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武汉120亿元芯片项目通线：200G先行，400G光芯片进入验证

武汉半导体产业再迎一座重要晶圆厂。

9月28日，先导科技集团旗下先导芯光电子科技（武汉）有限公司（简称“先导芯光”）晶圆厂在武汉光谷正式通线。该晶圆厂是先导科技集团投资120亿元建设的高端化合物半导体材料及芯片产业化基地制造核心，建有磷化铟4/6英寸与砷化镓6/8英寸双材料大尺寸光电芯片平台。

随着项目从建设阶段进入工艺认证与产品导入阶段，武汉在光通信芯片、化合物半导体以及高端晶圆制造领域再添重要产能。

武汉加码半导体

近年来，武汉持续将集成电路作为重点发展的战略性新兴产业之一，并依托光谷形成覆盖存储芯片、光通信芯片、化合物半导体、芯片设计、晶圆制造、封装测试、设备材料等环节的产业集群。

尤其在光电子领域，武汉拥有较深的产业积累。“中国光谷”长期聚集光通信、光器件、激光以及光芯片产业资源，这也为磷化铟、砷化镓等化合物半导体产业发展提供了基础。

此次120亿元先导芯光项目通线，则进一步将武汉化合物半导体产业向大尺寸晶圆制造和高端光芯片环节延伸。

120亿元项目通线

先导芯光晶圆厂最值得关注的，是同时布局磷化铟和砷化镓两大化合物半导体材料平台。

其中，磷化铟（InP）产线主要面向高速光通信，覆盖激光器、调制器、探测器等光器件，同时承载高速电器件工艺，使光芯片与电芯片可以在同一条产线上完成制造。

砷化镓（GaAs）产线则覆盖VCSEL（垂直腔面发射激光器）等光电器件以及射频工艺，同时面向光通信和射频通信两大市场。

与传统硅基芯片相比，磷化铟、砷化镓在高速光通信、激光器、射频前端等领域具有重要应用价值。随着AI数据中心向800G、1.6T高速光互连升级，上游光芯片及化合物半导体制造能力的重要性进一步提升。

200G先行，400G跟进

通线只是开始，接下来真正关键的是客户导入和量产。

据介绍，先导芯光通线后，研发批和工程批已经启动，其中200G光芯片代工率先导入，400G平台相关项目同步进入流片与验证阶段。未来平台将通过晶圆代工和联合研制两种模式向产业链开放。

值得关注的是，产能尚未完全释放，订单已经先行。

本月，先导科技集团联合安徽先导极星科技有限公司、武汉光谷量子技术有限公司，承接海外头部客户面向下一代单模400G光互连的联合研制预研订单，涉及12项联合研制项目，最终量产计划均落在先导芯光。

与此同时，武汉光谷量子的磷化铟光芯片已经在100G和200G速率形成供货，量产同样依托先导芯光晶圆厂。

抢占AI光通信

AI算力爆发，正在推动数据中心光互连进入新一轮升级周期。

从400G、800G向1.6T演进，光模块内部的激光器、调制器、探测器以及高速电芯片都面临升级，而磷化铟正是高速光芯片的重要材料体系之一。

先导科技集团还在本月与广州慧智微电子股份有限公司签署战略合作协议，双方计划围绕单模400G及更高速率电芯片、卫星通信射频前端芯片展开联合研制。

这意味着先导芯光的目标并不只是建设一座化合物半导体晶圆厂，而是试图覆盖“材料—衬底—晶圆制造—光芯片/射频芯片”的产业链。

武汉再添一块拼图

先导科技集团联席总裁侯振富表示，先导芯光通线是集团“从材料到芯片”战略在武汉落地的关键一步。集团此前在稀散金属及化合物半导体衬底领域的积累，也由此进一步延伸至晶圆制造和芯片环节。

放到武汉半导体产业版图中来看，这座120亿元项目的意义更加明显。

武汉已经形成以存储芯片为重要支柱，同时向光芯片、化合物半导体、先进封装、设备材料等领域延伸的产业格局。特别是在AI数据中心高速光互连需求快速增长的背景下，武汉原有的光电子产业优势正在与半导体制造进一步融合。

从100G、200G到400G，再到未来更高速率光互连，先导芯光此次通线，也让武汉在AI光通信和化合物半导体制造赛道再添一块重要拼图。

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