光刻一周要闻 · 2026年第43期  

    蔡司确认 High-NA 量产就绪 · 尼康佳能加速扩产 · 三星 NVHBM 借道台积电 3nm  

2026年第43期 ｜ 2026-10-18 ~ 2026-10-24

本期导读  

• High-NA 量产叙事获光学侧确认：蔡司 SMO 总裁在 DIGITIMES 专访中表示，High-NA EUV 已具备量产条件，蔡司订单已排至 2027 年，未来数年产能被预订一空。    

• 日系设备"两头抢位"：尼康官宣正在开发首款面向先进封装的无掩模后端数字光刻机；佳能计划 2027 年把光刻设备产量提升至今年的 1.5~2 倍。    

• 材料端量价齐动：富士胶片扩建静冈与平泽 EUV 光刻胶产能、部分产品已通过头部客户认证；南大光电确认 ArF 光刻胶通过验证产品保持连续稳定供货。    

• 三星为英伟达 NVHBM "低头"：据首尔经济日报报道，三星决定将 NVHBM 基础裸片交由台积电 3nm 代工，这是三星首次在 HBM 制造阶段与台积电合作。    

• 台积电 2nm 基地敲响工安警钟：高雄 F22 新建工程事故致 4 名工人遇难，全台新建厂区钢构作业自主停工；同周台积电证实已派团队赴得州考察扩产。    

一、技术进展  

    1. 【蔡司 SMO 总裁：High-NA EUV 已具备量产条件，订单排至 2027】  

    来源：DIGITIMES（蔡司半导体制造光学总裁 Christoph Hensche 专访）｜ 2026-10-19 ｜ https://www.digitimes.com/tag/high-na_euv/00114038.html  

    据 DIGITIMES 专访报道，蔡司半导体制造光学（SMO）总裁克里斯托夫·亨舍（Christoph Hensche）表示，High-NA EUV 已具备量产条件，订单已排至 2027 年。报道称，AI 芯片需求的激增延长了蔡司这家 EUV 光刻光学关键供应商的订单能见度，2026 与 2027 年的需求已经明确，包括蔡司在内的相关厂商未来数年产能已被全部订满。作为背景，蔡司是 ASML High-NA 投影光学的独家来源；目前英特尔已率先在 18A 节点将 High-NA 用于部分关键层量产，三星与 SK 海力士计划 2028 年导入，台积电规划 2030 年采用。  

    ?? 点评：光学供应商"订单排到 2027"是 High-NA 从研发叙事转入量产叙事的一个旁证——光刻机可以造出来，但镜组产能订满说明头部客户已在为持续上量下单。不过要把两件事分开看：设备与光学侧的乐观，领先于晶圆厂的导入节奏，三星、台积电的谨慎态度说明中间还隔着成本账与良率账。对产业链而言，真正值得跟踪的是 2027 年前后 High-NA 机台的实际交付出货数据，而不是任何一方的表态。  

二、光刻设备  

    1. 【尼康官宣首款后端数字光刻机：无掩模、瞄准面板级封装】  

    来源：尼康官网（经未来半导体报道）｜ 2026-10-22 ｜ https://www.fsemi.tech/cms/xinwenkuaixun/4144.html  

    尼康 10 月 22 日在官网宣布，正在开发一款分辨率为 1 微米线宽/线距（L/S）、高产能的数字光刻设备，面向先进半导体封装应用，计划在 2026 财年内发布。尼康称，以 Chiplet（小芯片）为代表的先进封装领域，对基于玻璃面板的面板级封装（PLP）需求日益增长，高分辨率、大曝光面积的后端光刻机不可或缺。该设备结合了尼康在半导体光刻系统上的高分辨率技术与 FPD（平板显示）光刻系统的多镜头技术；曝光过程无需使用掩模，而是利用 SLM（空间光调制器）生成设计电路图案直接在基板上成像，有助于降低成本、缩短产品开发与制造周期。  

?? 点评：面板级封装的图形化赛道正在快速拥挤——国内芯碁微装、洪镭光学以直写光刻切入在前，尼康现在带着 FPD 多镜头技术"降维进场"。大厂的独特优势在于把成熟的多镜头阵列与大视场工程能力平移过来，这正是玻璃基板"大而精"需求最需要的。对国产设备商的提醒是：窗口期有限，真正的分水岭会出现在头部封装客户的量产良率数据上，而不是参数发布顺序。  

    2. 【佳能拟 2027 年将光刻设备产量提升 1.5~2 倍】  

    来源：时事通信社 Jiji Press（经 Nippon.com 转载）｜ 2026-10-22 ｜ https://www.nippon.com/en/news/yjj2026102101106/  

    据时事通信社报道，佳能计划2027 年将半导体光刻设备产量提升至今年的 1.5~2 倍，主要利用其 2025 年在栃木县宇都宫建成的新工厂；今年公司预计销售光刻设备 227 台。在全球极紫外（EUV）光刻市场几乎被 ASML 垄断的格局下，佳能占据 i-line 光刻机最大份额，这类设备主要用于存储与功率芯片制造。佳能负责产业机械业务的专务董事竹石博明表示，不仅中国台湾、韩国与中国大陆，全球其他地区的晶圆厂投资计划都在推进，"这种势头可能持续到 2028 年"。  

?? 点评：佳能的扩产逻辑和 ASML 三季度财报是同一个故事的两面——AI 把产能资源全面挤向先进制程后，i-line/KrF 这些"老产线"上的存储、功率与电源管理芯片反而成了新的紧缺点。产量翻倍不是激进，而是对成熟段订单能见度的确认。值得注意的是，日系在成熟段"量价齐升"，与 10 月起日系光刻胶全线上涨形成呼应；成熟段的供给紧张是系统性的，国产 i-line/KrF 设备与胶的替代窗口也在同一时间段被拉开。  

三、光刻材料  

    1. 【富士胶片扩建 EUV 光刻胶产能，部分产品已通过头部客户认证】  

    来源：THE ELEC 采访（富士胶片美国电子材料事业部总裁，经网易科技等报道）｜ 2026-10-21 ｜ https://dy.163.com/article/L9RT6O3Q0511CS15.html  

    富士胶片美国电子材料事业部总裁、公司副总裁奥唐纳利（Brian O'Donnelly）接受 THE ELEC 采访时表示，富士胶片正在扩充极紫外（EUV）光刻胶产能，以此深化与三星电子的合作，部分 EUV 光刻胶产品已通过头部客户的认证测试，但尚未进入全面量产阶段。公司同时扩建了日本静冈（先进光刻胶研发与生产核心基地）与韩国平泽（紧邻大客户三星、生产最高阶产品）两处生产设施，两处基地的 EUV 光刻胶生产及检测设备均已于 2025 年 10 月投入运行，平泽工厂由其全球市占率超 80% 的图像传感器彩色滤光片材料产线改造而来。奥唐纳利称，AI 正在拉动 2nm 及以下工艺的材料需求，先进制程迭代同步抬升 ArF 与 EUV 光刻胶需求；因材料厂商难以独自购置 EUV 设备，公司借助比利时 imec 的联合研发设施用 EUV 光刻机迭代产品。  

?? 点评："贴着晶圆厂建厂"是 EUV 光刻胶竞争的典型打法——高端胶需要针对客户工艺反复调校、认证周期漫长，就近响应本身就是壁垒的一部分。更值得留意的是时点：日系光刻胶 10 月 1 日刚执行新一轮涨价，富士胶片随即宣布高端扩产，涨价与扩产并行说明高端 EUV 胶的供给紧张是真实的，而不是提价话术。对国产胶企业而言，这既是压力测试，也是验证窗口——差距要认，窗口要用。  

    2. 【南大光电：ArF 光刻胶通过验证产品保持连续稳定供货】  

    来源：南大光电业绩说明/投资者关系口径（经媒体报道整理）｜ 2026-10-20 ｜ https://h5detail.yiyouliao.com/rivers/newsfeed/1536235174142947329/ID2BPD1V6M7PL44.html  

    南大光电 10 月 20 日再次表示，前期通过验证的 ArF 光刻胶产品保持连续稳定供货，公司将继续推进新产品验证和市场拓展。据此前公开披露的信息：其 ArF 干式光刻胶在客户产线的验证良率报道达到 99.7%；累计六款产品通过客户验证，2025 年光刻胶销售收入超过 2000 万元。公司光刻胶研发中心具备功能单体、功能树脂和光敏剂等上游材料的自主研发能力。需要指出的是，ArF 干式胶的进展不等于浸没式 ArF 或 EUV 光刻胶同步突破，不同技术路线对材料性能与工艺匹配的要求各不相同，仍需分别研发与验证。  

?? 点评：从"通过验证"到"连续稳定供货"，是国产材料最难走也最少被报道的一段——前者是孤证，后者才是能力。99.7% 的良率数字值得高兴，但 2000 万元级的年收入体量同样值得记住：它提醒我们替代叙事最终要靠出货数字兑现。真正观察国产高端胶成色的坐标，是浸没式 ArF 的验证进度，那里才是与日系正面交锋的战场。  

四、光刻工艺  

    1. 【台积电龙潭三期重启，CoPoS 面板级封装进入落地阶段】  

    来源：DIGITIMES ｜ 2026-10-23 ｜ https://www.digitimes.com/tag/tsmc/001264.html  

    据 DIGITIMES 报道，台积电台桃园龙潭科学园区三期在延宕近三年后重启，台湾"国发会"已于 2026 年 9 月 17 日核准其开发计划，公司正在该基地推进CoPoS（Chip-on-Panel-on-Substrate，面板级芯片封装）的产业化落地。此前集邦咨询整理的时间表为：2026 年是设备与材料商的验证关键期，2027 年预计进入试产，2028 年下半年正式量产，短期聚焦 310×310mm 矩形玻璃基板。CoPoS 用矩形玻璃面板替代传统 300mm 圆形晶圆，以突破 AI 大芯片在面积与成本上的限制；玻璃通孔（TGV）金属化被业界普遍视为量产核心壁垒。  

?? 点评：CoPoS 这条线的关键词正在从"技术验证"变成"土地与厂房"——项目重启并拿到开发核准，说明台积电已把它从研发储备挪进了产能规划。对光刻产业链而言，矩形大面积图形化（直写或扫描）、TGV 成孔与金属化、面板级电镀与检测，都是新增设备需求；本期尼康发布后端数字光刻机、上周洪镭光学批量获单，设备端已在提前卡位。2027 年试产良率是下一个硬指标。  

五、光刻相关 EDA 与计算光刻  

    1. 【华大九天签约四家生态伙伴，加速数字与光电 EDA 全流程布局】  

    来源：华大九天生态伙伴及用户大会（中国证券报 CIS，经网易转载）｜ 2026-10-23 ｜ https://www.163.com/dy/article/L9V2LR33053469RG.html  

    华大九天在生态伙伴及用户大会上与芯行纪、奇捷科技、中科鉴芯、上海曼光四家企业签署战略合作协议，四家均为公司本年度通过投资并购新增布局的 EDA 企业。在数字电路领域：芯行纪主攻布局布线核心工具，提供数字设计物理实现方案；奇捷科技深耕 ECO 逻辑优化；中科鉴芯聚焦 DFT 可测试性设计——三者分别覆盖物理实现、逻辑优化与测试环节，用于补齐数字全流程短板。在光电领域：上海曼光聚焦光器件与光链路仿真，双方将共建从器件设计与仿真、PDK 开发、链路仿真到版图设计、物理验证的光电设计 EDA 全流程。华大九天已在模拟、存储、射频、平板显示四大领域构建全流程工具系统，正通过"自主研发+投资并购"加快构建数字与光电两大全流程系统。  

?? 点评：国产 EDA 的竞争单位正在从"单点工具"升级为"全流程串链"——单点工具卖的是功能，全流程卖的是数据互通与设计合力，后者的替换成本和客户粘性完全不在一个量级。需要说明边界：这一条与计算光刻不在同一技术栈上（本期无计算光刻新品动态），但设计与制造是光刻产业链的上下游两端，数字全流程的补齐与先进封装/3DIC 工具的布局，最终都会落到与制造端工具链协同的需求上。  

六、企业与产业  

    1. 【三星为英伟达 NVHBM 改用台积电 3nm 代工基础裸片】  

    来源：首尔经济日报（经中央社、路透社报道）｜ 2026-10-18 ｜ https://money.udn.com/money/story/5599/9822578  

    据韩国《首尔经济日报》10 月 18 日报道，三星电子决定采用台积电 3nm 工艺为英伟达下一代定制高带宽内存（HBM）——NVHBM 制造基础裸片（base die），这是三星首次在 HBM 制造阶段与台积电合作。报道称，英伟达已要求负责 NVHBM 的三家供应商三星、SK 海力士、美光统一在基础裸片采用台积电工艺、核心裸片统一采用第六代 DRAM（1c）工艺，原因是各供应商制造方式不同，同一设计难以保证性能一致，统一标准也可减轻逐一验证的负担。NVHBM 于今年 8 月发布，基于第七代 HBM4E 架构，将英伟达定制内存控制器集成进基础裸片。三星在内部评估后接受要求，但标准 HBM 及面向 AMD 等客户的定制产品仍维持自产一站式模式，并评估若需求超出台积电产能时由自有代工产线补位。  

?? 点评：这是买方垄断重塑供应链分工的一个标本案例——英伟达用"标准化"把三家存储原厂拉到同一张工艺底座上，三星引以为傲的垂直整合在最大客户面前让了步。对产业结构的含义有两条：一是 HBM 的制造环节正在从"原厂全包"走向"按环节全球竞标"，先进逻辑代工（基础裸片）与存储（核心裸片）的边界被打开；二是台积电在 AI 供应链中的枢纽地位再获加码，先进封装与逻辑代工的耦合会越来越深。  

    2. 【台积电证实派团队赴得州考察扩产，并调研无稀土厂务设备】  

    来源：DIGITIMES ｜ 2026-10-23 ｜ https://www.digitimes.com/tag/tsmc/001264.html  

    DIGITIMES 报道，台积电正在为可能的美国新产能选址得克萨斯州——在亚利桑那州持续推进先进制程晶圆厂建设的同时寻找新的扩产机会。台积电董事长魏哲家证实，公司已派出一支团队前往得州评估扩产机会。此前公司在法说会上披露，亚利桑那厂区先进制程产能持续爬坡，全年资本支出指引维持 600 亿~640 亿美元；美国客户对本土产能的需求随 AI 芯片订单快速增长。同周 DIGITIMES 另报道，台积电正就是否采用无稀土电机的厂务自动化设备向供应商展开调研，背景是中国稀土出口管制临时许可临近法定到期。  

?? 点评：选址得州与去稀土化调研，是同一件事的两面：地缘政治溢价正在进入晶圆厂的选址清单和设备物料清单（BOM）。稀土这个细节尤其值得注意——电机、磁体这类最底层的部件开始被纳入供应链压力测试，说明"去风险"评估正从光刻机、EDA 这样的塔尖环节向下渗透到每一个螺丝钉。对中国供应链的直接影响有限，但它预示着未来设备与材料出口会被要求越来越多的"不含清单成分"证明。  

    3. 【台积电高雄 2nm 基地工地事故致 4 人遇难，全台钢构作业停工】  

    来源：中央通讯社 ｜ 2026-10-21 ｜ https://www.cna.com.tw/news/asoc/202610210060.aspx  

    台积电高雄楠梓厂区 F22 新建工程工地 10 月 20 日傍晚发生重大工安事故：承包商 4 名男性工人在进行钢构吊挂安装作业时，疑似因三楼外侧钢构连结板螺栓断裂，连人带钢梁从高处坠落，经抢救 4 人全部不幸遇难。台积电表示，事故发生地点属承包商交付施工范围，事发后即通报主管机关，高雄工地现场及全台新建厂区的钢构作业均已自主停工，工地安全团队正配合相关单位厘清事故原因，并督促协助下包商处理后续事宜。高雄厂与新竹厂是台积电 2nm 制程的生产基地，公司正扩充两地产能，此前预期 2027 年 2nm 年产能将增加超过一倍。  

?? 点评：先向逝者致哀。这起事故提醒市场：产能叙事的另一面是工程执行——台积电正处于史无前例的全球多线扩产期，新建工地密度和承包商管理半径都在拉大，安全风险本身已成为排产计划的一个真实变量。自主停工范围目前限于新建厂区钢构作业，对 F22 主体工期的影响取决于调查进度与复工条件；对 2027 年 2nm 产能翻倍的目标而言，后续的复工安排值得跟踪。  

    4. 【中银国际：华虹满产扩产领跑成熟制程，目标价上调至 210 港元】  

    来源：中银国际研报（经阿斯达克财经网报道）｜ 2026-10-22 ｜ https://www.aastocks.com/tc/stocks/analysis/comment.aspx  

    中银国际 10 月 22 日发布半导体代工行业报告，指出台积电维持成熟节点产能规模，特殊平台（电源模拟与嵌入式非挥发性记忆体）需求强劲，8 英寸及 12 英寸晶圆代工价格上涨加剧，客户开始探讨含预付款与"照付不误"（take-or-pay）条款的 3~5 年长期供应协议以锁定明年趋紧的 8 英寸产能。报告认为华虹宏力在成熟节点扩产上领跑：Fab 7 及无锡厂已满产（折合 8 英寸月产能 9.8 万片），Fab 9A 将于三季度末达产（8.3 万片/月，N40-55），Fab 9B 计划 2027 年底达产（5.5 万片/月，N28-40），四季度并入华力微 Fab 5（3.8 万片/月，N40-65），带动 2026 年末年化营收运转率上探 40 亿美元，大幅高于市场预期；价格上涨自 4 月启动，将带来显著利润率弹性。该行将华虹目标价由 152.4 港元上调至 210 港元，维持"买入"。  

?? 点评：成熟制程的涨价与扩产罕见地同时发生——台积电、三星收缩 8 英寸产能留下的真空，正被华虹、中芯这类"确定性扩产方"承接，长协与照付不误条款的出现说明紧缺预期已经写进了合同结构。对光刻产业链的含义很直接：成熟段扩产对应的是 i-line/KrF/ArF 干式设备与配套材料的大宗采购，这正是国产设备与材料当前能力区间内需求最扎实的市场。华虹的产能爬坡节奏，可以作为观察国产光刻链订单兑现的一个锚点。  

数据看板  

    注：图 1 中 Hyper-NA 为 ASML/蔡司 2026 年 10 月发表论文中的系统概念，数值孔径 ≥0.75、目标半间距约 5nm，公司尚未承诺量产；图 2 中 2027 年产量为公司计划区间（1.5~2 倍）推算，非公司正式指引；图 4 中 2026Q3 为卖方机构预测值，非公司披露。本期事件类配图按授权原则以自制图表替代，不使用未经授权的新闻图片。  

下周关注  

• 存储双雄正式财报：SK 海力士 10 月 28 日、三星电子 10 月 29 日发布三季度完整业绩，关注 HBM4 出货与资本开支表述（花旗预测 SK 海力士三季度营业利润 81.3 万亿韩元、环比增 34%）。    

• A 股设备公司三季报：北方华创预约 10 月 28 日披露，关注前三季度订单、合同负债与交付节奏；上游零部件紧缺对四季度交付的影响是否缓解。    

• 台积电高雄工安事故后续：停工调查进度与 F22 复工安排，是否影响 2nm 产能爬坡时间表。    

• 稀土管制与供应链去风险：中国稀土出口管制临时许可临近到期，关注续期安排及晶圆厂"无稀土设备"替代方案进展。    

• 面板级封装设备动向：尼康后端数字光刻机 2026 财年内发布的规格细节，以及国产直写光刻设备在玻璃基板客户的导入进展。    

免责声明  

本期信息全部来自公开渠道（官方新闻稿与公司公告、权威媒体及专业网站报道、机构研报的公开转述），已尽力核对原发来源与发布时间，覆盖周期为 2026 年 10 月 18 日至 10 月 24 日；其中"据首尔经济日报报道""机构预测"等条目为媒体或机构口径转述，尚未获得当事方正式确认，请以原始来源为准。台积电高雄工地事故条目仅陈述经核实的公开事实。条目中的"点评"部分为“光刻人的世界”基于公开信息的判断与分析，不构成任何投资建议。