传：长鑫存储进军NAND闪存！

转载来源：深科技 传：长鑫存储进军NAND闪存！ http://mp.weixin.qq.com/s?__biz=MzIxODI2NTY4OQ==&mid=2247548382&idx=1&sn=206292c1bff72c54393bdfe30fe558f4&scene=45#wechat_redirect

长鑫存储被曝进军NAND闪存：从内存到存储，国产芯片迎来新战场

深科技9月18日消息，据用户提供的界面新闻报道截图，路透社援引消息人士称，长鑫存储正准备进入NAND闪存市场，计划在北京新工厂建立相关研发生产线。不过，项目何时运营、是否进一步转向大规模商业化制造，目前尚不明确。

如果这一计划落地，长鑫的业务边界将从DRAM内存延伸至NAND闪存。要理解这一步的分量，需要先弄清楚几个经常被混用的概念：存储芯片、内存、闪存、固态硬盘，以及AI时代备受关注的HBM，究竟是什么关系？

1、长鑫为何瞄准闪存？

长鑫存储成立于2016年，总部位于安徽合肥。根据公司官网，其长期专注于动态随机存取存储芯片，也就是DRAM的设计、研发、生产和销售，产品应用覆盖移动终端、电脑和服务器等领域。

此次受到关注的NAND闪存，则是另一条重要技术路线。它主要承担数据的长期保存，是固态硬盘、手机存储等产品的核心组成部分。

对长鑫而言，布局NAND意味着尝试从“支撑程序运行”拓展到“保存海量数据”。从产业逻辑看，这有助于扩大产品覆盖范围，但同时也意味着新的研发、制造与客户验证投入。

路透社的报道指向一项潜在业务扩张计划，不能据此认定长鑫已经实现NAND量产，更不能直接推导出其已获得规模化市场份额。来源：路透社报道

2、内存与存储有何区别？

日常购买手机时，人们经常看到“16GB＋512GB”的配置。这两个数字虽然都用GB表示，承担的任务却不同。

16GB通常指运行内存，主要使用DRAM，负责暂时存放正在运行的程序和数据；512GB通常指机身存储容量，主要使用NAND闪存，负责保存照片、视频、应用和文件。

可以把内存理解为办公桌，把长期存储理解为文件柜。桌面越宽敞，越容易同时处理多项任务；文件柜越大，能够保存的资料越多。不过，设备实际运行速度还取决于处理器、软件优化和数据读写性能，并非容量越大就一定越快。

两者还有一个关键区别：普通DRAM断电后无法保留数据，而闪存能够在断电后保留数据。因此，内存主要服务于当前计算，闪存主要承担长期保存。来源：惠普内存与存储科普

3、DRAM、NAND和NOR是什么？

“存储芯片”是一个较宽泛的产业概念，DRAM和闪存都属于其中的重要类别。闪存又主要分为NAND Flash和NOR Flash，不能简单把所有闪存都等同于NAND。

其中，DDR、LPDDR是DRAM的重要产品类别。DDR常见于电脑和服务器，LPDDR强调低功耗，广泛用于手机等设备。

NAND更注重容量密度与单位容量成本，适合保存大量数据；NOR则适合代码读取等用途。不同技术各有所长，不能简单用“谁更先进”判断谁会取代谁。

4、闪存就是固态硬盘吗？

NAND闪存是芯片，SSD固态硬盘是完整的存储产品，两者并不等同。

一块SSD通常由NAND闪存、主控芯片、固件等部分组成，部分产品还配有独立DRAM缓存。NAND负责保存数据，主控与固件则负责数据管理、纠错、磨损均衡等工作，共同决定产品性能、寿命和稳定性。

同样使用NAND的两款SSD，也可能因为主控、接口、固件和闪存配置不同，呈现出明显差异。生产出NAND芯片，只是进入存储产业链的重要一步，距离形成成熟的企业级存储产品，还需要系统层面的积累。

如今经常提到的3D NAND，是把存储单元向垂直方向堆叠，以提高容量密度；TLC和QLC则分别表示每个存储单元保存3比特和4比特数据。堆叠层数与单元存储位数是两个不同维度，不能混为一谈。来源：美光NAND产品介绍

5、HBM与闪存有何关系？

AI芯片带火了HBM，也让不少人误以为HBM是一种更快的闪存。

实际上，HBM属于DRAM技术体系，全称是高带宽内存。它通过堆叠多颗DRAM芯片、采用宽接口互连等方式，向AI加速器提供高带宽数据访问能力，并不属于NAND闪存。来源：美光HBM技术介绍

在典型AI服务器中，不同存储器件承担着不同任务：HBM服务于加速器的高带宽计算，服务器DRAM承担主机工作内存的角色，基于NAND的SSD则用于保存数据集、模型文件和检查点等内容。

这解释了为什么AI发展会同时带动多类存储需求。算力越强，越需要及时获得数据，也越需要保存训练和推理过程中产生的信息。但HBM、DRAM和NAND的需求节奏与供需状况并不完全一致，不能把它们当成同一个市场。

6、从DRAM跨向NAND有多难？

两者都属于存储芯片，并不意味着制造技术能够直接复制。

DRAM需要围绕存储单元、电容结构、速度和功耗持续优化；主流3D NAND则需要解决高层数堆叠、深孔刻蚀、材料沉积及复杂结构中的一致性问题。从研发样品走向稳定量产，还要跨越良率、成本、可靠性和客户认证等关口。

因此，评价长鑫潜在的NAND业务，关键不只是“是否进入”，而是后续能否形成有竞争力的产品、可持续的制造成本和稳定交付能力。

深科技认为，对存储制造企业而言，产品做出来只是起点，能够在行业周期中持续迭代、满足客户要求，才是长期竞争的基础。

7、国产存储竞争走向哪里？

长鑫存储与长江存储名称相近，却是不同的企业。此前两者分别以DRAM和NAND为主要业务方向，也是讨论国产内存、国产闪存时需要区分的对象。

如果长鑫推进NAND业务，其与长江存储的业务范围就可能出现更多交集，同时也将面对三星、SK海力士、美光等厂商的竞争。这样的变化，意味着国产存储企业可能逐步从单一主攻方向，走向更广的产品布局。

但研发计划不等于量产成果，新增参与者也不意味着市场格局会立即改写。对于产业链而言，更值得关注的是技术路线、产品验证、量产进度与客户采用情况。

从个人电脑时代的内存条，到智能手机里的闪存，再到AI服务器中的HBM和企业级SSD，存储芯片始终围绕同一个问题演进：如何让数据存得下、取得快、用得起。长鑫此次被曝布局NAND，正为这场长期竞争增添新的变量。