光刻一周要闻 · 2026年第46期  

    JSR 正式易主三井化学，佳能 KrF 旗舰时隔 14 年换代  

2026年第46期 ｜ 2026-11-08 ~ 2026-11-14 

本期导读  

• 要点一：三井化学正式签约，联合日本政策投资银行以 1.84 万亿日元收购全球第二大光刻胶厂商 JSR，日本化工行业史上最大并购落地。    

• 要点二：佳能发布新一代 KrF 扫描光刻机 FPA-6400ES6a，400 片/时产能对标 ASML 旗舰 NXT:870B，12 月上旬发售。    

• 要点三：三星与 SK 海力士被曝竞相锁定 ASML EUV 设备交付档期，各自投资上限或达 20 万亿韩元。    

• 要点四：豪雅 EUV 空白掩模产能吃紧，三星 1d DRAM 将用到约 10 片 EUV 掩模、2nm 代工需 25~27 片。    

• 要点五：中芯国际 Q3 收入 31.9 亿美元超指引，产能利用率 97.3%；台积电 10 月营收创单月历史新高。    

一、技术进展  

    1. 【AlixLaps 携 APS 图形密度倍增方案亮相 SEMICON Europa】  

    来源：AlixLabs 官网 ｜ 2026-11-10 ｜ https://alixlabs.com/2026/11/10/semicon-europa 

    德国 patterning 初创公司 AlixLabs 在慕尼黑 SEMICON Europa 2026（11 月 10~13 日）上，以硅萨克森联合展台形式展示其原子间距拆分（APS?）技术与 Sax Forma 设备平台。APS? 利用原子层刻蚀（ALE）在不必增加光刻工序的情况下提升图形密度、减少工艺步骤，面向下一代逻辑与存储器件的低成本微缩路线。公司披露，2026 年已完成 Sax Forma 平台发布，并进入由 imec 协调的欧洲 NanoIC 先导线开展 APS? 技术评估，此番参展旨在推进设备集成与产业化合作。  

?? 点评：在 EUV 双色/多重曝光成本高企的背景下，"自对准+刻蚀"类替代方案一直被视为 DUV/EUV 之外的第三条路。进入 imec NanoIC 先导线是这类初创从论文走向产线验证的关键一站，值得跟踪其良率与套刻数据。  

二、光刻设备  

    1. 【佳能发布 KrF 新旗舰 FPA-6400ES6a，400 片/时】  

    来源：佳能官方新闻稿 ｜ 2026-11-10 ｜ https://global.canon/en/news/2026/20261110.html  

    佳能宣布将于 12 月上旬发售面向存储与逻辑芯片的 KrF（248nm）扫描式光刻机 FPA-6400ES6a。新机通过新开发超高加速度载台缩短移动时间，产能达 400 片（300mm）/小时，比上一代 FPA-6300ES6a（2012 年 4 月发布、选配后超 300 片/时）提升约三成；配合新开发的振动抑制技术与气流/光路温控，实现 4.0nm 的业界高水平套刻精度（佳能称在 300mm KrF 扫描机中居首）。对准系统新增可选光源 Hi-ALS，可按工艺选择测量波长；晶圆翘曲容限扩大至 700μm，适配三维堆叠与键合工艺；载台减速再生电力可储存复用，降低每片曝光能耗。  

 ?? 点评：KrF 是成熟制程与存储扩产的主力机型，佳能选择在存储投资上行周期完成 14 年一次的旗舰换代，目标直指 ASML NXT:870B 的 400 片/时水平。不过纸面参数之外，多机联机匹配精度与产线导入记录才是客户买单的关键，佳能尚未披露 4.0nm 的测量口径，后续需看首批装机客户。  

    2. 【上海微电子进博会展出新一代前道干式光刻机平台】  

    来源：上海证券报（经腾讯新闻转载） ｜ 2026-11-08 ｜ https://news.qq.com/rain/a/20261109A03H9Y00  

    11 月 5~10 日第九届进博会上，上海微电子（SMEE）在中国馆展出新一代前道干式扫描投影光刻机 SSC800（KrF）、SSB800（I-line）模型，采用透明剖视设计呈现光学光路与机电系统布局。公司介绍，该平台为国产标准化前道光刻装备架构，适配 I-line、KrF 两类路线，高精度物镜与照明系统、高速双工件台与掩模台、自动物料传输与对准调平传感系统均实现全链条自主可控；在售机型基于自研双工件台、搭载国产大 NA 物镜。关键零部件国产化率突破 90%，已定型并规模化量产，多台设备在国内头部逻辑、存储产线长期运行，累计支持流片超千万片，设备有效运行率超 92%。  

?? 点评："国产化率 90% + 流片千万片"是国产前道光刻从样机走向量产体系的标志性口径。值得注意的是，ASML 本次缺席进博会（称与内部全球会议冲突），展馆内外的对照恰好勾勒出当前国产替代的位差：KrF 及以上已能对话，ArF 浸没式与 EUV 仍是空白。  

    3. 【SUSS 发布 ASC9500 光掩模清洗系统】  

    来源：IN Electronics ｜ 2026-11-10 ｜ https://www.inelectronics.co.uk/suss-introduces-asc9500-photomask-cleaning-system/  

    德国 SUSS MicroTec 发布面向成熟节点的 ASC9500 光掩模清洗平台，并在 SEMICON Europa 2026（慕尼黑，11 月 10~13 日）现场展示。该系统与同系列 APB9500 曝光后烘烤设备互补，覆盖掩模制造中"清洗—烘烤"两个关键环节，为可配置平台设计，制造已启动并列入可售清单；公司暂未公布首批装机客户与产能/良率实测数据。SUSS 近期还推出了 GreenTec 晶圆清洗平台，同步布局晶圆级与掩模级清洗设备。  

?? 点评：掩模侧设备是光刻生态里容易被忽略、但集中度极高的一环。SUSS 在成熟节点掩模清洗上加码，与本期豪雅 EUV 空白掩模供应紧张的消息形成呼应——掩模链条的产能与洁净度，正在成为先进产能扩张的隐形瓶颈。  

 三、光刻材料  

    1. 【三井化学正式签约 1.84 万亿日元收购 JSR】  

    来源：三井化学 IR 公告（经电子产品世界整理） ｜ 2026-11-09 ｜ https://www.eepw.com.cn/article/202611/484560.htm  

    三井化学与日本产业革新投资机构（JIC）正式签署股份收购协议，联合日本政策投资银行（DBJ）收购全球第二大光刻胶厂商 JSR 全部已发行股份，交易总规模约 1.84 万亿日元（约合 116 亿美元）：股权对价 1.3921 万亿日元，DBJ 出资 2000 亿日元并转为无表决权优先股，其余约 1.64 万亿日元以过桥贷款筹措。这是日本化工行业史上最大并购，交割目标为 2028 年 3 月止财年下半年，尚需通过多国反垄断与外资审查。JSR 全球半导体光刻胶份额约 16%，EUV 光刻胶份额约 40%，且经收购美国 Inpria 成为全球唯一同时提供化学放大型（CAR）与金属氧化物型（MOR）EUV 光刻胶的厂商；三井化学则拥有全球第一的 EUV 光罩护膜业务，双方在曝光环节"掩模侧+晶圆侧"高度互补。  

?? 点评：从 JIC 私有化孵化到并入产业资本，日本完成了光刻胶"国家耐心资本→产业接力"的闭环，EUV/High-NA 时代核心材料的集中度将进一步提升。对国内材料厂而言，短期是采购议价与授权周期的压力，长期则是国产 MOR 路线加速替代的倒计时。  

    2. 【豪雅 EUV 空白掩模产能吃紧，三星转评 S&S Tech】  

    来源：THE ELEC（经科创板日报转述） ｜ 2026-11-11 ｜ https://www.163.com/dy/article/LBFDET8G0550B1DU.html  

    据韩媒 THE ELEC 报道，全球 EUV 空白掩模版龙头豪雅（HOYA，份额约 70~75%）对 2027 年产能的判断难以满足三星电子的增供请求，其余厂商需求也在大幅增长。三星今年 EUV 空白掩模用量约 5500 片，内部模拟显示未来三年每年增长约 25%；豪雅新加坡新厂（投资约 420 亿日元）要到 2028 财年才投产，其 FY2026Q2 电话会亦表示单靠一座新厂难以覆盖新增需求。为分散供应，三星正在对韩国 S&S Tech 的 EUV 空白掩模进行量产导入前最终评估，主要薄膜特性已达标、颗粒指标仍待改善；若通过，将是韩国产 EUV 空白掩模首次进入三星产线。  

?? 点评：空白掩模是晶圆制造第三大材料的上游咽喉，豪雅一家独大叠加 2028 年前产能真空，意味着 2027 年先进 DRAM/逻辑扩产在此处存在硬约束。S&S Tech 若完成导入，将成为掩模供应链"去单点化"的首个标志性案例。  

四、光刻工艺  

    1. 【三星先进节点 EUV 掩模用量图谱：2nm 需 25~27 片】  

    来源：THE ELEC（经科创板日报转述） ｜ 2026-11-11 ｜ https://www.163.com/dy/article/LBFDET8G0550B1DU.html  

    同一报道披露了三星各节点的 EUV 光掩模用量：DRAM 方面，1b 工艺用 4~5 片 EUV 掩模，1c 工艺增至 6~7 片，预计 2027 年下半年量产的 1d 工艺将达约 10 片；代工方面，4nm 工艺约需 15~16 片，3nm 约 20 片，2nm 则需 25~27 片。三星正以 4nm 生产移动 AP 与 HBM 基础裸片，并扩大 2nm 研发与量产规模；两家存储大厂也在为下一代 DRAM 准备引入 High-NA EUV，初期仅用于一到两个图层。  

?? 点评：EUV 层数清单是观察光刻机需求最朴素的指标——从 4nm 到 2nm 掩模用量近乎翻倍，叠加存储节点逐代加层，这正是 ASML 敢于判断 2027~2028 供应缺口的底层账本。1d DRAM 十片 EUV 意味着 Low-NA 产能压力仍未到头，High-NA 的"少层替代"叙事将首先在存储验证。  

五、光刻相关 EDA  

    1. 【Cadence/Synopsys/西门子 EDA 工作流通过 Azure Cobalt 200 认证】  

    来源：Cadence 官方博客 ｜ 2026-11（Cobalt 200 GA 前发布，本周窗口内多方报道） ｜ https://community.cadence.com/cadence_blogs_8/b/corporate-news/posts/cadence-eda-workflows-extend-to-microsoft-azure-cobalt-200  

    微软宣布基于 Arm 架构的自研云处理器 Cobalt 200 完成对主流 EDA 工作流的适配认证：Cadence 侧包括 Xcelium 仿真、Jasper 形式验证、Innovus 实现与 Tempus 时序签核；西门子 EDA、Synopsys 亦同期表态完成验证。微软内部测试显示，各 EDA 负载相对 Cobalt 100 提速 1.30~4.15 倍，其中西门子 Calibre DRC 墙钟时间缩短 23%（相对提速 1.30 倍），Synopsys PrimeTime 单核吞吐翻倍；Cobalt 200 芯片本身即用上述 EDA 流程设计，形成"用云设计芯片、芯片再加速设计"的闭环。光刻相关的物理验证（Calibre）与仿真负载被明确列为受益场景。  

?? 点评：物理验证与计算光刻是最吃算力的"签核末段"，云上 Arm 芯片给出第二算力曲线，对 tapout 排期紧张的先进节点团队是实际利好。更值得注意的是 EDA 上云正在从"能不能跑"进入"跑得更快"的比拼阶段。  

六、企业与产业  

    1. 【三星、SK 海力士竞相锁定 EUV 交付档期，上限各 20 万亿韩元】  

    来源：ChosunBiz（经金融界/科创板日报转述） ｜ 2026-11-10 ｜ https://dy.163.com/article/LBCNOPA50519QIKK.html  

    韩媒 ChosunBiz 11 月 8 日报道，在先进 DRAM 供应趋紧背景下，三星电子与 SK 海力士正竞相向 ASML 订购极紫外（EUV）光刻设备，各自投资上限或达 20 万亿韩元（约合人民币 992 亿元）。SK 海力士今年 3 月已披露约 11.95 万亿韩元 EUV 采购，须于 2027 年 12 月 31 日前交付，用于 1c DRAM 过渡（1c 计划用 EUV 加工 5 层以上）；三星则在平泽 P4 增加 HBM4 单晶 DRAM 产线，P5 工厂首座晶圆厂预计 2028 年投产，一期洁净室 2027 年上半年完工后设备即可进驻。ASML 三季报曾警告 2027、2028 年计划供应无法覆盖需求，部分客户已表达 2029~2030 年订购意向；两家公司还计划在 0a DRAM 阶段（2028 年起小规模生产）引入 High-NA EUV。  

?? 点评：ASML 的分配机制（"足够肉痛"的首付款+不可轻退的订单）决定了谁先下单谁先拿产能，存储双雄竞购本质是在为 1c/1d DRAM 的 EUV 层增量买保险。下一观察点是 ASML 是否开始接受 2029/2030 订单——那将是本轮扩产周期见顶与否的先行信号。  

    2. 【台积电 10 月营收创单月新高，董事会核准 409 亿美元资本预算】  

    来源：工商时报（经非凡新闻转载） ｜ 2026-11-11 ｜ https://news.ustv.com.tw/newsdetail/20261111A001006  

    台积电 10 月合并营收 5868.9 亿元新台币，环比 +14.66%、同比 +59.71%，创单月历史新高；前十月累计营收约 4.49 万亿元新台币，同比 +43.29%。11 月 10 日董事会核准约 409.27 亿美元资本预算，用于建置升级先进制程、先进封装与厂房设施及 2027 年研发预算，并核准 Q3 每股 9 元新台币现金股利；另批准以不超过 5 亿美元设立投资公司进行半导体生态策略投资。公司 Q3 财报显示合并营收约 1.4942 万亿元新台币、每股盈余 29.43 元新台币，2nm 进入快速爬坡阶段。  

?? 点评：单月营收同比 +59.7% 与 409 亿美元资本预算再度加码，印证 AI 需求对先进制程产能的拉动仍在加速。资本开支曲线的斜率，直接决定后续 2nm 及先进封装产能对 EUV/DUV 设备的采购节奏——光刻设备厂商的订单能见度因此继续延长。  

    3. 【中芯国际 Q3 收入 31.9 亿美元超指引，产能利用率 97.3%】  

    来源：新华财经 ｜ 2026-11-12 ｜ https://www.cnfin.com/gs-lb/detail/20261112/4495054_1.html  

    中芯国际 11 月 12 日发布 2026 年三季度财报：按国际财务报告准则，单季销售收入 31.9 亿美元，同比 +33.9%、环比 +6.1%；毛利率 29.9%，环比提升 4.6 个百分点，两项指标均超此前指引。Q3 出货晶圆 303 万片（折合 8 英寸），产能利用率由 Q2 的 93.7% 升至 97.3%，月产能由 109.65 万片增至 111.67 万片（折合 8 英寸）；12 英寸晶圆收入占比 78.9%，中国区收入占比升至 90.8%。前三季度营业收入 606.18 亿元，同比 +22.4%，归母净利润 73.14 亿元，同比 +91.6%。Q3 资本开支 10.943 亿美元；公司指引 Q4 收入环比 +4%~6%、毛利率 26%~28%。  

?? 点评：产能利用率逼近满载、管理层明示"跟客户协商提价"，确认成熟制程进入供不应求通道。对国产光刻设备与材料供应链而言，中芯每 2 万片月产能增量都是确定性的国产设备验证机会，Q4 指引的毛利率回落则提示扩产折旧与上游涨价压力开始传导。  

    数据看板  

下周关注  

• 佳能 FPA-6400ES6a 于 12 月上旬正式发售：关注首批装机客户、4.0nm 套刻的测量口径与选配后实际产能。    

• 三井化学×JSR 交易后续：多国反垄断与外资审查启动节奏，及三井化学 1500 亿日元增资与夹层融资安排。    

• ASML 2029/2030 订单窗口：三星、SK 海力士竞购落地后，ASML 是否开始接受 2029~2030 交付订单。    

• SEMICON Europa 收官（至 11 月 13 日）：欧洲 patterning 设备与先导线（NanoIC 等）合作动向。    

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