定商用，同步布局石墨烯导热垫片、轻量化泡沫膜等产品，推进服务器和新能源汽车电控系统等高算力场景落地。太平洋证券给予“买入”评级，预计2026-2028年EPS分别为0.37/0.43/0.48元。
石墨烯热管理方向：德尔未来在石墨烯热管理领域形成差异化优势，苏州等产业集聚区已建立上下游协同生态。
石墨烯制备与设备方向：东华科技在石墨烯产业化制备中具有先发优势，其气相合成法技术为中国化学工程体系内的核心资产。
东吴证券于2026年6月发布的策略深度报告指出，前沿新材料产业正加速从技术验证期迈向规模化落地期，石墨烯作为核心方向之一，中国已累计推动价值超550亿元新材料产品进入市场，资本正从“广泛覆盖”转向“精准聚焦”，为石墨烯龙头带来结构性机遇。
主线二：锗——战略小金属迎来供需错配周期
锗作为本次晶体管中异质结构的关键衬底材料，以及6G通信、卫星互联网、红外探测和光纤通信中的核心战略金属，正处于一轮由需求爆发和供给刚性共同驱动的重估周期。
中信证券研报指出，锗将充分受益于卫星互联网和5G/6G通信领域发展提速，预计2023-2026年全球锗需求CAGR为16.4%，对应供需缺口分别为18.4/-2.2/-16.7/-43.2吨，供给短缺有望推动锗价继续强势上行。
国泰君安首次覆盖锗金属行业，给予“增持”评级，认为锗金属当前具备较高上行空间，产业链利润分配将偏向资源端，拥有自给锗资源及深加工能力的龙头标的将充分受益于供需错配。国泰君安特别强调，中国主导全球金属锗冶炼，2022年中国产量约占全球83%，伴随出口管制常态化，全球锗金属供给增幅预计受限。
中金公司在商业航天产业链分析中建议关注锗资源龙头标的，认为国内商业航天及国防支出提速有望推动锗需求加速增长。
云南锗业：A股唯一实现锗全产业链布局的标的，覆盖上游矿产、中游高纯四氯化锗（国内市占第一，产能65吨/年）、下游磷化铟衬底（子公司鑫耀半导体）等核心环节。公司磷化铟产能2026年将扩产至40万片/年，其中6英寸占62.5%，华为哈勃已锁定15万片6英寸产能，订单排至2027年第二季度。
驰宏锌锗：作为铅锌冶炼龙头企业，在伴生锗精矿方面具有资源优势，在锗产业链上游具备卡位优势，受益于锗价上涨带来的利润弹性。
主线三：第三代半导体与太赫兹产业链
本次技术突破对射频器件频率提出了跨越式要求，第三代半导体材料及太赫兹产业链将系统性受益于下游应用场景的加速扩容。
从市场规模看，全球第三代半导体功率器件正进入爆发期。2025年全球碳化硅和氮化镓功率器件市场规模约484亿元，预计2032年将接近1698亿元，年复合增长率达19.7%-21.0%。2025年中国第三代半导体功率电子市场规模约227亿元，同比增长28.6%，电信及基础设施成为增速最快领域。中国企业在碳化硅材料领域已占全球供给约50%，进入全球第一梯队。
中兴通讯：6G通信主设备核心龙头，深度参与6G全球标准制定，持有6G有效专利超1.3万件，稳居全球前三，是国内6G试验网最大设备供应商。通信主设备是6G试验建设的最受益环节，短期产业红利确定性较强。
射频半导体方向：氮化镓（GaN）、磷化铟（InP）等第三代半导体材料是太赫兹高频通信的核心刚需。三安光电、华润微等在第三代半导体领域的深度布局值得持续跟踪。
高速光传输方向：AI光收发模块市场从2025年的165亿美元扩大至2026年的260亿美元，增速超57%，在800G/1.6T光模块快速渗透背景下，天孚通信、中际旭创、新易盛等光模块龙头持续受益于技术迭代节奏。
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