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证券研究报告2026/06/28

长光华芯深度报告光通信芯片构筑新增长极，平台化布局加速

张世杰证券分析师：

S1190523020001分析师登记编号：

_李珏晗证券分析师：

S1190523080001^{分析师登记编号：}

报告摘要

国内高功率半导体激光芯片龙头，光通信芯片构筑第二增长曲线。公司为国内高功率半导体激光芯片龙头，纵向完成垂直一体化延伸，横向拓展VCSEL与高速光通信芯片，形成多元产品矩阵。公司已建成IDM全流程工艺平台，是全球极少数拥有6吋高功率半导体激光芯片生产线的厂商。公司高功率激光器业务产品结构不断优化，高效率VCSEL系列产品及光通信芯片系列产品显著进展，驱动公司26Q1延续25年的收入端高成长、利润端拐点向上趋势，26Q1实现营业总收入1.30亿元，同比增长37.81%，归属于母公司所有者的净利润0.04亿元，同比扭亏为盈。

高端光芯片供给紧缺，国产替代迎来黄金窗口期；硅光/CPO技术演技，CW激光器充分受益。算力爆发带动高端光芯片需求高增，但受到设备交付、工艺复杂度、良率爬坡等多重因素制约，高端EML供给缺口延续，根据Lumentum指引，出货量与下游实际需求相比缺口预计在20%-30%左右，国产替代迎来黄金机遇期。硅光方案在1.6T及更高速率时代渗透率将加速提升，根据LightCounting数据，硅光光模块26年占比有望突破50%，硅光光模块需配置CW激光器提供光源，推动CW激光器需求结构性增长。伴随英伟达Spectrum-X Ethernet Photonics进入全面量产阶段，CPO产业化不断演进，高功率CW激光器价值进一步凸显。

光通信产品矩阵形成，平台化布局加速，打开成长空间。公司光通信芯片产品矩阵丰富，在VCSEL、DFB、EML、PIN均有布局，覆盖长距短距等多应用场景。公司在高速率光芯片进展显著，推出8通道100G EML和200mW CW DFB。公司100G EML、70mW/100mW CW DFB已实现量产出货，200G EML、200mW CW光源进入客户验证阶段。公司针对下一代技术、材料先发布局，通过全资子公司出资成立星钥光子，前瞻性布局硅光集成技术路线，建设国内首家硅光Foundry，26年底完成通线，预计27年初投产，通过投资匀晶光电布局薄膜铌酸锂新材料方向，打开广阔成长空间。

报告摘要

盈利预测与投资建议：预计2026-2028年营业总收入分别为7.19、10.02、13.46亿元，同比增速分别为50.61%、39.40%、34.31%；归母净利润分别为0.74、1.50、2.68亿元，同比增速分别为239.59%、103.40%、78.11%，对应26-28年PE分别为984X、483X、272X，维持“买入”评级。

风险提示：下游需求不及预期风险；行业竞争加剧风险。

图表1：盈利预测

资料来源：携宁，太平洋证券

目录

I 国内高功率激光芯片龙头，光通信芯片构筑第二增长曲线 II 高端光芯片供给紧缺，国产替代迎来黄金窗口期 III 光通信产品矩阵形成，平台化布局加速 IV 盈利预测与投资建议

1.1 公司概况：国内高功率激光芯片龙头，横纵拓展平台化布局

➢国内高功率激光芯片龙头，横纵拓展平台化布局。公司是国内IDM模式高功率半导体激光芯片的龙头企业，于12年成立，于22年登陆科创板块，主营高功率半导体激光器芯片、高效率激光雷达与3D传感芯片、高速光通信半导体激光芯片及器件和系统的研发、生产和销售，应用领域覆盖工业激光器泵浦、激光先进制造装备、生物医学美容、高速光通信、机器视觉与传感等。公司已建成覆盖芯片设计、外延生长、晶圆处理工艺、解理/镀膜、封装测试、光纤耦合等IDM全流程工艺平台和2吋、3吋、6吋量产线，应用于多款半导体激光芯片开发，突破一系列关键技术，是少数研发和量产高功率半导体激光芯片的公司之一。

图表2：公司发展历程

2012-2015年高能激光芯片、模块、阵列、系统等产品全面实现量产；服务于国家战略高技术产业、科研市场

2018-2021年与苏州高新区政府共建苏州半导体激光创新研究院；获批国家级创新中心

2016-2018年进军工业市场；全面进入VCSEL芯片、高速光通信芯片、直接半导体激光器方向

资料来源：公司官网，太平洋证券

2022年正式登录科创板；荣获“江苏省科学技术一等奖”；引领行业发展

1.2 主营业务：高功率激光芯片优势基本盘，光通信芯片开启增长新曲线

➢基于高功率激光芯片优势，进行横、纵拓展布局。公司以半导体激光芯片为核心，基于在高功率半导体激光芯片领域形成的设计与量产能力，实现多赛道布局。横向上，公司依托核心工艺平台，将产品线扩展至VCSEL芯片及光通信芯片等新兴领域，成功搭建高效率VCSEL芯片与高速光通信芯片两大产品平台。纵向上，公司业务向产业链上、下游延伸，覆盖器件、模块及直接半导体激光器等，形成垂直一体化的产品与解决方案能力。公司主要产品系列包括高功率单管系列、高功率巴条系列、高效率VCSEL系列及光通信芯片系列，持续推动半导体激光芯片的国产化进程。

1.2 主营业务：高功率激光芯片优势基本盘，光通信芯片开启增长新曲线

图表4：公司主要产品

资料来源：公司公告，太平洋证券

1.2 主营业务：高功率激光芯片优势基本盘，光通信芯片开启增长新曲线

➢高功率单管高增长，VCSEL及光通信芯片第二成长曲线。高功率单管系列25年实现收入3.86亿元，同比增长80.92%，主要来自工业激光器需求回暖，以及公司在高端市场进展显著；VCSEL及光通讯芯片系列25年实现收入4119万元，同比增长1036.79%，主要系前期布局的光通信等业务批量出货，较上年同期高速增长；高功率巴条系列收入约2925万元，同比下滑20.60%。公司高功率单管系列/VCSEL及光通讯芯片系列/高功率巴条系列毛利率分别为31.56%/12.81%/67.33%，高功率单管系列产品结构优化，毛利率提升，VCSEL及光通讯芯片系列新产品短期影响毛利水平。

1.3 财务分析：营收增速靓丽，盈利能力持续优化

➢26Q1业绩增长靓丽，光通信芯片进展显著。公司26Q1延续25年的收入端高成长、利润端拐点向上趋势，实现营业总收入1.30亿元，同比增长37.81%，环比实现445%增长，归属于母公司所有者的净利润0.04亿元，同比扭亏为盈。主要得益于下游工业激光器市场的回暖，叠加公司高功率激光器业务产品结构不断优化，专注高端市场客户，带动公司盈利能力持续提升，以及算力需求爆发式增长，公司高效率VCSEL系列产品及光通信芯片系列产品进展显著，客户订单开始起量，为业绩增长贡献增量。

1.3 财务分析：营收增速靓丽，盈利能力持续优化

➢公司产品结构优化，费用管控优异，盈利能力持续提升。公司25年综合毛利率34.54%，同比增长10.69pct，高功率单管系列客户及产品结构优化，该主线毛利率提升至31.56%，同比增长+20.63pct；VCSEL及光通信芯片新品放量后，有望迎来毛利率进一步优化。公司费用率管控能力优异，25年销售、管理、研发、财务费用率分别为2.89%、9.11%、24.18%、-4.07%，同比分别变化-0.78、-5.98、-22.51、-1.09pct。 26Q1销售、管理、研发、财务费用率分别为2.49%、9.75%、20.32%、-0.01%，同比变动-0.86、-0.31、-8.84、+0.23pct。

目录 I 国内高功率激光芯片龙头，光通信芯片构筑第二增长曲线 II 高端光芯片供给紧缺，国产替代迎来黄金窗口期 III 光通信产品矩阵形成，平台化布局加速 IV 盈利预测与投资建议

2.1 高端光芯片供给持续紧缺，国产光芯片厂商突围正当时

➢全球高端光芯片供给市场呈现美日高度主导格局，国产突围正当时。 25G及以上光芯片主要应用在移动通信网络和数据中心领域，该市场长期由海外厂商为主导，根据ICC数据，25G光芯片海外厂商份额约75%，25G以上光芯片海外厂商份额约95%，国内光芯片厂商在细分领域实现突围。从EML细分领域来看，全球高速EML芯片市场长期呈现海外垄断格局，Lumentum、Coherent、住友电工、三菱电机、博通等为代表的海外厂商占据主要份额，根据Global Info Research数据，前5家约占据76%份额。

2.1 高端光芯片供给持续紧缺，国产光芯片厂商突围正当时

➢下游大客户提前锁定光芯片厂商产能，供给端持续紧缺。海外光芯片大厂如Lumentum、Coherent产能扩张节奏加速，Coherent磷化铟全球首批6英寸InP产线的量产爬坡，产能计划在26年底实现翻倍；根据Lumentum在OFC 2026的指引，公司磷化铟产能在26年底将同比增长50%。然而，新增产量仍难以填补算力需求爆发带来的供需缺口，Lumentum预计26-30年磷化铟光芯片需求复合增速85%，预计出货量仍比下游实际需求低20%-30%左右。同时，根据Lumentum指引，下游客户在积极锁定未来产能排期，订单能见度已穿透至28年。

2.1 高端光芯片供不应求，国产光芯片厂商突围正当时

➢EML供给侧产能释放受到扩产周期、工艺复杂度、良率爬坡等多重因素制约。EML芯片供给端延续偏紧张的状态，主要由于扩产周期、工艺难度、产能爬坡等多重因素共振：InP衬底主要集中在住友、AXT、JX等少数厂商，其中住友、AXT合计占据78%左右供应份额，产能受制于单晶生长环节难度，以及原材料面临出口管制等不确定因素。由于EML是将DFB激光器与EAM电吸收调制器集成在同一外延片上，工艺难度更大、量产良率爬坡更难，且外延所需的MOCVD等关键沉积设备交付调试周期长，共同制约EML芯片产量快速释放。

2.2 硅光渗透提升，CPO规模部署推进，CW激光器充分受益

➢硅光方案高度集成，具备更高速率和更低损耗，CW激光器是其核心部件。硅光是以硅基材料为衬底，结合CMOS工艺，在硅晶圆上集成有源光器件如激光器、探测器、调制器等和无源光器件如平面波导、光栅耦合器等。相较传统分立式光模块方案，硅光方案优势显著：采用光信号传输，具备更高速率、更高带宽、更低损耗的优势，解决了高速率场景下电信号传输的瓶颈；传统方案衬底材料使用磷化铟和砷化镓，硅光方案衬底采用硅基材料，成本更低；高度集成的特点降低了封装成本和尺寸。硅光依赖外置CW激光器提供光源，因此CW激光器成为硅光技术中的核心零部件。

2.2 硅光渗透提升，CPO规模部署推进，CW激光器充分受益

➢1.6T光模块进入放量元年，硅光方案占比不断提升，CW激光器将充分受益。800G光模块成为主流交付规格、1.6T光模块26年进入放量元年。以1.6T光模块为例，传统单通道需要配置1颗EML，而1颗CW激光器可驱动2/4个通道，采用CW激光器方案可带来明显成本优化，叠加EML芯片因工艺复杂度产能难以快速释放，持续处于供给偏紧缺状态，高端EML芯片价格持续上行，CW激光器快速成长为高速率光模块主流解决方案。根据LightCounting数据，采用硅光调制器的光模块预计在26年渗透率突破50%。

2.2 硅光渗透提升，CPO规模部署推进，CW激光器充分受益

➢CPO规模部署节奏推进中，高功率CW价值不断凸显。光电共封装CPO是将硅光引擎和交换芯片在同主板封装，通过缩短光引擎和交换芯片的距离来提升传输速率、降低损耗。英伟达推出Quantum-X和Spectrum-X平台，标志着CPO在大规模数据中心领域规模部署迎来重要拐点。CPO（以及过渡方案近封装NPO）的部署正在加速硅光技术的应用，CPO目前主要采用外置激光源ELS，高功率CW激光器将成为外置光源模块的关键组件，驱动高功率CW光源增量市场规模持续增长。以Quantum-X800Q3400为例，单台配置18个ELS，每个ELS配置8个高功率CW激光器。

目录

I 国内高功率激光芯片龙头，光通信芯片构筑第二增长曲线 II 高端光芯片供给紧缺，国产替代迎来黄金窗口期 III 光通信产品矩阵形成，平台化布局加速 IV 盈利预测与投资建议

3.1 光通信芯片矩阵布局丰富，EML、CW光源产品进展显著

➢数据中心高速光互联呈现爆发式需求，而光芯片供给短缺，公司在光通信芯片领域已形成VCSEL、DFB、EML、PIN四大类产品矩阵。公司产品矩阵丰富，在VCSEL、DFB、EML、PIN等光通信芯片均有布局，覆盖长距短距等多应用场景。针对大规模数据中心内部互联场景，如400G/800G短距互联，公司推出产品50Gbps PAM4 VCSEL及100G PAM4 VCSEL芯片。

3.1 光通信芯片矩阵布局丰富，EML、CW光源产品进展显著

➢针对800G光模块市场主流的8\*100G方案，公司推出8通道100G EML芯片。800G光模块放量，针对当前市场主流8×100G PAM4架构方案，公司基于多年深耕的100G EML产品平台，在美国光纤通讯展览会及会议OFC 2026全球首发面向800G FR8方案的8通道100G EML，完整支持CWDM8波长网格，1271-1341nm完成波长覆盖，调制性能优秀，调制带宽>36 GHz，充分满足100G PAM4调制需求，并为系统预留充足余量，确保信号传输质量，全波输出光功率>10 mW，8通道功率一致性差异<2dB。公司25年开始规模量产100G EML产品，200G EML产品亦进入客户验证阶段。

3.1 光通信芯片矩阵布局丰富，EML、CW光源产品进展显著

➢800G/1.6T硅光方案以及NPO/CPO演进，公司推出宽温70mW/100mW/200mW等CW DFB光源产品。

800G/1.6T光模块中硅光渗透率不断提升，下一代LPO/CPO技术大势所趋，200-400mW CW DFB是该方案关键核心零部件。公司在CIOE 2025发布200mW Uncooled CW DFB，在输出功率、功耗、温度稳定性等多个指标中表现优秀，全温光功率>200mW、80℃ WPE>20%、支持5–80℃宽温及非气密工作。公司70mW、100mW CW DFB已量产出货，200mW DFB进入客户验证阶段。公司基于自身RWG设计和端面钝化工艺优势，开发RWG+InGaAlAs方案CW光源，综合性能优异，具备良好的可制造性，并通过研发超高真空解离+原位端面钝化技术，解决高功率激光器芯片含铝端面氧化问题。

图表26：CW光源波导结构及材料对比

资料来源：公司公告，太平洋证券

3.2 把握硅光大趋势，公司投资建设国内首家硅光Foundry

➢国内首家硅光Foundry预计27年投产，打破国内硅光芯片量产制造线的空白。随着3.2T光模块等下一代技术的持续演进，硅光集成已成为光通信领域重要的技术演进方向。公司通过全资子公司出资设立星钥光子，前瞻性布局关键技术路线。为了填补国内长期缺乏成熟的硅光芯片量产制造线的空白，星钥光子旨在建设中国首家专业硅光集成芯片量产工厂。根据星钥光子产线建设进度，项目总投资50亿元，一期投资12亿元，计划于26年底完成通线。星钥光子将以8英寸90nm集成电路制造能力为基础，攻克国产硅光芯片与光电集成量产制造的核心瓶颈，预计27年初投产。

3.3 投资匀晶光电前瞻性布局薄膜铌酸锂新材料

➢伴随光模块向更高速率迭代，薄膜铌酸锂有望成为，公司通过全资子公司投资匀晶光电。公司通过全资子公司投资匀晶光电，布局薄膜铌酸锂新材料方向。匀晶光电成立于12年，是专注于大尺寸电光单晶体生长及晶圆片加工的高新技术企业。公司以自主研发为核心，突破传统单晶生长工艺限制，独创的晶体生长技术， 向国内外客户提供高端铌酸锂、钽酸锂系列晶体，包括光调制、光纤陀螺、光隔离器、光学低通滤波片用光学级双面抛光LiNbO3晶片等，广泛应用于光通信、激光加工、医疗全激光显示产品、量子通信等领域。

图表28：匀晶光电主要产品

3\~8 inch OPT-Grade CLN 光学级铌酸锂晶体与晶 圆

3\~6 inch Mg-Doped CLN 掺镁铌酸锂晶体与晶圆

图表29：匀晶光电光学级铌酸锂晶体及基片产品

目录

I 国内高功率激光芯片龙头，光通信芯片构筑第二增长曲线 II 高端光芯片供给紧缺，国产替代迎来黄金窗口期 III 光通信产品矩阵形成，平台化布局加速 IV 盈利预测与投资建议

4. 盈利预测及投资建议

盈利预测与投资建议：预计2026-2028年营业总收入分别为7.19、10.02、13.46亿元，同比增速分别为50.61%、39.40%、34.31%；归母净利润分别为0.74、1.50、2.68亿元，同比增速分别为239.59%、103.40%、78.11%，对应26-28年PE分别为984X、483X、272X，维持“买入”评级。

图表30：主营业务预测

资料来源：携宁，太平洋证券

图表31：盈利预测

资料来源：携宁，太平洋证券

风险提示

◼ 下游需求不及预期风险；

◼ 行业竞争加剧风险；

◼ 地缘政治风险。

投资评级说明

1、行业评级

看好：预计未来6个月内，行业整体回报高于沪深300指数5%以上；

中性：预计未来6个月内，行业整体回报介于沪深300指数-5%与5%之间；

看淡：预计未来6个月内，行业整体回报低于沪深300指数5%以下。

2、公司评级

买入：预计未来6个月内，个股相对沪深300指数涨幅在15%以上；

增持：预计未来6个月内，个股相对沪深300指数涨幅介于5%与15%之间；

持有：预计未来6个月内，个股相对沪深300指数涨幅介于-5%与5%之间；

减持：预计未来6个月内，个股相对沪深300指数涨幅介于-5%与-15%之间；

卖出：预计未来6个月内，个股相对沪深300指数涨幅低于-15%以下。

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