英伟达业绩指引超预期 美光认为内存墙加剧

——电子行业研究周报

投资摘要：

英伟达财年三季度业绩指引超预期，采购承诺单季度增加约 1600 亿美元，AI服务器价格或调涨。根据闪存市场和华尔街见闻，英伟达发布截至 7 月 26 日的 2027 财年 Q2 报告，季度营收同比/环比增长 106%/18%，Non-GAAP 下毛利率75.0%，环比持平。营收占比 92.5%的数据中心业务同比/环比增长 117%/18%，增长好于边缘计算部门。财年Q3营收指引环比增长 10%-14.5%，中值 1080亿美元高于市场预期。公司预计财年 Q3 毛利率约 74%，将在财年 Q4 触底至 71-72%，源于内存价格涨幅超预期且持续攀升，预计价格调整措施将于 2028财年Q1生效带动毛利率回稳至 72%至 73%。公司未来供应采购协议单季增加约 1600亿美元至 2790 亿美元，增加部分主要来自存储长协。媒体报道称内存成本飙升，公司或上调其服务器价格约 15%，具体涨幅将取决于芯片和内存配置。VeraRubin全面投产并开始发货，公司预计其将在财年 Q3贡献约 20%的数据中心营收，有望成为爬坡放量最快的一代产品。

公司认为推理需求正成为新的增长主线，AI 从训练模型进入让模型大量工作的阶段，公司交互式 AI推理加速系统 Groq 3 LPX 将在本季度批量出货，AI云端服务商 Nebius 已首家导入。推理规模化将带动产业链需求延伸至 CPU、高速网络、存储、数据中心、电力等环节。

公司指引 2028财年营收预计将增长约 70%，明显高于市场此前约 45%的预期。英伟达业绩指引季度环比增长超过双位数，显示 AI 算力需求并未出现市场担心的边际放缓，未来 1-2个季度行业景气度或仍处于上行通道。

美光认为内存墙或在进一加剧，HBM 龙头企业发布路线图。根据芯智讯，HotChips 2026 半导体大会上，美光针对内存墙进行量化，计算能力大约每两年增长 3倍，而内存能力每两年仅增长不到 2倍，两者增速的差距意味着内存墙不仅持续存在，且或进一步加剧。

目前 HBM 是通过硅通孔（TSV）将多层 DRAM Die 垂直堆叠，并与 Base Die 整合，再通过硅中介层（Silicon Interposer）与 GPU 或其他 AI 加速器连接，形成典型的 2.5D封装构架。美光认为，随着每颗 DRAM的储存密度增加，每位元的功耗效率（pJ/bit）随之下降。HBM多层数堆叠带来热能与机械结构挑战，最大痛点在于功率密度而非功耗。

随着 HBM 面临带宽、功耗与封装尺寸等多重瓶颈，三星等正积极寻求下一代HBM 架构的突破。三星、SK 海力士向 3D 堆叠架构发展，三星正开发全新方案zHBM，通过将 HBM 垂直堆叠于 xPU 上方，节省硅面积同时省去传统 2.5D 封装所需的中介层。三星宣称 zHBM 可带来 70%的能源效率提升，DRAM 带宽增加230%，每个 DRAM模块最多可节省 100W功耗，并让 xPU（以 GPU为例）额外获得 8.3%的功耗空间。

SK海力士已将先进MR-MUF技术应用于 16层 HBM3E，并进一步导入翘曲控制、细间距互连与窄间隙填充等技术，同时转向混合键合技术解决功耗与散热负担问题。相较 MR-MUF，混合键合可实现厚度增加 24%的核心晶粒（Core Die），TSV间距可缩小至 18μm以下，同时在堆叠层数增加的情况下，热阻可降低约35%。

投资策略：英伟达业绩和指引超出市场预期，业绩指引季度环比增长超过双位数，显示 AI 算力需求并未出现市场担心的边际放缓，未来 1-2 个季度行业景气度或仍处于上行通道。建议关注后续 Rubin机柜产品出货情况及对其 PCB、光互联等产业链的带动。美光量化数据显示，内存墙或进一步加剧。建议关注

评级 增持（维持）

2026 年 09 月 01 日

王伟 分析师

SAC 执业证书编号：S1660524100001

行业基本资料

行业表现走势图

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3、《电子行业研究周报：MLCC 开启新一轮涨价 关注订单溢出和国产替代》2026-08-06

HBM新技术对存储需求的持续带动，关注存储扩产对混合键合、量测检测等设备和材料的出货以及封测订单的持续带动。

风险提示：贸易摩擦加剧，需求复苏不及预期，产能扩张不及预期，竞争加剧

1. 市场回顾

上周（8.24-8.28）申万电子行业指数上涨 0.15%，在申万 31 个行业中排名第 26，跑赢沪深 300 指数 0.36%。本月至今（8.1-8.28）申万电子行业指数上涨 10.24%，在申万 31个行业中排名第3，跑赢沪深300指数9.78%。年初至今（1.1-8.28）申万电子行业指数上涨 34.07%，在申万 31 个行业中排名第 1，跑赢沪深 300 指数34.52%。

图3：申万一级行业年初至今涨跌幅

上周（8.24-8.28）申万电子行业三级子行业中其他电子Ⅲ、消费电子零部件及组装、印制电路板、光学元件、模拟芯片设计指数涨跌表现相对靠前，相对沪深300指数涨跌幅 1.88%、1.67%、1.57%、0.67%、0.53%。

上周（8.24-8.28）万得半导体概念指数中半导体材料指数、光刻机指数、半导体设备指数、第三代半导体指数、中芯国际产业链指数、长江存储指数、先进封装指数涨跌幅分别为 1.21%、0.43%、-0.04%、-0.13%、-0.19%、-0.44%、-2.64%。

图7：万得半导体概念指数上周涨跌幅

图8：万得半导体概念指数年初至今涨跌幅

截至 2026年8月 28日，费城半导体指数收于11469.66点，周下跌2.31%。台湾半导体指数收于 1550.43 点，周上涨 1.58%。

2. 行业数据跟踪

图14：全球及中国大陆半导体设备销售额及同比

3. 每周一谈：英伟达业绩指引超预期 美光认为内存墙加剧

英伟达财年三季度业绩指引超预期，采购承诺单季度增加约 1600 亿美元，AI服务器价格或调涨。根据闪存市场和华尔街见闻，英伟达发布截至 7月26日的2027财年 Q2 报告，季度营收同比/环比增长 106%/18%，Non-GAAP 下毛利率 75.0%，环比持平。营收占比 92.5%的数据中心业务同比/环比增长 117%/18%，增长好于边缘计算部门。财年 Q3 营收指引环比增长 10%-14.5%，中值 1080 亿美元高于市场预期。公司预计财年Q3毛利率约74%，将在财年Q4 触底至71-72%，源于内存价格涨幅超预期且持续攀升，预计价格调整措施将于 2028 财年 Q1 生效带动毛利率回稳至 72%至73%。公司未来供应采购协议单季增加约 1600 亿美元至 2790 亿美元，增加部分主要来自存储长协。媒体报道称内存成本飙升，公司或上调其服务器价格约 15%，具体涨幅将取决于芯片和内存配置。Vera Rubin全面投产并开始发货，公司预计其将在财年 Q3贡献约20%的数据中心营收，有望成为爬坡放量最快的一代产品。

公司认为推理需求正成为新的增长主线，AI 从训练模型进入让模型大量工作的阶段，公司交互式AI推理加速系统 Groq 3 LPX将在本季度批量出货，AI云端服务商Nebius 已首家导入。推理规模化将带动产业链需求延伸至 CPU、高速网络、存储、数据中心、电力等环节。

公司指引 2028财年营收预计将增长约 70%，明显高于市场此前约 45%的预期。英伟达业绩指引季度环比增长超过双位数，显示 AI 算力需求并未出现市场担心的边际放缓，未来 1-2个季度行业景气度或仍处于上行通道。

美光认为内存墙或在进一加剧，HBM 龙头企业发布路线图。根据芯智讯，Hot Chips2026半导体大会上，美光针对内存墙进行量化，计算能力大约每两年增长 3倍，而内存能力每两年仅增长不到 2倍，两者增速的差距意味着内存墙不仅持续存在，且或进一步加剧。

目前 HBM是通过硅通孔（TSV）将多层 DRAM Die垂直堆叠，并与 Base Die 整合，再通过硅中介层（Silicon Interposer）与 GPU 或其他 AI 加速器连接，形成典型的 2.5D封装构架。美光认为，随着每颗 DRAM的储存密度增加，每位元的功耗效率（pJ/bit）随之下降。HBM 多层数堆叠带来热能与机械结构挑战，最大痛点在于功率密度而非功耗。

随着 HBM面临带宽、功耗与封装尺寸等多重瓶颈，三星等正积极寻求下一代HBM架构的突破。三星、SK海力士向3D 堆叠架构发展，三星正开发全新方案 zHBM，通过将 HBM 垂直堆叠于 xPU 上方，节省硅面积同时省去传统 2.5D 封装所需的中介层。三星宣称 zHBM可带来70%的能源效率提升，DRAM带宽增加230%，每个DRAM模块最多可节省 100W功耗，并让xPU（以GPU为例）额外获得8.3%的功耗空间。

SK 海力士已将先进MR-MUF技术应用于 16层 HBM3E，并进一步导入翘曲控制、细间距互连与窄间隙填充等技术，同时转向混合键合技术解决功耗与散热负担问题。相较 MR-MUF，混合键合可实现厚度增加24%的核心晶粒（Core Die），TSV间距可缩小至 18μm以下，同时在堆叠层数增加的情况下，热阻可降低约 35%。

4. 行业动态

ABF 载板交期已超 12 个月

8 月 28 日消息，根据半导体研究机构 SemiAnalysis 最新发布的报告显示，ABF 载板供应链已无余量，2026年六家主要 ABF基板供应商的产能已全部预定完毕，整体交期拉长至12至14个月，相比2025年初行业交期的约6至8个月延长了近一倍，凸显供需失衡加剧。当前，推动 ABF 基板交期持续拉长的核心原因在于，新一代ASIC与 GPU平台的规格快速升级，随着先进封装芯片体积持续放大，最高可达9,000 至14,000 平方毫米，层数拉高至 20 至 24 层。单颗芯片占用产线时间显著增加，进一步压缩了可用产能。

ABF 基板的紧缺的另一大根源在于上游 ABF 增层膜供应的极度集中。SemiAnalysis报告指出，全球90%以上甚至95%的ABF增层膜供应由日本味之素（Ajinomoto）一家公司掌握。味之素部分产能已被预订至 2027 年，价格上涨，交期超过 6 个月。尽管味之素已宣布扩产，但新工厂计划 2028年动工、2032年投产，2032年前无大规模新产能释放。（来源：芯智讯）

英伟达发布 NVHBM 技术，并获亚马逊追加 200 万颗GPU 订单

当地时间 8月26日，英伟达宣布推出新一代定制高带宽内存技术 NVHBM，并将其纳入 NVLink Fusion生态。这项技术的核心设计颠覆了传统HBM架构——将英伟达自研的定制化内存控制器，从 XPU 运算晶粒转移到 HBM 堆叠中的 Base Die（基座晶粒）上。

与此同时，英伟达与AWS宣布扩大合作，双方计划于 2027年至 2028年间在AWS全球基础设施中额外部署 200万颗英伟达 GPU，并在AI 工厂、CPU、网络、开放模型、数据处理及机器人技术等领域深化合作，提供联合设计的解决方案，帮助客户以前所未有的规模加速AI开发。（来源：芯智讯）

苹果首款2nm芯片发布

北京时间 8 月25 日，苹果公司正式推出新一代Mac系列芯片——M6与 M5 Ultra，将分别搭载于全新 Mac mini 和 Mac Studio。其中，M6 是苹果首款 2nm 芯片，不仅带来了全球最快的单线程性能核心、更强的图形处理能力，还首次引入双 16 核神经网络引擎，大幅提升端侧 AI能力；M5 Ultra则首次在M 系列 SoC中实现四芯片封装架构，将桌面芯片的性能与本地 AI能力推向新高度。（来源：芯智讯）

半导体硅片，全面涨价

8月 24日消息，半导体硅片市场将自新冠疫情以来迎来首次全面大幅上涨，涵盖了6英寸、8英寸和12 英寸的全部尺寸，涨幅起步幅度为10%。这标志着半导体硅片行业在经历长达两年的低迷后，正式进入新一轮上行周期。台系三大半导体硅片供应商——环球晶圆（GlobalWafers）、台胜科技（Taiwan Semiconductor）和合晶科技已相继释放涨价信号。

针对涨价议题，全球第三大半导体硅片厂环球晶圆回应称，近期确实看到部分终端市场需求逐步改善，产业链库存调整也较过去健康。不过，价格仍需视不同产品、规格及客户情况而定，该公司不评论个别产品价格。整体而言，目前观察到的市场信号较去年正向许多。（来源：芯智讯）

三星、SK 海力士与高通携手合作 HBC

据外媒报道，高通执行副总裁兼通用管理器 Durga Malladi近日表示，三星电子与SK 海力士已在推进各自HBM（高带宽内存）路线图的同时，参与到与高通合作推动HBC（高带宽计算）的研发中。HBC 属于近存计算（NMC）架构，将多颗低功耗DRAM（LPDDR）芯片垂直堆叠，并放置在加速器芯片（即XPU）的上方，XPU作为底部的计算裸片。这种架构能够实现比传统计算与内存水平连接方式更高的数据传输带宽。HBC 属于近存计算（NMC）的一种形式，与 HBM 一样采用硅通孔（TSV）技术进行垂直堆叠。

HBC 单卡有效带宽可达数百TB/s，当前主流 AI 加速器 HBM 聚合带宽约 21\~24TB/s；同等功耗下，HBC 单位带宽、单位功耗 Token 吞吐量为 HBM 的 6 倍，对比传统GPU 系统，同等功耗 Token 吞吐量最高提升 8 倍；相比 SRAM，HBC 具备更优的总拥有成本（TCO）。（来源：闪存市场）

消息称受内存成本飙升影响，英伟达 AI服务器价格将上涨超 15%

据外媒报道，英伟达已告知部分大型客户，由于内存芯片成本飙升，搭载其人工智能芯片的服务器价格将在许多情况下上涨超过 15%，具体涨幅将取决于芯片的代数和内存配置。知情人士透露，此次涨价将从明年年初开始，针对 Grace Blackwell和 Vera Rubin服务器系统生效。此外，报道称，包括微软、谷歌和甲骨文在内的为大型数据中心运营商代工服务器的公司，近期已通知其客户即将迎来价格上涨。（来源：闪存市场）

5. 风险提示

贸易摩擦加剧，需求复苏不及预期，产能扩张不及预期，竞争加剧

分析师承诺

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