通威受邀参加Silicon PV 2026国际光伏技术论坛

近日，备受全球光伏行业瞩目的Silicon PV 2026国际光伏技术论坛在土耳其安卡拉隆重举行。该论坛由安卡拉大学联合多家国际科研机构与行业组织共同主办，旨在推动晶硅光伏技术的前沿交流与产业协同。作为全球晶硅光伏领域的重要学术平台，本届论坛汇聚了来自全球的科研院所、知名高校及行业龙头企业，共同探讨高效电池技术与产业化趋势。通威股份光伏技术中心电池开发部部长孟夏杰受邀出席论坛并作主题演讲。

通威股份光伏技术中心

电池开发部部长孟夏杰作主题演讲

孟夏杰部长在《Industrial TOPCon Solar Cell with Super Sheet Resistance》主题演讲中，分享了通威在TOPCon高效电池领域的最新研发成果与产业化进展。通威通过精准仿真锁定TOPCon电池的三大效率损失机理，并提出针对性的优化方案。在产业化方面，通威采用升级版钢板印刷技术，将栅线宽度降至7.4μm，开口精度达4.5μm，量产效率提升至25.75%。公司首创的绒面多晶硅钝化接触技术搭配光刻胶刻蚀技术，实现多晶硅无损图形化，效率增益0.18%；经TüV莱茵认证，超高方阻技术使组件双面率达91%，户外发电量年增益1.30%。

在前道工艺中，通威率先实现1500Ω/sp的超高方阻，突破传统硼扩散极限，开路电压提升超2mV。金属化方面，三角栅线与叠栅方案可带来0.3%-0.45%的理论效率提升，并为铜电镀及类背接触应用奠定基础，推动TOPCon技术迈向全新高度。

通威认为，TOPCon技术在研发与产业化层面仍具备较大提升空间。未来将持续深耕超高方块电阻、无损刻蚀、新型金属化、双面率提升四大方向，以技术创新驱动光伏度电成本持续下降，为全球新能源产业提供更高效、更可靠、更经济的产品与降本方案。

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