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资讯 作者：姚遥、宇文甸
摘要
■ 投资逻辑
随着GPU/ASIC单芯片功耗及整柜功率持续提升，若供电电压保持不变，传输电流将同步上升，而线路损耗与电流平方成正比，铜耗、发热、线缆及空间约束随之加剧。另一方面，GPU/ASIC核心电压长期维持在约1V附近，芯片侧无法再通过提高电压降低电流。因此，AI电源升级沿两条路径展开：前端通过升压降低远距离传输电流，后端通过缩短低压大电流传输路径降低PDN电阻。
第一场战役：升压降电流，800VDC推动供电架构由设施侧向服务器内部持续高压化。柜外侧，Sidecar通过兼容现有480Vac基础设施实现800VDC快速导入，巴拿马通过中压侧一体化压缩传统供电链路，SST则以中压直转800VDC为长期演进方向。随着800V进一步进入ITRack，柜内又形成Shelf级800V→50V与Tray级800V→12V/6V两类路径，前者更强调对现有服务器供电体系的兼容，后者则将高压进一步推近ComputeTray甚至GPU，通过减少中间转换级和低压大电流传输距离提升功率密度。
第二场战役：近距降电阻，800V向板级下沉,三次电源由分立走向模块/VPD。800V板级直降需要在显著小于传统机架电源的板级空间内完成高变比转换，为压缩磁性器件体积，开关频率由数百kHz向接近1MHz提升，高频工况进一步放大GaN低开关损耗和高功率密度优势。更重要的是，50V、12V、6V中间母线目前尚未收敛，但无论最终采用哪种方案，800V输入侧均需要新增高频高变比DC/DC。
低压大电流推动三次电源由分立式向模块化、垂直供电及更高集成度演进。当供电电压最终降至GPU/ASIC核心所需的约1V附近后，进一步升压难度较高，降低PDN阻抗成为控制损耗的主要手段。传统横向供电需要大电流在PCB上进行较长距离传输，而模块化电源通过提升器件集成度压缩供电面积，VPD进一步将电源移动至芯片背面、直接缩短VRM至芯片的供电路径，长期IVR/SIVR则有望将电压调节继续向封装和芯片内部迁移。
两场战役共同推动AI电源价值量由传统PSU向完整Grid-to-Chip供电链路扩散。前端800V升级带来HVDCPowerRack、SST、碳化硅等新增需求，后端则推动DrMOS、芯片电感、MLCC电容、PCB及二/三次电源模块价值量提升。
投资建议
AI电源升级沿“前端升压降电流、后端近距降电阻”两条主线展开，建议关注受益于技术迭代的电源及零部件公司。
风险提示
资本开支不及预期；芯片功率提升不及预期；技术路线变化；客户认证和订单放量不及预期等。
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目录
1、AI芯片功率跃升，AI电源进入架构升级新周期
1.1从市电到GPU：AI电源系统的三级变换链路
1.2芯片功耗跃升，推动电源技术持续升级
1.3电源升级的本质是降低I2R损耗：升压降电流&近距降低电阻
2、柜外HVDC系统升级路径：Sidecar、巴拿马、SST
2.1Sidecar：兼容存量交流架构，800VDC率先落地
2.2巴拿马：中压侧高度集成，推动MW级供电快速交付
2.3SST：中压直转800VDC，重构AIDC长期供电架构
3、柜内电源：800V向板级下沉，低压大电流推动近芯片供电演进
3.1二次电源：Shelf/Tray级多种方案并行，高频高变比DC/DC拉动GaN需求
3.2三次电源：从分立式向模块化与垂直供电演进
4、投资建议：重点推荐受益于技术迭代的电源及零部件公司
5、风险提示
正文
1、AI芯片功率跃升，AI电源进入架构升级新周期
1.1从市电到GPU：AI电源系统的三级变换链路
AI电源系统本质是把电网侧高压交流电，逐级转换为GPU可用的低压大电流直流电。AI数据中心供电链路可以理解为从“高压交流”到“低压大电流直流”的逐级变换过程。电网侧通常以10kV/35kV等中压交流接入数据中心，先通过变压器、UPS/HVDC或SST等设施侧电源系统，转换为数据中心可用的直流或低压交流电；随后在机柜或服务器侧进一步转换为48V/12V等中间电压；最后在GPU/CPU/ASIC附近，通过板级VRM/POL等三次电源，把中间电压转换为芯片核心所需的约1V左右低压、大电流电源。
数据中心供电链路按电压变换层级可分为一次、二次、三次电源：一次电源为设施侧电源，负责电网到数据中心直流母线的变换，位于服务器柜内或柜外，通过AC/DC将交流电转换为800VDC、±400V或48V直流；二次电源为机柜/服务器侧DC/DC，负责高压直流到中间电，主要位于服务器内部，将800VDC、±400V或48V等电压进一步转换为服务器可用的12V；三次电源则位于GPU、CPU、ASIC周边，通过VRM/POL等将12V、6V等中间电压进一步降至芯片核心所需的约0.8—1V低压大电流，直接影响供电稳定性、瞬态响应和芯片性能释放。
1.2芯片功耗跃升，推动电源技术持续升级
AI芯片迭代正在持续推高单芯片功耗。以GPU为代表，A100、H100、Blackwell、Rubin等平台功耗不断提升；同时，谷歌TPU、亚马逊Trainium等自研ASIC功耗也快速接近高端GPU水平。芯片功耗的提升并非停留在服务器内部，而是通过整机、整柜、整集群层层放大，最终传导至供电链路系统。
在这一趋势下，电源系统需要从传统低功率、分散式架构，升级为更高电压、更高效率、更高功率密度的供电体系，电源不再是后端配套，而是决定AI芯片性能释放和集群稳定运行的核心基础设施。
1.3电源升级的本质是降低I2R损耗：升压降电流&近距降低电阻
AIDC功率密度持续提升后，供电系统的主要约束正由单一转换效率，转向大电流传输引发的导通损耗、散热压力和工程实现难度。据NVIDIA披露，从Hopper到Blackwell，单GPU功耗提升约75%；随着NVLink计算域扩展至72颗GPU，整柜功率密度提升约3.4倍，AI机柜功率由数十kW快速迈向100kW以上，并进一步向MW级演进。在功率关系P=VI下，若供电电压V不变，功率提升将对应电流I近似同比增加；而导体损耗满足P=I2R，因此电流增加会以平方关系放大线路损耗。以12V和48V配电为例，在输送功率和线路电阻相同的情况下，电压提升4倍可使电流降至1/4，理论导通损耗降至1/16。因此，AIDC电源架构升级的核心并非单纯追求某一级转换器效率提升，而是围绕I2R损耗重新配置供电路径，通过降低电流I或路径电阻R，缓解铜耗、发热、空间和系统效率约束。
第一条路径是提高机柜及数据中心配电电压，以降低远距离输电电流。在输出功率一定时，电流满足I=P/V，提升母线电压能够同步降低电缆、铜排和连接器中的电流及I2R损耗，并减少导体截面积需求。当AI机柜功率进一步迈向MW级，行业正由48/54V向800VDC演进。TI测算，在1MW机柜中，50V母线对应理论电流约20,000A，而800VDC仅需约1,250A，电流降至原来的1/16，有助于降低高电流母排、连接器和线缆的设计压力。NVIDIA指出，现有54V架构在机柜功率超过约200kW后面临扩展瓶颈，在1MW机柜情景下，仅机柜Busbar可能需要约200kg铜，其800VDC方案相较当前54V系统最高可实现约5%的端到端效率提升。
第二条路径是缩短芯片侧低压大电流的传输距离，以降低PDN电阻R。对于GPU、ASIC等高性能计算芯片，核心电压通常维持在1V附近甚至更低，在功率持续提升的情况下，芯片侧电流将被动上升。根据P=UXI和P损耗=I2R，同等功率下，电压越低，传输电流越大，路径损耗会按电流平方放大。若低压大电流需要在PCB、封装供电网络和芯片附近横向长距离传输，即使路径电阻仅为毫欧级，也会带来显著压降和热损耗；例如在2000A电流、1mΩ路径电阻假设下，I2R损耗即可达到4kW量级，工程上难以接受。因此，芯片侧供电升级的核心方向，是尽可能缩短低压大电流路径，并将电源转换环节前移至更靠近负载的位置。传统板级VRM/POL方案逐步面临面积、效率、瞬态响应和热管理约束，后续有望向模块化POL、PowerBlock、VPD垂直供电乃至更高集成度的IVR/SIVR方向演进。
2、柜外HVDC系统升级路径：Sidecar、巴拿马、SST
随着AI机柜功率从100kW向MW级甚至更高演进，传统“工频变压器+UPS+PSUM的多级交流供电链路逐步暴露出转换级数多、低压大电流铜耗高、线缆复杂、机房空间受限和瞬态响应不足等问题。后续供电系统升级大致有三条路径：800VHVDC偏短中期高压直流化，SST偏长期终局架构，巴拿马方案偏机柜级标准化和快速交付。
2.1Sidecar：兼容存量交流架构，800VDC率先落地
Sidecar的核心是在IT机柜旁配置独立的列间电源柜，将现有480Vac就地转换为±400VDC或0-800VDC，再向相邻AI计算机柜供电，从而在保留上游交流配电体系的基础上实现高压直流供电。Sidecar通过将电源供应单元（PSU）、电池备份单元（BBU）等关键供电组件从IT机柜中剥离，整合至独立的专用机柜。该独立电源柜通过低阻抗铜排（busbar）直连服务器机柜，实现能量高效传输。这种物理分离既释放了IT机柜空间以部署更多GPU，又规避了大电流传输导致的铜排与散热瓶颈。
Sidecar的竞争力主要来自其对存量数据中心基础设施的兼容性。在上游交流容量和列间空间满足要求的情况下，可以通过新增SidePowerRack向AI机柜提供800VDC，而无需同步改造中压变压器及既有480Vac配电系统。OCP指出该路径是无需改造上游电气基础设施、实现800VDC能力的最快方案。NVIDIA也将Sidecar/Power Rack定位为现有AC数据中心向原生800VDC AI Factory演进的过渡架构，面向MGX平台的800VDC Power Rack计划于2026年下半年导入，可接入现有AC基础设施，并在机柜列间向计算机柜提供800VDC。该架构能够延续既有土地、电力接入及建筑电气设施的使用价值，降低800VDC导入对存量电气基础设施的改造成本和切换风险。
全球主要电源厂商正在加快800VDC Sidecar布局，产品形态逐步向“AC/DC转换+短时储能+高压直流配电+保护控制”一体化Power Rack收敛。台达Sidecar单柜功率约800kW，输入480Vac、输出±400VDC，采用30个30kW PSU及N+2冗余设计，并在柜内集成CBU/BBU和高压直流配电模块。光宝方案单柜功率约660kW，通过多个110kW Power Shelf完成交流输入至800VDC母线的变换，并配置相应BBS/BBU备电单元。整体来看，头部厂商正在由单一PSU产品向包含功率转换、储能、配电和控制在内的完整Power Rack平台演进。
2.2巴拿马：中压侧高度集成，推动MW级供电快速交付
目前国内HVDC产品以巴拿马电源为代表的高集成模块为主。2019年阿里巴巴携手台达、中恒电气推出了巴拿马电源，该方案集成了10kVac中压配电、变压器、模块化直流电源和输出配电单元等环节，对中压10KVac-240Vdc的磁路和电路进行联合设计，取代了传统架构从中压引入到直流输出之间的众多中间设备，具有超高效率、高可靠性、高功率密度、高功率容量、兼维护方便等特点，整体系统效率可达到97.5%。
巴拿马电源的主要价值并非单纯提升转换效率，而是通过中压侧系统集成同时降低设备数量、占地和现场工程复杂度，更适合大型数据中心以预制化方式进行MW级供电部署。中恒电气的巴拿马系统单套能支持2.4MW IT负载，并采用工厂预装调试、现场快速安装的交付方式，体现了其在大容量和模块化部署方面的优势。
随着AI机柜功率的提升，巴拿马架构也从传统240V/336V输出向800VDC升级，以降低后段直流配电电流并适配高功率AI集群。在模块层面，中恒电气已经推出60-125kW、
800V大功率整流模块，采用全SiC方案，单模块效率超过98%，为巴拿马架构向800VDC升级提供了核心功率变换单元。在系统方面，中恒电气新加坡全资子公司旗下合资公司SuperX进一步推出800VDC系统，将中压柜、移相变压器和800V整流柜组成中压至GPU侧的高压直流供电路径，并面向1MW以上高功率AI机柜，因此巴拿马方案的演进方向已经转向“中压侧高度集成+800V高压直流输出”。
2.3SST：中压直转800VDC，重构AIDC长期供电架构
固态变压器（SST）在极致的功率密度与效率提升上更具优势。SST利用碳化硅（SiC）等大功率半导体器件替代了传统变压器的铜线与铁芯，能够直接将中压交流电“一步到位”转化为800V直流输出。根据法拉第电磁感应定律，变压器的工作频率越高，其所需的磁芯体积就越小。传统变压器受制于电网频率只有50-60Hz，必须依赖极其庞大的硅钢片磁芯和极其粗壮的铜线圈来维持电压转换。而SST通过前端的电力电子器件，主动将直流电逆变成高频交流电，其变压器的工作频率可达20kHz甚至100kHz。这意味着，在同等功率下，SST内部高频变压器的磁芯体积，可以缩小到传统工频变压器的几十分之一。这种“单级直交转换”与“高频微缩”特性，不仅大幅缩短了供电链路、改善了整站PUE，更直接为AIDC释放出海量空间，使其能容纳更多的高价值算力机柜。
从落地节奏看，SST不会一步到位替代传统方案，而是沿着“示范验证—工程化导入—平台化部署”渐进推进。短期传统方案仍为主流，SST以验证项目为主；中期随光储充及高密度数据中心场景成熟，带动产业链完善；长期若800VDC架构普及，SST将演进为算力侧模块化电力平台。
当前SST正加速迈向MW级产品化，头部厂商已逐步推出产品并验证。台达推出的SST基于SiC中压高频功率模块，转换效率达98.5%，单功率柜1MW输出、占地仅1㎡、较传统方案减少50%以上，公司已于2025年11月联合美团、秦淮数据全球首发SST智能直流供电商业化方案，并于2026年7月在秦淮数据环首都·桑园基地正式投运，为行业首个算力中心SST供电项目。阳光电源也于2026年7月9日推出面向AIDC的EnerNeo?固态变压器，单套额定功率3MW、输出800VDC、峰值效率98.5%，并采用“6+3”中压模块弹性冗余及低压侧在线热插拔设计，与东阳光、中联数据签署战略合作暨框架采购协议。随着未来AIDC供电由Sidecar逐步向MVAC直转800VDC演进，SST有望成为新建超大规模AI数据中心进一步减少供电层级、提升功率密度的重要设施侧设备。
3、柜内电源：800V向板级下沉，低压大电流推动近芯片供电演进
3.1二次电源：Shelf/Tray级多种方案并行，高频高变比DC/DC拉动GaN需求
对于800V入柜后，存在两种降压方式：一种是在柜内保留powershelf（PSU），实现800V降至50V，再给tray供电；另一种更激进，柜内取消powershelf（PSU），在tray里面实现800V直降12V/6V等，目前规格比较多，尚未收敛。
Shelf级方案更偏向800V导入初期的兼容路径。800VDC进入ITRack后，由机柜内DC/DCPower Shelf统一降至50V左右，再通过低压Busbar向现有Compute Tray供电，因此无需同步重构服务器内部既有50V供电架构。以台达方案为例，其1U 90kW DC/ DC Power Shelf由6路15kW功率单元组成，采用隔离型800V→54V架构。该方案在引入800V高压直流的同时保留现有低压服务器供电体系，更适合作为架构演进初期兼顾升级与兼容性的方案。
Tray级方案则进一步将高压直流延伸至服务器内部，把最后一级高变比DC/DC从Rack/Shelf侧移动至Compute Tray甚至GPU附近，从而缩短50V、12V等低压大电流在机柜内的传输距离，并进一步释放PowerShelf及低压Busbar占用的空间。NVIDIA Kyber架构将800V直接送至每个Compute Node，并在GPU附近通过64:1 LLC单级高变比转换器直接降至12VDC，相较传统多级转换方案占用面积减少26%。
对于Tray级方案而言，目前规格比较多，尚未收敛。意法半导体于2026年3月与英伟达合作推出800VDC直转12V和800VDC直转6V两套架构，两者均基于英伟达800VDC参考设计开发，并与此前800V→50V方案共同构成面向不同AI服务器形态的供电体系。800V→12V路取消了传统54V中间转换级，由800V直接进入高密度PDB并转换至12V，从而减少电压转换级数和系统级损耗，同时降低铜材需求并简化下一代GPU与电源系统的集成。而800V→6V方案则进一步将低压母线推至GPU附近，使低压大电流仅在更短的距离内传输，主要目标由减少转换级数进一步延伸至降低IR Drop和改善GPU瞬态供电能力，降低铜材用量和电阻损耗。从产业路线看，Tray级直降目前并未收敛至单一输出电压，ST判断未来50V、12V和6V中间直流母线将根据GPU代际、服务器高度、机柜密度及热设计差异长期共存，意味着800V进入服务器后的电源拓扑仍将呈现多方案并行演进。
Sidecar和SST更多改变的是设施侧至机柜侧的供电架构，而随着800VDC进一步进入ITRack甚至Compute Tray，下一级DC/DC的输入电压也由传统48/54V提升至800V，电源产业链的技术难点由“大功率高压输电”进一步向“高压、高变比、高功率密度板级转换”迁移。因此，相比800V→50V Shelf方案仍保留集中式中间母线，800V直接进入板级后再降至12V、6V等低压母线，在进一步减少低压大电流在机柜内的传输距离和中间转换层级的同时也对板级DC/DC的转换效率、尺寸和热设计提出更高要求。
800V直降板载的供电架构对功率密度提出了极为苛刻的要求，而氮化镓（GaN）是当前唯一能同时满足高频、高效、小型化三重约束的功率器件路线。为进一步压缩磁性器件体积，系统开关频率需要由传统机架电源约数百kHz向接近1MHz提升，高频化由此成为800V板级电源提升功率密度的重要手段。据英诺赛科测算，当开关频率提升至1MHz时，磁芯尺寸可缩小约50%。但随着频率提升，传统硅基及SiC器件的开关损耗同步增加，高频场景下效率与散热压力进一步凸显，而GaN凭借较低的开关损耗、较小的寄生参数以及无反向恢复等特性，在高频、高效率和小型化方面具备更强适配性。据英诺赛科，其第三代GaN器件应用于800V输入侧时，相较SiC方案可降低约80%的驱动损耗和50%的单半周期切换损耗，并使整体功率损耗下降约10%，在MHz级高频DC/DC场景中的优势进一步放大。我们认为，随着800VDC持续向机柜及板级下沉，高压、高变比和高频化将共同推动GaN渗透，并带动单柜GaN器件用量及价值量提升。
3.2三次电源：从分立式向模块化与垂直供电演进
传统的分立电源组成复杂，需要配置多种外围元器件，包括脉宽调制器（PWM）、控制器、MOSFET、输入电容、输出电容、功率电感等，且上述元器件的选型均需随设计方案调整，设计难度与成本高。与分立电源相比，模块电源在成本、性能、空间利用和可靠性等方面具备优势。目前除了英伟达GPU，大部分ASIC芯片采用模块化方案，其中以小型标准模块占比最多。
首先，分立式电源方案的设计与制造效率较低，通常需要占用较大的PCB面积，以容纳更复杂的物料清单（BOM）以及连接各类元器件所需的电路。在多数设计中，分立式方案通常仅使用PCB单面布局，导致PCB尺寸进一步扩大。相比之下，电源模块可通过集成型PCB的双面布局最大化利用设计空间，不仅显著缩小占用面积，也有助于提升功率密度。
其次，模块统一的平面封装结构有利于形成更顺畅的气流路径，从而实现更快速、有效的散热。最后，由于模块所需连接更少，装配过程中出现质量缺陷的概率更低，操作员处理电路板的次数也相应减少，从而降低静电放电损伤风险。因此，模块电源整体可靠性更高。
同时，从供电架构来看，在过去很长时间中服务器主板一直以传统的横向供电（LPD）架构为主，这种架构将多相稳压模块(VRM)或负载点电源(POL)一圈一圈地摆放在GPU芯片的四周，电流顺着铜箔走线长途跋涉送入芯片内部。LPD提供了两级供电系统：第一级为非稳压IBC，将48V降压至IBV；第二级由多个VR构成，为GPU不同域提供精确稳压和调频功能，同时满足瞬态要求。
尽管LPD这一方案技术成熟、久经考验，却受制于基础物理定律。随着处理器工作电流不断攀升，供电网络（PDN）内的电阻和电感效应所引发的功率损耗也随之加剧。而垂直供电架构（VPD）通过穿透PCB层垂直向上输送电力，直接给上方的处理器供电，从而有效缩短了从VRM到SoC的电力传输距离。实现这一目标的核心手段之一，则是将POL直接放置在PCB背面、处理器正下方，以此缩短次级供电轨的长度，在性能与空间效率上具备显著优势。在更远的未来，基板集成电压调节器供电（SIVR），将电压调节器直接集成在基板上，垂直传输路径进一步精简，或将成为损耗控制的最优解。英飞凌在2023年就提出过这样的概念，不过这些迭代主要靠处理器厂商牵头来做，目前背面垂直供电刚刚进入大规模商业化阶段。
总体来看，三次电源正由传统分立式多相Buck，逐步向模块化、垂直供电及更高集成度演进，DrMOS、电容、电感、PCB等核心零部件环节技术壁垒持续提升。随着AI芯片功率持续提升，单纯依靠增加供电相数已难以同时满足大电流、瞬态响应、板级空间和散热等要求，行业开始将DrMOS、磁性元件、电容等进一步集成至高密度电源模块中，以缩小供电面积并提升功率密度。在此基础上，VPD垂直供电进一步将POL部署至GPU/ASIC背面，直接缩短低压大电流传输路径，在降低PDN阻抗和线路损耗的同时，也可释放芯片周边PCB空间，用于HBM、高速I/O等器件布局。从技术演进节奏看，短期内多相Buck+DrMOS仍将是GPU、CPU和ASIC核心供电的主流方案，单芯片功率提升将带动供电相数、单相电流能力、数字控制精度，以及配套电感、电容和高阶PCB需求同步升级。中期看，TLVR、模块化POL和VPD有望加快导入，分别从提升瞬态响应、提高系统集成度和缩短供电路径等角度改善芯片侧供电性能。长期看，随着先进封装、Chiplet和HBM持续演进，IVR、SIVR及封装级电源有望进一步向基板甚至芯片内部集成，推动三次电源由板级供电持续向近芯片和封装级供电迁移。
4、投资建议：重点推荐受益于技术迭代的电源及零部件公司
底层逻辑：芯片功耗提升，电源升级本质是降低I2R损耗。AI芯片和机柜功率持续提升，若电压不变，电流大幅增加，线路损耗按电流平方放大。机柜外部通过升高电压降低电流，芯片侧通过缩短低压大电流路径降低电阻，推动电源系统从传统低压交流向高压直流、模块化和近芯片供电演进。
一次电源：PSU/HVDC率先兑现，SST具备终局弹性。短期看PSU高功率升级和HVDC/Sidecar订单落地，核心跟踪客户验证、出货节奏和份额提升；中长期看SST通过中压直入、高频隔离和800VDC输出重构供电链路，具备更强架构重估空间。
二次/三次电源：800V直降与模块化供电打开新增量。800V进入机柜后，二次电源可能从800V→50V过渡，逐步向800V直降12V/6V演进，低压侧高频化有望提升GaN用量；三次电源则受益低压大电流和VPD垂直供电趋势，DrMOS、电容、电感、PCB、模块价值量有望提升。
风险提示
1．AIDC资本开支不及预期风险
AI电源产业链需求增长的基础来自全球AI算力基础设施持续扩张。若后续大模型训练及推理需求增长放缓，云厂商资本开支出现下修，或AI数据中心建设进度、上电节奏低于预期，可能导致AI服务器及高功率机柜出货量低于预期，并进一步影响PSU、HVDCPowerRack、SST、高压DC/DC、功率半导体、磁性元件、PCB及三次电源等相关环节的需求释放和业绩兑现。
2．800VDC架构渗透及产业化进度不及预期风险
本报告的重要投资逻辑建立在AI机柜功率持续提升、供电系统逐步由传统低压架构向800VDC高压直流架构演进的基础之上。若未来机柜功率密度提升速度慢于预期，现有48/54V等供电方案通过效率优化仍能够满足较长时间需求，或数据中心上游电气基础设施改造受到成本、安全标准及工程实施条件限制，则Sidecar/HVDC、800V柜内DC/DC及相关高压器件的渗透速度可能低于预期。
3．AI芯片功率提升及技术路线变化风险
本轮AI电源升级的重要驱动力来自GPU/ASIC单芯片功耗及整柜功率持续提升。若未来芯片通过先进制程、架构优化、低功耗设计或系统级调度显著降低功耗增长斜率，可能削弱高压供电和低压大电流电源升级的迫切性。同时，柜内800V目前仍存在Shelf级800V→50/54V以及Tray级800V→12V/6V等不同方案，芯片侧亦存在分立式多相供电、模块化POL、VPD以及长期IVR/SIVR等多条技术路线，若最终主流方案与当前判断存在差异，可能影响不同产业链环节的受益程度。
4．客户认证及订单放量不及预期风险
AI数据中心及GPU/ASIC供电系统对转换效率、功率密度、瞬态响应、温升、EMI及长期可靠性要求较高，新产品通常需要经历样品测试、平台验证、小批量试产以及供应链认证等多个环节。若相关公司进入海外云厂、服务器厂商或芯片平台供应链的进度慢于预期，或已取得认证及送样的产品未能顺利转化为规模订单，可能导致相关公司收入增长及业绩兑现节奏低于预期。
5．行业竞争加剧、盈利能力及供应链风险
随着AI电源市场空间扩大，传统电源厂商、功率半导体厂商、磁性元件厂商及模块电源企业均可能加快进入相关领域，若行业竞争加剧、客户推动多供应商策略或产品价格下降速度快于成本下降速度，相关企业毛利率和盈利能力可能承压。同时，800VDC、SST及近芯片供电涉及SiC/GaN、高端磁性材料、模拟及电源管理IC、高阶PCB、先进封装等多个关键环节，若出现关键元器件供应紧张、原材料价格上涨、国际贸易政策变化或供应链扰动，可能对相关公司产品交付和盈利能力产生不利影响。
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《从柜外到柜内：Al电源升级的两场战役——AIDC系列深度》
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报告信息
证券研究报告：《从柜外到柜内：Al电源升级的两场战役——AIDC系列深度》
报告日期：2026年9月2日
作者：
姚 遥 SAC执业编号：S1130512080001
宇文甸 SAC执业编号：S1130522010005
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