📌 事件:中芯国际探索背面供电,先进制程路径出现新变化
据TrendForce 9月17日报道,中芯国际正考虑在N7/N5工艺中采用背面供电技术。在先进制程缩微难度日益增大、且EUV设备获取受限的背景下,通过将供电网络转移至晶圆背面,以缓解正面布线拥堵与供电压降问题。业内人士透露,国内领先设备制造商正在加大对中芯国际N7/N5工艺BSPD技术研发的支持力度,其中中微公司的ALD设备已通过中芯国际验证。
🔬 技术科普:什么是背面供电?
背面供电可以简单理解为:芯片正面主要负责传信号,背面负责送电。原先挤在正面的电源线和信号线分开布置,有助于缓解布线拥堵、降低供电压降。
按照imec介绍的一种背面供电方案,晶圆需要先完成键合和翻转,再通过背面研磨、CMP以及干湿法蚀刻等步骤减薄,随后制作背面连接结构。CMP参与其中的精密平坦化加工,研磨液就是这一环节使用的关键耗材。
传导路径:背面供电推进 → 背面加工与平坦化需求增加 → CMP材料迎来应用拓展机会。
📊 市场空间:CMP材料持续扩容
化学机械抛光(CMP)是唯一可实现晶圆全局原子级平坦化的超精密加工技术。根据Tech Insights数据,2025年全球半导体CMP抛光材料(包括抛光液和抛光垫,其中抛光液占比近60%)市场规模约38亿美元,2026年预计增长10%至42亿美元。
随着半导体技术节点持续向更先进的GAA晶体管架构、3D堆叠结构及背面供电等技术演进,CMP工艺的复杂性和工艺步骤预计将不断提高。Tech Insights预计2025-2030年全球半导体CMP抛光材料市场规模复合增长率为10%,2030年市场规模将突破60亿美元。
🎯 核心标的:$上海新阳(sz300236)$——半年报已写明产业逻辑
上海新阳在2026年半年报中明确指出,随着GAA、3D堆叠及背面供电等技术演进,CMP工艺的复杂程度和步骤预计继续增加。这一判断,将背面供电与抛光材料需求直接联系起来。
已有产品进入产线,具备先发优势。 公司CMP研磨液产品已布局STI、Poly、W等系列,2025年半年报披露相关系列完成客户端测试验证并进入批量化生产阶段。CMP研磨液销售额同比增长140%,先进制程STI slurry、Poly slurry产品持续导入国内主流晶圆厂。
产能布局同步跟进。 公司已在长三角布局松江、合肥、上海化工区三大生产基地。合肥新阳研磨液产线已顺利投产,合肥基地规划产能扩充至4.35万吨/年,松江本部128亩新建项目规划5万吨/年,上海化学工业区规划3.05万吨/年,总规划产能超11万吨/年,为后续业务扩张提供了生产基础。
📊 另一核心标的:$安集科技(sh688019)$——多品类CMP抛光液覆盖
安集科技2026年上半年化学机械抛光液实现收入12.04亿元,同比增长29.47%,毛利率约55.58%。产品覆盖铜及铜阻挡层、钨、介电材料、金属栅极等多类抛光液,在先进制程持续上量,多个新客户将公司产品作为首选供应商并实现量产销售。
潜在增量:随着新材料、新工艺导入,关注定制配方验证、客户覆盖和产品放量。安集科技在先进封装用抛光液领域也在持续加强布局。
📈 增量从哪里来?三个维度
维度一:加工环节增加,拓展材料使用场景
背面供电涉及晶圆背面的精密加工,随着相关工艺逐步导入,有望增加CMP材料的使用环节。对于耗材企业,新的加工步骤意味着新的配方开发和配套机会。
维度二:平坦度要求提高,推动高性能产品需求
芯片背面需要减薄并形成精细连接结构,对厚度均匀性、表面状态和缺陷控制提出要求。这给材料厂商提供了通过配方优化、产品升级提高供货价值的空间。
维度三:国产导入加速,验证与放量并行
已有产品进入产线,意味着公司积累了材料配方、客户验证和量产服务经验。在新工艺不断推进的过程中,这些积累是争取后续应用的基础。
⚠️ 核心风险提示
第一,技术路线落地节奏不确定。 背面供电目前仍处于工艺开发阶段,从技术验证到规模量产存在时间差,具体工艺路线和量产进度尚不明确。
第二,新增需求取决于工艺路线选择。 背面供电对CMP材料的增量需求,取决于最终采用的工艺路线和量产节奏,并非所有方案都会带来同等的材料消耗。
第三,公司层面存在验证不确定性。 本文提及的两家公司虽具备CMP材料产品基础,但背面供电项目是否直接采用其产品,仍需关注后续客户验证和订单兑现情况。
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